SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Вес Тела Синла - МАКС Wshod ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ ИСЛОВЕЕ ИСПАН ТЕКУИГИГ Naprayeseee Naprayжeniee - yзolyahip Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C Дип Napraheneee - пик в На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) NTC Thermistor На Иппедс (mmaks) (zzt) Odnana emcostath (cies) @ vce СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
FDMS86104 Fairchild Semiconductor FDMS86104 -
RFQ
 ECAD 4847 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Power56 - Rohs Продан 2156-FDMS86104 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 7a (ta), 16a (TC) 6 В, 10 В. 24mohm @ 7a, 10 В 4 В @ 250 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 923 pf @ 50 v - 2,5 yt (ta), 73 yt (tc)
IRF710B Fairchild Semiconductor IRF710B 0,1700
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 400 2а (TC) 10 В 3.4OM @ 1A, 10V 4 В @ 250 мк 10 NC @ 10 V ± 30 v 330 pf @ 25 v - 36W (TC)
MMBZ5252B Fairchild Semiconductor MMBZ5252B 0,0200
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен ± 5% - Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 659 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 18 V 24 33 О
3N248 Fairchild Semiconductor 3N248 -
RFQ
 ECAD 2326 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPM Станода KBPM СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 1 A 5 мка При 200 1,5 а ОДИНАНАНА 200
FDZ202P Fairchild Semiconductor FDZ202P 0,2700
RFQ
 ECAD 152 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 12-WFBGA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12-BGA (2x2,5) СКАХАТА Rohs Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 5.5a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 45mohm @ 5,5a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 13 NC @ 4,5 ± 12 В. 884 PF @ 10 V - 2W (TA)
FDD6670AL Fairchild Semiconductor FDD6670AL 1.0100
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 84a (TA) 4,5 В, 10 В. 5mohm @ 18a, 10v 3 В @ 250 мк 56 NC @ 5 V ± 20 В. 3845 PF @ 15 V - 83W (TA)
FSB50450TB Fairchild Semiconductor FSB50450TB 6.4500
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Fairchild Semiconductor SPM® Трубка Управо Чereз dыru Модул 23-PowerDip (0,748 ", 19,00 мм) МОСС СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 15 3 февраля 1,5 а 500 1500vrms
HUFA76609D3S Fairchild Semiconductor HUFA76609D3S -
RFQ
 ECAD 2128 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 36 N-канал 100 10a (TC) 4,5 В, 10 В. 160mohm @ 10a, 10 В 3 В @ 250 мк 16 NC @ 10 V ± 16 В. 425 PF @ 25 V - 49 Вт (TC)
FQT4N20TF Fairchild Semiconductor FQT4N20TF 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223-4 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 200 850 май (TC) 10 В 1.4OM @ 425MA, 10 В 5 w @ 250 мк 6,5 NC @ 10 V ± 30 v 220 pf @ 25 v - 2,2 м (TC)
FQP13N06 Fairchild Semiconductor FQP13N06 0,3100
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 13a (TC) 10 В 135mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 7,5 NC @ 10 V ± 25 В 310 PF @ 25 V - 45 Вт (TC)
KSC1675RBU Fairchild Semiconductor KSC1675RBU 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 30 50 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 1MA, 6V 300 мг
2KBP06M Fairchild Semiconductor 2KBP06M 0,2900
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPM Станода KBPM СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 30 1,1 В @ 3,14 а 5 мк. 2 а ОДИНАНАНА 600
FDAF62N28 Fairchild Semiconductor FDAF62N28 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 360 N-канал 280 36a (TC) 10 В 51mohm @ 18a, 10v 5 w @ 250 мк 100 NC @ 10 V ± 30 v 4630 pf @ 25 v - 165W (TC)
FGA50N100BNTTU Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTTU 2.6000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 Станода 156 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 60 A, 10OM, 15 Npt и щит 1000 50 а 200 А. 2,9 В @ 15 В, 60a - 257 NC 34NS/243NS
FDU044AN03L Fairchild Semiconductor FDU044AN03L 0,9800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 30 21a (ta), 35a (TC) 4,5 В, 10 В. 3,9MOM @ 35A, 10 В 2,5 -50 мк 118 NC @ 10 V ± 20 В. 5160 PF @ 15 V - 160 Вт (TC)
FQI13N06TU Fairchild Semiconductor FQI13N06TU 0,3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 13a (TC) 10 В 135mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 7,5 NC @ 10 V ± 25 В 310 PF @ 25 V - 3,75 yt (ta), 45 yt (tc)
2N5638 Fairchild Semiconductor 2N5638 1.0000
RFQ
 ECAD 3268 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 м ДО 92-3 - Rohs3 Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал 10pf @ 12V (VGS) 30 50 май @ 20 30 ОМ
HUFA75842P3 Fairchild Semiconductor HUFA75842P3 0,9200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 150 43a (TC) 10 В 42mohm @ 43a, 10v 4 В @ 250 мк 175 NC @ 20 V ± 20 В. 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
FQPF9N25 Fairchild Semiconductor FQPF9N25 0,4800
RFQ
 ECAD 1341 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 250 6.7a (TC) 10 В 420MOM @ 3,35A, 10 В 5 w @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 30 v 700 pf @ 25 v - 45 Вт (TC)
HUF75321D3 Fairchild Semiconductor HUF75321D3 0,2700
RFQ
 ECAD 7657 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1050 N-канал 55 20А (TC) 10 В 36mohm @ 20a, 10v 4 В @ 250 мк 44 NC @ 20 V ± 20 В. 680 PF @ 25 V - 93W (TC)
FDC655AN Fairchild Semiconductor FDC655AN 1.7900
RFQ
 ECAD 299 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Supersot ™ -6 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 30 6.3a (TA) 4,5 В, 10 В. 27 месяцев @ 6,3а, 10 3 В @ 250 мк 13 NC @ 5 V ± 20 В. 830 pf @ 15 v - 1,6 yt (tat)
FP7G75US60 Fairchild Semiconductor FP7G75US60 29 6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor Power-Spm ™ Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI EPM7 310 Вт Станода EPM7 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 5 Поломвинамос - 600 75 а 2.8V @ 15V, 75A 250 мк Не 4,515 нф.
FDR8508P Fairchild Semiconductor FDR8508P 1.3800
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-тфу (0,130 ", Ирина 3,30 мм) FDR85 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 800 м Supersot ™ -8 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 3A 52mohm @ 3a, 10v 3 В @ 250 мк 12NC @ 5V 750pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
FQP10N60C Fairchild Semiconductor FQP10N60C 1.0900
RFQ
 ECAD 4844 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 244 N-канал 600 9.5a (TC) 10 В 730MOM @ 4,75A, 10 В 4 В @ 250 мк 57 NC @ 10 V ± 30 v 2040 PF @ 25 V - 156 Вт (ТС)
FQPF2N50 Fairchild Semiconductor FQPF2N50 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 500 1.3a (TC) 10 В 5,3 omm @ 650ma, 10 В 5 w @ 250 мк 8 NC @ 10 V ± 30 v 230 pf @ 25 v - 20 yt (tc)
FDU6680 Fairchild Semiconductor FDU6680 0,6000
RFQ
 ECAD 82 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 30 12A (TA), 46A (TC) 4,5 В, 10 В. 10mohm @ 12a, 10 В 3 В @ 250 мк 18 NC @ 5 V ± 20 В. 1230 PF @ 15 V - 3,3 yt (ta), 56 yt (tc)
BC850BMTF Fairchild Semiconductor BC850BMTF 0,0600
RFQ
 ECAD 102 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
BAV20TR Fairchild Semiconductor BAV20TR -
RFQ
 ECAD 6030 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0070 30 000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 200 v 175 ° C (MMAKS) 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
FQB20N06LTM Fairchild Semiconductor FQB20N06LTM -
RFQ
 ECAD 9801 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 107 N-канал 60 21a (TC) 5 В, 10 В. 55mohm @ 10,5a, 10 В 2,5 -50 мк 13 NC @ 5 V ± 20 В. 630 pf @ 25 v - 3,75 yt (ta), 53 yt (tc)
FGPF70N33BTTU Fairchild Semiconductor FGPF70N33BTTU 0,9700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 48 Вт TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 - Поящь 330 220 А. 1,7 - @ 15V, 70A - 49 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть