SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
FDMS7608S Fairchild Semiconductor FDMS7608S 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn FDMS7608 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1 Вт Power56 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 589 2 n-канал (Дзонано) 30 12a, 15a 10mohm @ 12a, 10 В 3 В @ 250 мк 24nc @ 10v 1510pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
HUF75829D3 Fairchild Semiconductor HUF75829D3 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 150 18а (TC) 10 В 110mohm @ 18a, 10 В 4 В @ 250 мк 70 NC @ 20 V ± 20 В. 1080 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
KSA1015GRBU Fairchild Semiconductor KSA1015GRBU -
RFQ
 ECAD 8313 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 7820 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мая 200 @ 2MA, 6V 80 мг
1N916A Fairchild Semiconductor 1n916a 1.0000
RFQ
 ECAD 1634 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n916 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 20 мая 4 млн 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 200 май 2pf @ 0v, 1 мгест
1N5986B Fairchild Semiconductor 1n5986b 1.8400
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 163 1,2 - @ 200 Ма 75 мка При 1в 2,7 В. 100 ОМ
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
 ECAD 9332 0,00000000 Fairchild Semiconductor Dual Cool ™, PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dual Cool ™ 33 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-FDMC7660DC-600039 1 N-канал 30 30A (TA), 40a (TC) 4,5 В, 10 В. 2,2MOM @ 22A, 10 В 2,5 -50 мк 76 NC @ 10 V ± 20 В. 5170 PF @ 15 V - 3W (TA), 78W (TC)
BC32725 Fairchild Semiconductor BC32725 0,0600
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 45 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
MMBT5401 Fairchild Semiconductor MMBT5401 -
RFQ
 ECAD 5571 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT23-3 (TO-236) - Rohs Продан 2156-MMBT5401-600039 1 150 600 май 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
BD17910STU Fairchild Semiconductor BD17910STU 0,4900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 30 st 126-3 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-BD17910STU-600039 1 80 3 а 100 мк (ICBO) Npn 800 мВ @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2v 3 мг
S1D Fairchild Semiconductor S1d 1.0000
RFQ
 ECAD 8487 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC, SMA СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
HUFA76409D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76409D3ST 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Ultrafet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUFA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2500 N-канал 60 18а (TC) 4,5 В, 10 В. 63mohm @ 18a, 10v 3 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 16 В. 485 PF @ 25 V - 49 Вт (TC)
KSD1589YTU Fairchild Semiconductor KSD1589YTU -
RFQ
 ECAD 7680 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 1,5 TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 970 100 5 а 1 мка (ICBO) Npn - дарлино 1,5 - @ 3MA, 3A 5000 @ 3a, 2v -
BCX70K Fairchild Semiconductor BCX70K -
RFQ
 ECAD 9201 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23-3 - Rohs Продан 2156-BCX70K-600039 1 45 200 май 20NA Npn 550 мв 1,25 май, 50 маточков 380 @ 2ma, 5V 125 мг
1N970BTR Fairchild Semiconductor 1n970btr 0,0500
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 24 33 О
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
 ECAD 166 0,00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Ultrafet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 HUFA75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 150 75A (TC) 10 В 16mohm @ 75a, 10v 4 В @ 250 мк 480 NC @ 20 V ± 20 В. 7690 PF @ 25 V - 500 м (TC)
FQD3N40TF Fairchild Semiconductor FQD3N40TF 0,3700
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 400 2а (TC) 10 В 3.4OM @ 1A, 10V 5 w @ 250 мк 7,5 NC @ 10 V ± 30 v 230 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 30 yt (tc)
BD244A Fairchild Semiconductor BD244A -
RFQ
 ECAD 2717 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 65 Вт ДО-220 - Rohs Продан 2156-BD244A-600039 1 60 6 а 700 мк Pnp 1,5 - @ 1a, 6a 15 @ 3A, 4V -
MM3Z10VC Fairchild Semiconductor MM3Z10VC 0,0300
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-90, SOD-323F 200 м SOD-323F СКАХАТА Ear99 8541.10.0050 11 539 1 V @ 10 мая 180 Na @ 7 V 10 18 О
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630A -
RFQ
 ECAD 4655 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 9А (TC) 10 В 400mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 650 pf @ 25 v - 72W (TC)
BC33716BU Fairchild Semiconductor BC33716BU 0,0400
RFQ
 ECAD 122 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 7 474 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2N6076 Fairchild Semiconductor 2N6076 0,0200
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 25 В 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 10ma, 1в -
RFD3055SM9A Fairchild Semiconductor RFD3055SM9A 0,4600
RFQ
 ECAD 2537 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 40 N-канал 60 12a (TC) 10 В 150mohm @ 12a, 10v 4 В @ 250 мк 23 NC @ 20 V ± 20 В. 300 pf @ 25 v - 53 Вт (TC)
FQA13N50C Fairchild Semiconductor FQA13N50C 2.0800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 450 N-канал 500 13.5a (TC) 10 В 480mom @ 6,75A, 10 В 4 В @ 250 мк 56 NC @ 10 V ± 30 v 2055 PF @ 25 V - 218W (TC)
NDB6030PL Fairchild Semiconductor NDB6030PL 0,9000
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NDB603 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²pak (to-263ab) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 8000 П-канал 30 30А (TC) 4,5 В, 10 В. 25mohm @ 19a, 10v 2 В @ 250 мк 36 NC @ 5 V ± 16 В. 1570 PF @ 15 V - 75W (TC)
FDP55N06 Fairchild Semiconductor FDP55N06 -
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 60 55A (TC) 10 В 22mohm @ 27,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 37 NC @ 10 V ± 25 В 1510 PF @ 25 V - 114W (TC)
FDMS8558SDC Fairchild Semiconductor FDMS8558SDC -
RFQ
 ECAD 2392 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench®, Syncfet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 N-канал 25 В 38A (TA), 90A (TC) 1,5mohm @ 38a, 10 В 2.2V @ 1MA 81 NC @ 10 V ± 12 В. 5118 PF @ 13 V - 3,3 yt (ta), 89 yt (tc)
FQB70N08TM Fairchild Semiconductor FQB70N08TM 12000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 80 70A (TC) 10 В 17mohm @ 35a, 10v 4 В @ 250 мк 98 NC @ 10 V ± 25 В 2700 pf @ 25 v - 3,75 yt (ta), 155 yt (tc)
FDP8880 Fairchild Semiconductor FDP8880 0,5200
RFQ
 ECAD 62 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 573 N-канал 30 11A (TA), 54A (TC) 4,5 В, 10 В. 11,6mohm @ 40a, 10 В 2,5 -50 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1240 PF @ 15 V - 55W (TC)
FDD6770A Fairchild Semiconductor FDD6770A 0,7100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FDD677 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 25 В 24a (ta), 50a (TC) 4,5 В, 10 В. 4mohm @ 24a, 10 В 3 В @ 250 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 2405 PF @ 13 V - 3,7 yt (ta), 65 yt (tc)
HUFA75321D3STQ Fairchild Semiconductor HUFA75321D3STQ 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен HUFA75321 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть