SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
RN2703,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2703, LF 0,2900
RFQ
 ECAD 5173 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2703 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 22khh 22khh
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2704 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47komm 47komm
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707, LF 0,2900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2707 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 1502 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2708 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22khh 47komm
RN2710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2710, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2710 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 4,7 КОМ -
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907, LF (Ct 0,2700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2907 200 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Комов 47komm
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (Ct 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-61AA RN2910 200 м Smq СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 4,7 КОМ -
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LF (Ct 0,2400
RFQ
 ECAD 8519 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4989 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг, 200 мг 47komm 22khh
RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LF (Ct 0,2500
RFQ
 ECAD 2649 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4991 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг, 200 мг 10 Комов -
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1116, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 170 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1116 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2104 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47 Kohms 47 Kohms
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2105 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2.2 Ком 47 Kohms
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2106 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2109 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47 Kohms 22 Kohms
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 47 Kohms 10 Kohms
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2425 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 800 млн 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 1ma, 50 мая 90 @ 100ma, 1в 200 мг 10 Kohms
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-R, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 15 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 200 мВ @ 8ma, 400 мая 200 @ 100ma, 1v 120 мг
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0,1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 2SA2154 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6026MFV-Y, L3F 0,1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 2SC6026 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 2MA, 6V 60 мг
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, LF 0,5300
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky 2SC6100 500 м UFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 2,5 а 100NA (ICBO) Npn 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300 май, 2 В -
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K127TU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 3-SMD, Ploskie provodky SSM3K127 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 2а (тат) 1,8 В, 4 В 123mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 1,5 NC @ 4 V ± 12 В. 123 PF @ 15 V - 500 мг (таблица)
SSM6K405TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K405TU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6K405 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 2а (тат) 1,5 В, 4 В 126mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ± 10 В. 195 PF @ 10 V - 500 мг (таблица)
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU, LF 0,4500
RFQ
 ECAD 7409 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSIII Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6N24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 500 май (таблица) 145mohm @ 500ma, 4,5 1,1 - @ 100 мк - 245pf @ 10 a. -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 3853 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6P40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 1.4a (TA) 226mohm @ 1a, 10 В 2V @ 1MA 2.9NC @ 10V 120pf @ 15v ЛОГИСКИЯ ВАРОВОВА
SSM6P54TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P54TU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6P54 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 1.2a (TA) 228mohm @ 600ma, 2,5 1V @ 1MA 7,7NC @ 4V 331PF @ 10V Logiчeskichiй зastwor, privod 1,5 В
1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS372 (TE85L, F) 0,3700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 1SS372 ШOTKIй USM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 500 мВ @ 100 мая 20 мк -при 10в 125 ° C (MMAKS) 100 май 20pf @ 0v, 1 мгест
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385, LF (Ct 0,3500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 1SS385 ШOTKIй SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 500 мВ @ 100 мая 20 мк -при 10в 125 ° C (MMAKS) 100 май 20pf @ 0v, 1 мгест
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 (TE85L, F) 0,4000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 1SS422 ШOTKIй SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 30 100 май 500 мВ @ 100 мая 50 мк. 125 ° C (MMAKS)
HN2D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2D02FU, LF 0,4000
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 HN2D02 Станода US6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 neзaviymый 80 80 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 500 NA @ 80 V 125 ° C (MMAKS)
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU (TE85L, F) 0,0721
RFQ
 ECAD 5848 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 HN4D02 Станода USV СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 1,6 млн 500 NA @ 80 V 150 ° C (MMAKS)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть