- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1020-Y, T6F (J. | - |  | 9446 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SA1020-Y, T6KEHF (м | - | | 1707 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SA1315-Y, T6ASNF (J. | - | | 7868 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1315 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 80 мг | ||
 | 2SA1425-Y, T2F (J. | - | | 5109 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SA1425 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2SA1428-O, T2WNLF (J. | - | | 6056 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SA1428 | 900 м | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SA1429-Y (T2Omi, FM | - | | 3230 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SA1429 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 80 мг | ||
| 2SA1680 (F, M) | - | | 5165 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1680 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 120 @ 100ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SA1761, T6F (J. | - | | 8513 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1761 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 3 а | 100NA (ICBO) | Pnp | 500 мв 75 май, 1,5а | 120 @ 100ma, 2V | 100 мг | ||
 | 2SA1837, NSEIKIF (J. | - | | 1887 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1837 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 70 мг | ||
| 2SA1869-Y, Q (J. | - | | 3028 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1869 | 10 st | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 3 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 600 мВ 200 май, 2а | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SA1930, Q (J. | - | | 3454 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1930 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 | 2 а | 5 Мка (ICBO) | Pnp | 1V @ 100ma, 1a | 100 @ 100ma, 5 В | 200 мг | ||
| 2SA1931, NetQ (J. | - | | 8766 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1931 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 5 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 400 мВ 200 май, 2а | 100 @ 1a, 1v | 60 мг | ||
| 2SA1931, SINFQ (J. | - | | 1785 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1931 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 5 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 400 мВ 200 май, 2а | 100 @ 1a, 1v | 60 мг | ||
| 2SA949-O (TE6, F, M) | - | | 1856 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA949 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Pnp | 800 мВ @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SA949-Y (T6JVC1, FM | - | | 6789 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA949 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Pnp | 800 мВ @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SA949-Y, ONK-1F (J. | - | | 3985 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA949 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Pnp | 800 мВ @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SA965-Y, F (J. | - | | 3433 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA965 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2SA965-Y, SWFF (м | - | | 8844 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA965 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2SA965-Y, T6F (J. | - | | 5034 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA965 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2SB1375, Clarionf (м | - | | 5769 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SB1375 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 200 май, 2а | 100 @ 500 май, 5в | 9 мг | ||
| 2SB1495, Q (J. | - | | 9035 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SB1495 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Pnp | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||
| 2SC2229-O (MIT1F, M) | - | | 5931 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SC2229-O (SHP1, F, M. | - | | 9880 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SC2229-Y (SHP, F, M) | - | | 7291 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
| 2SC2229-Y (T6ONK1FM | - | | 8244 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2SC2229YT6ONK1FM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | |
| 2SC2235-O, F (J. | - | | 8839 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2sc2235-y (T6Canofm | - | | 1780 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2SC2235YT6CANOFM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | |
| 2SC2235-Y, T6F (J. | - | | 7291 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1- @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
| 2SC2655-Y (T6CN, A, F. | - | | 8602 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2655 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
| 2SC2655-Y (TE6, F, M) | - | | 1528 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2655 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)