Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Вернояж | Eccn | Htsus | Станодар | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA965-Y, SWFF (м | - | ![]() | 8844 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA965 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
![]() | 2SB1375, Clarionf (м | - | ![]() | 5769 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SB1375 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 200 май, 2а | 100 @ 500 май, 5в | 9 мг | ||
![]() | 2SB1495, Q (J. | - | ![]() | 9035 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SB1495 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Pnp | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||
![]() | 2SC2229-O (MIT1F, M) | - | ![]() | 5931 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
![]() | 2SC2229-O (SHP1, F, M. | - | ![]() | 9880 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||
![]() | 2SC2235-Y, T6F (J. | - | ![]() | 7291 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||
![]() | 2SC2655-Y (T6CN, A, F. | - | ![]() | 8602 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2655 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
![]() | 2SC2655-Y (TE6, F, M) | - | ![]() | 1528 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2655 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||
![]() | 2SC3225, T6ALPSF (м | - | ![]() | 8797 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC3225 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 | 2 а | 10 мк (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1ma, 300 мая | 500 @ 400 май, 1в | 220 мг | ||
2SC3665-Y (T2NSW, FM | - | ![]() | 1068 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3665 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | |||
2SC3665-Y, T2NSF (J. | - | ![]() | 3531 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3665 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | |||
2sc3665-y, t2ynsf (j | - | ![]() | 2332 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3665 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | |||
2SC3669-Y, T2PASF (м | - | ![]() | 5810 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3669 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | |||
![]() | 2SC4793 (LBSAN, F, M) | - | ![]() | 3354 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4793 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 100 мг | ||
![]() | 2SC4793, HFEF (J. | - | ![]() | 2472 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4793 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 100 мг | ||
![]() | 2SC4793, HFEF (м | - | ![]() | 4903 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4793 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 100 мг | ||
![]() | 2SC4793, NSEIKIF (J. | - | ![]() | 8903 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4793 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 100 мг | ||
![]() | 2SC4793, YHF (J. | - | ![]() | 4612 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4793 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 100 мг | ||
![]() | 2SC4935-Y, Q (J. | - | ![]() | 8469 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC4935 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 3 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 600 мВ 200 май, 2а | 70 @ 500ma, 2V | 80 мг | ||
![]() | 2SC5171 (ONK, Q, M) | - | ![]() | 9307 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC5171 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 | 2 а | 5 Мка (ICBO) | Npn | 1V @ 100ma, 1a | 100 @ 100ma, 5 В | 200 мг | ||
![]() | 2SC5201, T6MURAF (J. | - | ![]() | 3172 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC5201 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 600 | 50 май | 1 мка (ICBO) | Npn | 1 В @ 500 май, 20 мая | 100 @ 20 май, 5в | - | ||
![]() | 2SC5459 (TOJS, Q, M) | - | ![]() | 5031 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SC5459 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 | 3 а | 100 мк (ICBO) | Npn | 1В @ 150 май, 1,2а | 20 @ 300 май, 5в | - | ||
2SC6042, T2WNLQ (J. | - | ![]() | 6294 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC6042 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 375 В. | 1 а | 100 мк (ICBO) | Npn | 1- @ 100 май, 800 мая | 100 @ 100ma, 5 В | - | |||
![]() | 2SD2257 (Cano, A, Q) | - | ![]() | 7754 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SD2257 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Npn | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||
![]() | 2SD2257 (Q, M) | - | ![]() | 9334 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SD2257 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Npn | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||
![]() | 2SD2257, Q (J. | - | ![]() | 9453 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SD2257 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Npn | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||
![]() | 2SJ438, MDKQ (м | - | ![]() | 6890 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 220-3- | 2SJ438 | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||
![]() | 2SJ438, Q (J. | - | ![]() | 2689 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 220-3- | 2SJ438 | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||
![]() | 2SK2962, T6F (J. | - | ![]() | 4247 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK2962 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 1а (TJ) | ||||||||||
![]() | 2SK2962, T6WNLF (J. | - | ![]() | 1755 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK2962 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 1а (TJ) |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе