SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (J. -
RFQ
ECAD 4247 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2962 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 1а (TJ)
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J. -
RFQ
ECAD 1755 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2962 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 1а (TJ)
2SK2962,T6WNLF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (м -
RFQ
ECAD 5951 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2962 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 1а (TJ)
2SK2989(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6Cano, A, F. -
RFQ
ECAD 8088 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2989 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 5А (TJ)
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6Cano, F, M. -
RFQ
ECAD 9386 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2989 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 5А (TJ)
2SK2989,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, F (J. -
RFQ
ECAD 9148 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2989 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 5А (TJ)
2SK2989,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989, T6F (J. -
RFQ
ECAD 7347 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2989 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 5А (TJ)
2SK3670,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670, F (J. -
RFQ
ECAD 2775 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK3670 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 670 май (TJ)
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH05 (T6L, NKOD, Q) -
RFQ
ECAD 1913 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLH05 Станода L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980mw @ 5 a 35 м 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 5A -
CLH05,LMBJQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLH05, LMBJQ (o -
RFQ
ECAD 5120 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLH05 Станода L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980mw @ 5 a 35 м 10 мк. -40 ° С ~ 150 ° С. 5A -
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06 (TE16L, Q) -
RFQ
ECAD 9941 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLH06 Станода L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 35 м - 5A -
CLS02(T6L,CLAR,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (T6L, Clar, Q) -
RFQ
ECAD 2894 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLS02 ШOTKIй L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 1 май @ 40 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 420pf @ 10V, 1 мгха
CLS02(TE16L,SQC,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 (TE16L, SQC, Q) -
RFQ
ECAD 2120 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLS02 ШOTKIй L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 1 май @ 40 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 420pf @ 10V, 1 мгха
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, DNSO, Q. -
RFQ
ECAD 9888 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLS03 ШOTKIй L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 10 a 1 мая @ 60 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 345pf @ 10V, 1 мгновение
CLS03(TE16L,PCD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (TE16L, PCD, Q) -
RFQ
ECAD 5355 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLS03 ШOTKIй L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 10 a 1 мая @ 60 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 345pf @ 10V, 1 мгновение
2SC5886A,L1XHQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5886A, L1XHQ (o -
RFQ
ECAD 7632 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Актифен 2SC5886 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
RFQ
ECAD 4425 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен 2SA166 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4883A -
RFQ
ECAD 7097 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен 2SC4883 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2sc4883ats 0000.00.0000 50
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354, TOJSQ (o -
RFQ
ECAD 2914 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен 2SC5354 СКАХАТА ROHS COMPRINT Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 50
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA004B, Q. 0,4500
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 TTA004 10 st 126n СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 250 160 1,5 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 140 @ 100ma, 5 100 мг
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B, S4X (с -
RFQ
ECAD 8142 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен TTB1020 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50
TTC5460B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTC5460B, Q ​​(s -
RFQ
ECAD 9144 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен TTC5460 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 250
TTD1509B,Q(S Toshiba Semiconductor and Storage TTD1509B, Q (s -
RFQ
ECAD 2966 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Трубка Актифен TTD1509 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 250
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (F, M) -
RFQ
ECAD 4526 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O (TE6, F, M) -
RFQ
ECAD 3483 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SA1020-Y(T6FJT,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6FJT, AF -
RFQ
ECAD 7274 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6F (J. -
RFQ
ECAD 9446 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (м -
RFQ
ECAD 1707 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-Y, T6ASNF (J. -
RFQ
ECAD 7868 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1315 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 80 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 80 мг
2SA1425-Y,T2F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1425-Y, T2F (J. -
RFQ
ECAD 5109 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SA1425 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 1- @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе