SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ Тела Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Дип Napraheneee - пик в На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor На Иппедс (mmaks) (zzt) Odnana emcostath (cies) @ vce Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
FQPF9N25CT Fairchild Semiconductor FQPF9N25CT 0,5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 250 8.8a (TC) 10 В 430MOM @ 4,4a, 10 В 4 В @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 710 pf @ 25 v - 38W (TC)
FJN3303BU Fairchild Semiconductor FJN3303BU -
RFQ
 ECAD 6963 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1,1 ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 400 1,5 а 10 мк (ICBO) Npn 3 В @ 500 май, 1,5а 14 @ 500 май, 2 В 4 мг
HUF75637S3ST Fairchild Semiconductor HUF75637S3ST 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 44a (TC) 10 В 30mohm @ 44a, 10 В 4 В @ 250 мк 108 NC @ 20 V ± 20 В. 1700 pf @ 25 v - 155 Вт (TC)
FFPF06U20DNTU Fairchild Semiconductor FFPF06U20DNTU 0,3300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо Чereз dыru 220-3- Станода TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 6A 1,2 - @ 6 a 35 м 6 мка pri 200 -65 ° С ~ 150 ° С.
KBU6J Fairchild Semiconductor KBU6J 0,7100
RFQ
 ECAD 5162 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 84 1 V @ 6 A 10 мк -прри 50 6 а ОДИНАНАНА 600
FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor FGH20N6S2D 0,7600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 125 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 150 390V, 7A, 25OM, 15 В 31 м - 600 28 а 40 А. 2.7V @ 15V, 7a 25 мкдж (wklючen), 58 мкб (vыklючen) 30 NC 7,7NS/87NS
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0,5300
RFQ
 ECAD 85 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 21a (TC) 10 В 40mohm @ 10.5a, 10v 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 25 В 945 PF @ 25 V - 39 Вт (ТС)
FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor FQI13N06LTU 0,7200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 13.6a (TC) 5 В, 10 В. 110mohm @ 6,8a, 10 2,5 -50 мк 6,4 NC @ 5 V ± 20 В. 350 pf @ 25 v - 3,75 yt (ta), 45 yt (tc)
FP7G50US60 Fairchild Semiconductor FP7G50US60 28.2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor Power-Spm ™ Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI EPM7 250 Вт Станода EPM7 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 11 Поломвинамос - 600 50 а 2,8 В @ 15 В, 50a 250 мк Не 2,92 нф.
FQP32N12V2 Fairchild Semiconductor FQP32N12V2 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 120 32A (TC) 10 В 50mohm @ 16a, 10 В 4 В @ 250 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 1860 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
SGS13N60UFDTU Fairchild Semiconductor SGS13N60UFDTU 0,5100
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- SGS13 Станода 45 Вт TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 300 В, 6,5а, 50 От, 15 55 м - 600 13 а 52 а 2,6 -прри 15 В, 6,5а 85 мкд (на), 95 мк (В.Клхэн) 25 NC 20NS/70NS
HUF75329D3S Fairchild Semiconductor HUF75329D3S 0,9600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 55 20А (TC) 10 В 26mohm @ 20a, 10v 4 В @ 250 мк 65 NC @ 20 V ± 20 В. 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
MPSA42RA Fairchild Semiconductor MPSA42RA 1.0000
RFQ
 ECAD 8905 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м ДО 92-3 - Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
KBU6D Fairchild Semiconductor Kbu6d 0,5400
RFQ
 ECAD 5011 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 425 1 V @ 6 A 10 мк. 6 а ОДИНАНАНА 200
SGH30N60RUFTU Fairchild Semiconductor SGH30N60RUFTU -
RFQ
 ECAD 2893 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 SGH30N60 Станода 235 Вт 12 вечера СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 450 300 В, 30., 7 ОМ, 15 В - 600 48 а 90 а 2,8 В @ 15 В, 30А 919 мк (на), 814 мкд (выключен) 85 NC 30NS/54NS
PF53012 Fairchild Semiconductor PF53012 0,0600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ДО 92-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал - 30 30 мк. 1,7 - @ 1 na
KSD1616GTA Fairchild Semiconductor KSD1616GTA -
RFQ
 ECAD 7609 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 4000 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 160 мг
FQU3N60TU Fairchild Semiconductor FQU3N60TU 0,5100
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 5040 N-канал 600 2.4a (TC) 10 В 3,6 суда @ 1,2а, 10 В 5 w @ 250 мк 13 NC @ 10 V ± 30 v 450 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 50 st (tc)
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor FQN1N50CBU -
RFQ
 ECAD 8745 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 1447 N-канал 500 380 май (TC) 10 В 6om @ 190ma, 10 В 4 В @ 250 мк 6,4 NC @ 10 V ± 30 v 195 PF @ 25 V - 890 мт (TA), 2,08 st (TC)
FLZ39VA Fairchild Semiconductor FLZ39VA 0,0200
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 3% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2500 1,2 - @ 200 Ма 133 Na @ 30 V 35,6 В. 72 О
BC32716BU Fairchild Semiconductor BC32716BU 0,0400
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 10000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
KBU8B Fairchild Semiconductor Kbu8b 1.0000
RFQ
 ECAD 3826 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 A 10 мк -пки 100 8 а ОДИНАНАНА 100
HUF75337P3 Fairchild Semiconductor HUF75337P3 -
RFQ
 ECAD 2357 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 55 75A (TC) 10 В 14mohm @ 75a, 10v 4 В @ 250 мк 109 NC @ 20 V ± 20 В. 1775 PF @ 25 V - 175W (TC)
RFP45N06 Fairchild Semiconductor RFP45N06 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 45A (TC) 10 В 28mohm @ 45a, 10 В 4 В @ 250 мк 150 NC @ 20 V ± 20 В. 2050 PF @ 25 V - 131W (TC)
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Коробка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 25 Веселеаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа из 89 Вт ОДНАОФАНГН ВОПРОВОГО 25 Веселеаааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааааа из СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 30 Treхpaзnый -nertor -stormohom - 600 20 а 2,7 В @ 15 В, 20А 250 мк В дар 1.277 NF @ 30 V
NDP603AL Fairchild Semiconductor NDP603AL 0,3200
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 45 N-канал 30 25a (TC) 4,5 В, 10. 22mohm @ 25a, 10 В 3 В @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 15 v - 50 yt (tc)
BDX53BTU Fairchild Semiconductor BDX53BTU -
RFQ
 ECAD 1115 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 60 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 844 80 8 а 500 мк Npn - дарлино 2V @ 12ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
FQI4N25TU Fairchild Semiconductor FQI4N25TU 0,1900
RFQ
 ECAD 8002 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1175 N-канал 250 3.6a (TC) 10 В 1,75OM @ 1,8а, 10 В 5 w @ 250 мк 5,6 NC @ 10 V ± 30 v 200 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
FQP6P25 Fairchild Semiconductor FQP6P25 0,8300
RFQ
 ECAD 127 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 250 6А (TC) 10 В 1,1 ом @ 3A, 10V 5 w @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 30 v 780 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
FGB30N6S2T Fairchild Semiconductor FGB30N6S2T 1.0000
RFQ
 ECAD 1724 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 167 Вт D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 390V, 12A, 10OM, 15 В - 600 45 а 108 а 2,5 -пр. 15 - 55 мкб (вклэн), 110 мкд (В.Клнун) 23 NC 6NS/40NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть