Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Терпимость | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Скороп | ТИП ФЕТ | Прирост | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Vgs (mmaks) | Взёр. | FET FUONKSHINA | Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | Коунфигурахия | На | Ток - Средниги ипра. | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | На | Иппедс (mmaks) (zzt) | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD | Rerзystor - baзa (r1) | Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BD242B | 0,2500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | Трубка | Управо | - | Чereз dыru | 220-3 | 2 Вт | ДО-220AB | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1213 | 80 | 3 а | 300 мк | Pnp | 1,2 Е @ 600 мА, 3A | 25 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75852G3 | - | ![]() | 1363 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | Ultrafet ™ | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Чereз dыru | 247-3 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 247 | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | N-канал | 150 | 75A (TC) | 10 В | 16mohm @ 75a, 10v | 4 В @ 250 мк | 480 NC @ 20 V | ± 20 В. | 7690 PF @ 25 V | - | 500 м (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFS9630YDTU | 0,2700 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | * | МАССА | Активна | SFS9630 | - | - | Neprigodnnый | 1 (neograniчennnый) | Продан | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjy4014r | 0,0200 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | Пефер | SC-89, SOT-490 | Fjy401 | 200 м | SOT-523F | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.21.0075 | 15 000 | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | Pnp - prervariotelno-cmepts | 300 мВ 500 мк, 10 | 68 @ 5ma, 5 В | 200 мг | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ATF | 0,0400 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА | 625 м | ДО 92-3 | СКАХАТА | Ear99 | 8541.21.0075 | 7 036 | 60 | 800 млн | 20NA (ICBO) | Pnp | 1,6 В @ 50 май, 500 маточков | 100 @ 150 май, 10 В | 200 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6690S | 0,7000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | PowerTrench®, Syncfet ™ | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | D2Pak (263) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 30 | 42A (TA) | 4,5 В, 10. | 15,5mohm @ 21a, 10 В | 3V @ 1MA | 15 NC @ 5 V | ± 20 В. | 1238 PF @ 15 V | - | 48 Вт (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP5554 | 1.0000 | ![]() | 2934 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3 | 70 Вт | 220-3 | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1000 | 400 | 4 а | 250 мк | Npn | 1,5 - @ 1a, 3,5a | 20 @ 800ma, 3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF27N25 | 1.2500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | QFET® | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | TO-3P-3 Full Pack | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | To-3pf | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | Продан | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 250 | 19a (TC) | 10 В | 110mohm @ 9.5a, 10v | 5 w @ 250 мк | 65 NC @ 10 V | ± 30 v | 2450 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX55C2V4 | 1.0000 | ![]() | 7733 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | ± 6% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Чereз dыru | DO-204AH, DO-35, OSEVOй | 500 м | DO-35 (DO-204AH) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1000 | 1,3 Е @ 100 Ма | 50 мк @ 1 В | 2,4 В. | 85 ОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5406 | 1.0000 | ![]() | 2232 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Активна | Чereз dыru | DO-204AC, DO-15, OSEVOй | 1n5406 | Станода | Do15/do204ac | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1250 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 600 | 1,2 V @ 3 a | 1,5 мкс | 200 NA @ 600 | -50 ° C ~ 175 ° C. | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQI9N50TU | 0,9800 | ![]() | 756 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | QFET® | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | I2pak (262) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 500 | 9А (TC) | 10 В | 730MOM @ 4,5A, 10 В | 5 w @ 250 мк | 36 NC @ 10 V | ± 30 v | 1450 PF @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8870-F085 | 0,9800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | D2Pak (263) | СКАХАТА | Neprigodnnый | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 30 | 23a (TA), 160a (TC) | 3,9MOM @ 35A, 10 В | 2,5 -50 мк | 132 NC @ 10 V | ± 20 В. | 5200 PF @ 15 V | - | 160 Вт (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS540A | 0,6600 | ![]() | 92 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | TO-220F-3 | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 100 | 17a (TC) | 10 В | 52mohm @ 8.5a, 10 В | 4 В @ 250 мк | 78 NC @ 10 V | - | 1710 PF @ 25 V | - | 39 Вт (ТС) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX70H | 0,0300 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Активна | - | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 м | SOT-23-3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 0000.00.0000 | 3000 | 45 | 200 май | 20NA | Npn | 550 мв 1,25 май, 50 маточков | 180 @ 2ma, 5 | 125 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA27 | 1.0000 | ![]() | 6594 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА | 625 м | TO-92 (DO 226) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2000 | 60 | 500 май | 500NA | Npn - дарлино | 1,5 -прри 100 мк, 100 май | 10000 @ 100ma, 5 В | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP100 | 0,4400 | ![]() | 759 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2 Вт | DO-220F | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 | 5 а | 50 мк | Npn - дарлино | 2.5V @ 80ma, 8a | 1000 @ 3A, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6630A | 0,2600 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | PowerTrench® | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8 лейт | СКАХАТА | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-канал | 30 | 6.5a (TA) | 4,5 В, 10. | 38mohm @ 6,5a, 10 В | 3 В @ 250 мк | 7 NC @ 5 V | ± 20 В. | 460 pf @ 15 v | - | 2,5 yt (tat) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6612A | 0,5000 | ![]() | 262 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | PowerTrench® | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Пефер | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 252, (D-PAK) | СКАХАТА | Ear99 | 8542.39.0001 | 598 | N-канал | 30 | 9,5A (TA), 30A (TC) | 4,5 В, 10. | 20mohm @ 9,5a, 10 ЕС | 3 В @ 250 мк | 9,4 NC @ 5 V | ± 20 В. | 660 pf @ 15 v | - | 2,8 yt (ta), 36 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5250B | - | ![]() | 5047 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Активна | ± 5% | - | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ52 | 300 м | SOT-23 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.10.0050 | 3000 | 900 мВ @ 10 мая | 100 Na @ 15 V | 20 | 25 ОМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB14N30TM | 1,6000 | ![]() | 602 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | QFET® | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | D2Pak (263) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 300 | 14.4a (TC) | 10 В | 290mohm @ 7.2a, 10 | 5 w @ 250 мк | 40 NC @ 10 V | ± 30 v | 1360 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA28N50F | - | ![]() | 2936 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | FRFET® | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | TO-3P-3, SC-65-3 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 12 с | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 500 | 28.4a (TC) | 10 В | 160mohm @ 14.2a, 10v | 5 w @ 250 мк | 140 NC @ 10 V | ± 30 v | 5600 pf @ 25 v | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76137P3 | 0,8400 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | Ultrafet® | МАССА | Активна | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | ДО-220AB | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-канал | 30 | 75A (TC) | 4,5 В, 10. | 9mohm @ 75a, 10v | 3 В @ 250 мк | 72 NC @ 10 V | ± 20 В. | 2100 pf @ 25 v | - | 145W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB5690 | 1,6000 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | PowerTrench® | МАССА | Управо | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | D2Pak (263) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 60 | 32A (TC) | 6 В, 10 В. | 27 мом @ 16a, 10 В | 4 В @ 250 мк | 33 NC @ 10 V | ± 20 В. | 1120 PF @ 25 V | - | 58 Вт (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA16N25C | - | ![]() | 5002 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | QFET® | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | TO-3P-3, SC-65-3 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 12 с | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 115 | N-канал | 250 | 17.8a (TC) | 10 В | 270mohm @ 8.9a, 10 В | 4 В @ 250 мк | 53,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 1080 pf @ 25 v | - | 180 Вт (ТС) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFA120UP60DNTU | 0,9600 | ![]() | 6449 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Активна | Чereз dыru | TO-3P-3, SC-65-3 | Станода | 12 с | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Продан | Ear99 | 8541.10.0080 | 91 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 1 пар | 600 | 120a | 2.2 V @ 60 A | 90 млн | 25 мк. | -65 ° С ~ 150 ° С. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSH10 | 0,0900 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 350 м | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5000 | - | 25 В | Npn | 60 @ 4ma, 10 В | 650 мг | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6670AS | 1.9100 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | PowerTrench® | МАССА | Управо | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Пефер | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | D2Pak (263) | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 30 | 62a (TA) | 4,5 В, 10. | 8,5mohm @ 31a, 10 В | 3V @ 1MA | 39 NC @ 15 V | ± 20 В. | 1570 PF @ 15 V | - | 62,5 yt (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5HP01M-TL-E | - | ![]() | 8837 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | 150 ° С | Пефер | SC-70, SOT-323 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 3-MCP | - | Rohs | Продан | 2156-5HP01M-TL-E-600039 | 1 | П-канал | 50 | 70 май (таблица) | 4 В, 10 В. | 22OM @ 40 мА, 10 В | 2,5 -пр. 100 мк | 1.32 NC @ 10 V | ± 20 В. | 6,2 PF @ 10 V | - | 150 м. (ТАК) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC3123YMTF | 0,0200 | ![]() | 5208 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 м | SOT-23-3 | СКАХАТА | Rohs3 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1446 | 20 дБ ~ 23 дБ | 20 | 50 май | Npn | 120 @ 5ma, 10 В | 1,4 -е | 3,8 деб ~ 5,5 дбри При. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6N25TM | 0,2800 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Fairchild Semiconductor | Unifet ™ | МАССА | Активна | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Пефер | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 252AA | СКАХАТА | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 086 | N-канал | 250 | 4.4a (TC) | 10 В | 1,1 ОМ @ 2,2a, 10 В | 5 w @ 250 мк | 6 NC @ 10 V | ± 30 v | 250 pf @ 25 v | - | 50 yt (tc) |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе