Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колиство | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Eccn | Htsus | Станодадж | Коунфигура | Скороп | ТИП ФЕТ | ТОК - МАКС | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Vgs (mmaks) | Взёр. | FET FUONKSHINA | Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | На | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Дип | Napraheneee - пик в | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | СОПРЕТИВЛЕЕЕЕ @ if, f | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPCA8028-H (TE12LQM | - | ![]() | 9696 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-mosiv-h | Веса | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8028 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 50a (TA) | 4,5 В, 10. | 2,8mohm @ 25a, 10v | 2.3V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ± 20 В. | 7800 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 45 yt (tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1244-Y (Q) | - | ![]() | 1152 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА | 2SA1244 | 1 Вт | PW-Mold | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 | 5 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 400 мВ @ 150 май, 3а | 120 @ 1a, 1v | 60 мг | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1930 (Q, M) | - | ![]() | 3597 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1930 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 180 | 2 а | 5 Мка (ICBO) | Pnp | 1V @ 100ma, 1a | 100 @ 100ma, 5 В | 200 мг | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5439 (F) | - | ![]() | 9123 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC5439 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 | 8 а | 100 мк (ICBO) | Npn | 1V @ 640ma, 3,2а | 14 @ 1a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2406-y (F) | - | ![]() | 9090 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SD2406 | 25 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 | 4 а | 30 мк (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 300 май, 3A | 120 @ 500 май, 5в | 8 мг | |||||||||||||||||||||||||||
2SK3309 (Q) | - | ![]() | 9535 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | До 220-3, коротка | 2SK3309 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | ДО-220fl | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 450 | 10А (таблица) | 10 В | 650MOHM @ 5A, 10V | 5V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 920 PF @ 10 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3309 (TE24L, Q) | - | ![]() | 7505 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 | 2SK3309 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | ДО-220SM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 450 | 10А (таблица) | 10 В | 650MOHM @ 5A, 10V | 5V @ 1MA | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 920 PF @ 10 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||
CMH04 (TE12L, Q, M) | 0,4500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-128 | CMH04 | Станода | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 200 | 980 мВ @ 1 a | 35 м | 10 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||
CMS16 (TE12L, Q, M) | 0,6600 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | Пефер | SOD-128 | CMS16 | ШOTKIй | M-Flat (2,4x3,8) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 40 | 550 мВ @ 3 a | 200 мка 40, | -40 ° С ~ 150 ° С. | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
CRG01 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 9551 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | Пефер | SOD-123F | CRG01 | Станода | S-Flat (1,6x3,5) | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 100 | 1.1 @ 700 мая | 10 мк -пки 100 | -40 ° С ~ 150 ° С. | 700 май | - | ||||||||||||||||||||||||||||
CRG02 (TE85L, Q, M) | - | ![]() | 1132 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | Пефер | SOD-123F | CRG02 | Станода | S-Flat (1,6x3,5) | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3000 | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) | 400 | 1.1 @ 700 мая | 10 мка 400 | -40 ° С ~ 150 ° С. | 700 май | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK12A60U (Q, M) | - | ![]() | 2935 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | Dtmosii | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | TK12A60 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | DO-220SIS | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 | 12a (TA) | 10 В | 400mohm @ 6a, 10v | 5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 720 pf @ 10 v | - | 35 Вт (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | TK20J60U (F) | - | ![]() | 2851 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | Dtmosii | Поднос | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | TO-3P-3, SC-65-3 | TK20J60 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | To-3p (n) | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 | 20А (тат) | 10 В | 190mohm @ 10a, 10v | 5V @ 1MA | 27 NC @ 10 V | ± 30 v | 1470 pf @ 10 v | - | 190 Вт (ТС) | ||||||||||||||||||||||
![]() | TK70D06J1 (Q) | - | ![]() | 8209 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Трубка | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3 | TK70 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | До-220 (w) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 60 | 70A (TA) | 4,5 В, 10. | 6,4mohm @ 35a, 10 В | 2.3V @ 1MA | 87 NC @ 10 V | ± 20 В. | 5450 PF @ 10 V | - | 45 Вт (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPC6107 (TE85L, F, M) | - | ![]() | 1647 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-Mosiv | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TPC6107 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | VS-6 (2,9x2,8) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3000 | П-канал | 20 | 4.5a (TA) | 2В, 4,5 В. | 55mohm @ 2,2a, 4,5 | 1,2 - @ 200 мк | 9,8 NC @ 5 V | ± 12 В. | 680 pf @ 10 v | - | 700 мт (таблица) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPC6901 (TE85L, F, M) | - | ![]() | 6955 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TPC6901 | 400 м | VS-6 (2,9x2,8) | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50 | 1А, 700 май | 100NA (ICBO) | NPN, Pnp | 170 мВ @ 6ma, 300 май / 230 мВ @ 10ma, 300ma | 400 @ 100ma, 2v / 200 @ 100ma, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8031-H (TE12LQM) | - | ![]() | 5858 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) | TPC8031 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop (5,5x6,0) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 11a (TA) | 13.3mohm @ 5.5a, 10v | 2,5 h @ 1ma | 21 NC @ 10 V | 2150 pf @ 10 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8110 (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 6368 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-MOSIII | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) | TPC8110 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop (5,5x6,0) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | П-канал | 40 | 8a (TA) | 4 В, 10 В. | 25mohm @ 4a, 10v | 2V @ 1MA | 48 NC @ 10 V | ± 20 В. | 2180 pf @ 10 v | - | 1 yt (tta) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPC8208 (TE12L, Q, M) | - | ![]() | 2448 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) | TPC8208 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 450 м | 8-Sop (5,5x6,0) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 n-канал (Дзонано) | 20 | 5A | 50mohm @ 2,5a, 4v | 1,2 - @ 200 мк | 9.5NC @ 5V | 780pf @ 10 a. | Logiчeskichй yrowenhe | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8003-H (TE12LQM | - | ![]() | 4120 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8003 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 35A (TA) | 4,5 В, 10. | 6,6mohm @ 18a, 10v | 2.3V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ± 20 В. | 1465 PF @ 10 V | - | 1,6 yt (ta), 45 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8010-H (TE12LQM | - | ![]() | 6650 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | π-MOSV | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8010 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 200 | 5.5a (TA) | 10 В | 450 МОМ @ 2,7A, 10 В | 4 В @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ± 20 В. | 600 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 45 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8011-H (TE12LQM | - | ![]() | 5101 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-mosiii-h | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8011 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 20 | 40a (TA) | 2,5 В, 4,5 В. | 3,5mohm @ 20a, 4,5 | 1,3 - @ 200 мк | 32 NC @ 5 V | ± 12 В. | 2900 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 45 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8023-H (TE12LQM | - | ![]() | 3367 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8023 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 21a (TA) | 4,5 В, 10. | 12.9mohm @ 11a, 10v | 2,5 h @ 1ma | 21 NC @ 10 V | ± 20 В. | 2150 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 30 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8031-H (TE12L, Q. | - | ![]() | 8993 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-MOSV-H | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8031 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 24а (тат) | 4,5 В, 10. | 11mohm @ 12a, 10 В | 2,5 h @ 1ma | 21 NC @ 10 V | ± 20 В. | 2150 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 30 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8105 (TE12L, Q, M | - | ![]() | 5105 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8105 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | П-канал | 12 | 6a (TA) | 1,8 В, 4,5 В. | 33MOHM @ 3A, 4,5 | 1,2 - @ 200 мк | 18 NC @ 5 V | ± 8 v | 1600 pf @ 10 v | - | 1,6 yt (ta), 20 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCA8A01-H (TE12L, Q. | - | ![]() | 3926 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-powervdfn | TPCA8A01 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 8-Sop Advance (5x5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 36A (TA) | 4,5 В, 10. | 5,6mohm @ 18a, 10 В | 2.3V @ 1MA | 35 NC @ 10 V | ± 20 В. | 1970 PF @ 10 V | - | 1,6 yt (ta), 45 yt (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCF8304 (TE85L, F, M. | - | ![]() | 5747 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-SMD, Плоскин С.С. | TPCF8304 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 330 м | VS-8 (2,9x1,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4000 | 2 P-KANOL (DVOйNOй) | 30 | 3.2a | 72mohm @ 1,6a, 10 В | 1,2 h @ 1ma | 14NC @ 10V | 600pf @ 10 a. | Logiчeskichй yrowenhe | |||||||||||||||||||||||||
![]() | TPCP8001-H (TE85LFM | - | ![]() | 4459 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-MOSIII | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-SMD, Плоскин С.С. | TPCP8001 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | PS-8 (2,9x2,4) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 | 7.2A (TA) | 4,5 В, 10. | 16mohm @ 3,6a, 10 В | 2.3V @ 1MA | 11 NC @ 10 V | ± 20 В. | 640 pf @ 10 v | - | 1 yt (ta), 30 st (tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TPCP8203 (TE85L, F) | - | ![]() | 5326 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 150 ° C (TJ) | Пефер | 8-SMD, Плоскин С.С. | TPCP8203 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 360 м | PS-8 (2,9x2,4) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 n-канал (Дзонано) | 40 | 4.7a | - | 2,5 h @ 1ma | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SS381, L3F | 0,0540 | ![]() | 6469 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | 125 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | 1SS381 | ЭСК | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0070 | 8000 | 100 май | 1,2pf @ 6V, 1 мгха | Пин -Код - Сионгл | 30 | 900mohm @ 2ma, 100 мгр. |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе