RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (5251)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Терпимость	Rraboч -yemperatura	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	Baзowый nomer prodikta	Тела	Синла - МАКС	Wshod	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Коунфигура	Скороп	ТИП ФЕТ	Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	Vgs (mmaks)	Взёр.	FET FUONKSHINA	Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	Коунфигурахия	На	Ток - Средниги ипра.	На	ВОЗНАЯ ВОЗНА	Ток - Обратна тебе	Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee	Ток - Среднигиисправейни (io)	Emcostath @ vr, f	ТИП ИГБТ	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Vce (on) (max) @ vge, ic	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	NTC Thermistor	На	Иппедс (mmaks) (zzt)	Odnana emcostath (cies) @ vce	Это	Vce saturation (max) @ ib, ic	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
MMBZ5228B	0,0200	RFQ	47	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		300 м		SOT-23	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	3000																	900 мВ @ 10 мая		10 мка @ 1 В										3,9 В.	23 ОМ
FDS8449	1.0000	RFQ	1906	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			8 лейт	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-FDS8449-600039			1			N-канал	40	7.6A (TA)	4,5 В, 10.	29mohm @ 7,6a, 10 В	3 В @ 250 мк	11 NC @ 5 V	± 20 В.	760 pf @ 20 v	-	2,5 yt (tat)
Flz9v1b	0,0200	RFQ	4948	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 3%	-65 ° C ~ 175 ° C.	Пефер	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500 м		SOD-80	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	5433																	1,2 - @ 200 Ма		300 NA @ 6 V										8,8 В.	6,6 ОМ
FDU6N25	0,2500	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	Unifet ™	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	До 251-3 лиды, Ипак		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			I-pak	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1211			N-канал	250	4.4a (TC)	10 В	1,1 ОМ @ 2,2a, 10 В	5 w @ 250 мк	6 NC @ 10 V	± 30 v	250 pf @ 25 v	-	50 yt (tc)
FJY3006R	0,0200	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо			Пефер	SC-89, SOT-490	FJY300		200 м		SOT-523F	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	3000																								50	100 май		100NA (ICBO)					Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen	300 мВ 500 мк, 10	68 @ 5ma, 5 В	250 мг	10 Kohms	47 Kohms
MM3Z3V3C	0,0200	RFQ	5724	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° С ~ 150 ° С.	Пефер	SC-90, SOD-323F			200 м		SOD-323F	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0050	8 220																	1 V @ 10 мая		4,5 мк -при 1										3.3в	89 ОМ
FQB9N25TM	0,5300	RFQ	6551	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			D2Pak (263)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	52			N-канал	250	9.4a (TC)	10 В	420mohm @ 4.7a, 10	5 w @ 250 мк	20 NC @ 10 V	± 30 v	700 pf @ 25 v	-	3,13 yt (ta), 90 yt (tc)
1n5257btr	0,0200	RFQ	241	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м		DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.10.0050	5000																	1,2 - @ 200 Ма		100 Na @ 25 V										33 В	58 ОМ
BAT54SWT1G	1.0000	RFQ	1661	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	SC-70, SOT-323	BAT54	ШOTKIй			SC-70-3 (SOT323)	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0070	1		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												1 -й	30	200 май (DC)	800 мВ @ 100 мая	5 млн	2 мка 4 25	-55 ° C ~ 125 ° C.
KSB564ACYBU	0,0200	RFQ	92	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			800 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	1000																								25 В	1 а		100NA (ICBO)					Pnp	500 мВ @ 100ma, 1a	120 @ 100ma, 1v	110 мг
Fdn360p	-	RFQ	1062	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			SOT-23-3	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			П-канал	30	2а (тат)	4,5 В, 10.	80mohm @ 2a, 10v	3 В @ 250 мк	9 NC @ 10 V	± 20 В.	298 pf @ 15 v	-	500 мг (таблица)
ISL9N304AP3	0,6000	RFQ	10	Fairchild Semiconductor	Ultrafet®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			ДО-220AB	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал	30	75A (TC)	4,5 В, 10.	4,5mohm @ 75a, 10v	3 В @ 250 мк	105 NC @ 10 V	± 20 В.	4075 PF @ 15 V	-	145W (TA)
FCPF165N65S3R0L	1.3700	RFQ	11	Fairchild Semiconductor	Superfet® III	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	220-3-		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			TO-220F-3	СКАХАТА	Rohs		Продан	2156-FCPF165N65S3R0L	Ear99	8541.29.0095	1			N-канал	650	19a (TC)	10 В	165mohm @ 9.5a, 10v	4,5 В @ 410 мк	35 NC @ 10 V	± 30 v	1415 PF @ 400	-	35 Вт (TC)
FS8J	-	RFQ	4428	Fairchild Semiconductor	Автомобиль, AEC-Q101	МАССА	Актифен			Пефер	277, 3-Powerdfn		Станода			Дол 277-3	СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-FS8J-600039			1		Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io)													600		1.1 V @ 8 A	3,37 мкс	5 мк.	-55 ° C ~ 150 ° С.	8.	118pf @ 0v, 1 мгест
KSA709YTA	0,0600	RFQ	395	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА			800 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0095	2000																								150	700 млн		100NA (ICBO)					Pnp	400 мВ @ 20 май, 200 мая	120 @ 50ma, 2V	50 мг
TN5415A	0,0500	RFQ	1778	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1 Вт		226-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1456																								200	100 май		50 мк					Pnp	2,5 - @ 5ma, 50 мая	30 @ 50 мА, 10 В	-
FDS6162N3	1.7600	RFQ	33	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			8 ТАКОГО	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	2500			N-канал	20	21a (TA)	2,5 В, 4,5 В.	4,5mohm @ 21a, 4,5	1,5 В @ 250 мк	73 NC @ 4,5	± 12 В.	5521 PF @ 10 V	-	3W (TA)
FDU6612A	0,3400	RFQ	44	Fairchild Semiconductor	PowerTrench®	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Чereз dыru	251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			I-pak	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1800			N-канал	30	9,5A (TA), 30A (TC)	4,5 В, 10.	20mohm @ 9,5a, 10 ЕС	3 В @ 250 мк	9,4 NC @ 5 V	± 20 В.	660 pf @ 15 v	-	2,8 yt (ta), 36 yt (tc)
2N5550TF	0,0200	RFQ	29	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАННА			625 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2000																								140	600 май		100NA (ICBO)					Npn	250 мВ @ 5ma, 50 ма	60 @ 10ma, 5 В	300 мг
FDMS86569-F085	1.0000	RFQ	9977	Fairchild Semiconductor	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	МАССА	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	8-Powertdfn		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			8-PQFN (5x6)	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1			N-канал	60	65A (TC)	10 В	5,6mohm @ 65a, 10v	4 В @ 250 мк	54 NC @ 10 V	± 20 В.	2560 pf @ 30 v	-	100 yt (TJ)
BZX55C8V2	0,0500	RFQ	38	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 6%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м		DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	1000																	1,3 Е @ 100 Ма		100 na @ 6 v										8,2 В.	7 О
BC307	0,0500	RFQ	8	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		150 ° C (TJ)	Чereз dыru	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500 м		ДО 92-3	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.21.0075	2000																								45	100 май		15NA					Pnp	500 мВ @ 5ma, 100 мая	120 @ 2MA, 5V	130 мг
RFD14N05SM_NL	1.0000	RFQ	7809	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			252, (D-PAK)	СКАХАТА	Neprigodnnый	1 (neograniчennnый)	Продан		Ear99	8541.29.0095	1			N-канал	50	14a (TC)	10 В	100mohm @ 14a, 10 В	4 В @ 250 мк	40 NC @ 20 V	± 20 В.	570 pf @ 25 v	-	48 Вт (TC)
HUFA75309D3S	0,2400	RFQ	4	Fairchild Semiconductor	Ultrafet ™	Трубка	Управо		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			252, (D-PAK)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	1800			N-канал	55	19a (TC)	10 В	70mohm @ 19a, 10v	4 В @ 250 мк	24 NC @ 20 V	± 20 В.	350 pf @ 25 v	-	55W (TC)
1n962b	2.3000	RFQ	75	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AH, DO-35, OSEVOй			500 м		DO-35 (DO-204AH)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	131																			5 мка @ 8,4										11	9,5
SFR9210TM	-	RFQ	2073	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63		МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)			252-3 (DPAK)	СКАХАТА	Rohs3	1 (neograniчennnый)	DOSTISH		Ear99	8541.29.0095	2500			П-канал	200	1.6A (TC)	10 В	3OM @ 800MA, 10 В	4 В @ 250 мк	11 NC @ 10 V	± 30 v	285 PF @ 25 V	-	2,5 yt (ta), 19 st (tc)
FQS4900TF	0,5800	RFQ	36	Fairchild Semiconductor	QFET®	МАССА	Актифен		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Пефер	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)	FQS4900	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)	2W		8 лейт	СКАХАТА					Ear99	8542.39.0001	1	N и п-канал			60 В, 300 В.	1.3a, 300 май		550MOHM @ 650MA, 10 В	1,95 Е @ 20 мая	2.1NC @ 5V		-	-
FMG1G75US60L	39.0100	RFQ	52	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	ШASCI	7			310 Вт	Станода	7	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.29.0095	15	Одинокий																						-	600	75 а	2.8V @ 15V, 75A	250 мк	Не			7,056 NF @ 30 В
BZX85C3V9TR	0,0500	RFQ	18	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Управо	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	Чereз dыru	DO-204AL, DO-41, OSEVOй			1 Вт		DO-204AL (DO-41)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8541.10.0050	3000																	1,2 - @ 200 Ма		5 мка @ 1 В										3,9 В.	15 О
MMBD1405A	0,0700	RFQ	58	Fairchild Semiconductor	-	МАССА	Актифен			Пефер	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3		Станода			SOT-23-3	СКАХАТА					Ear99	8541.10.0070	4594		Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning												1 пар	175	200 май	1,1 - @ 200 Ма	50 млн	100 Na @ 175 V	150 ° C (MMAKS)