SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Вернояж Eccn Htsus Станодар TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
2SA965-Y,SWFF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-Y, SWFF (м -
RFQ
ECAD 8844 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA965 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Pnp 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SB1375,CLARIONF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1375, Clarionf (м -
RFQ
ECAD 5769 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SB1375 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5 Е @ 200 май, 2а 100 @ 500 май, 5в 9 мг
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (J. -
RFQ
ECAD 9035 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SB1495 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
2SC2229-O(MIT1F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MIT1F, M) -
RFQ
ECAD 5931 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2229 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 70 @ 10ma, 5v 120 мг
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (SHP1, F, M. -
RFQ
ECAD 9880 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2229 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 70 @ 10ma, 5v 120 мг
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y, T6F (J. -
RFQ
ECAD 7291 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2235 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SC2655-Y(T6CN,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (T6CN, A, F. -
RFQ
ECAD 8602 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2655 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y (TE6, F, M) -
RFQ
ECAD 1528 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2655 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3225, T6ALPSF (м -
RFQ
ECAD 8797 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC3225 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 40 2 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 1ma, 300 мая 500 @ 400 май, 1в 220 мг
2SC3665-Y(T2NSW,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y (T2NSW, FM -
RFQ
ECAD 1068 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3665 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2NSF (J. -
RFQ
ECAD 3531 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3665 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc3665-y, t2ynsf (j -
RFQ
ECAD 2332 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3665 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1 В @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
2SC3669-Y,T2PASF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3669-Y, T2PASF (м -
RFQ
ECAD 5810 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3669 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 80 2 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
2SC4793(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 (LBSAN, F, M) -
RFQ
ECAD 3354 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, HFEF (J. -
RFQ
ECAD 2472 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, HFEF (м -
RFQ
ECAD 4903 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, NSEIKIF (J. -
RFQ
ECAD 8903 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J. -
RFQ
ECAD 4612 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4793 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 230 1 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y, Q (J. -
RFQ
ECAD 8469 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC4935 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 50 3 а 1 мка (ICBO) Npn 600 мВ 200 май, 2а 70 @ 500ma, 2V 80 мг
2SC5171(ONK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (ONK, Q, M) -
RFQ
ECAD 9307 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC5171 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 180 2 а 5 Мка (ICBO) Npn 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5 В 200 мг
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6MURAF (J. -
RFQ
ECAD 3172 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC5201 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 600 50 май 1 мка (ICBO) Npn 1 В @ 500 май, 20 мая 100 @ 20 май, 5в -
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459 (TOJS, Q, M) -
RFQ
ECAD 5031 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SC5459 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 400 3 а 100 мк (ICBO) Npn 1В @ 150 май, 1,2а 20 @ 300 май, 5в -
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6042, T2WNLQ (J. -
RFQ
ECAD 6294 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC6042 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 375 В. 1 а 100 мк (ICBO) Npn 1- @ 100 май, 800 мая 100 @ 100ma, 5 В -
2SD2257(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, A, Q) -
RFQ
ECAD 7754 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD2257 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Npn 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Q, M) -
RFQ
ECAD 9334 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD2257 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Npn 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257, Q (J. -
RFQ
ECAD 9453 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SD2257 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Npn 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, MDKQ (м -
RFQ
ECAD 6890 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 220-3- 2SJ438 ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 5А (TJ)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438, Q (J. -
RFQ
ECAD 2689 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 220-3- 2SJ438 ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 5А (TJ)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6F (J. -
RFQ
ECAD 4247 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2962 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 1а (TJ)
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J. -
RFQ
ECAD 1755 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SK2962 TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1 1а (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе