SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Вернояж Eccn Htsus Станодар Скороп На На Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
RN1315,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 8527 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1315 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4984 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 47komm 47komm
RN1903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1903 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 22khh 22khh
RN4983,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4983 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг, 200 мг 22khh 22khh
RN4901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
 ECAD 6357 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4901 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 метров, 250 мгр. 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4904 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 47komm 47komm
RN1306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1306, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1306 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A, LQ (м -
RFQ
 ECAD 9033 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен Пефер SOD-128 Станода M-Flat (2,4x3,8) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 5 мк. 150 ° С 1A -
2SC5819(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5819 (TE12L, ZF) -
RFQ
 ECAD 4711 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт PW-Mini СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 20 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 120 мВ @ 10 MMA, 500 MMA 400 @ 150 май, 2 В -
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1911 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
RN2304,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2304 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47 Kohms 47 Kohms
RN1909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LXHF (Ct 0,3500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1909 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 47komm 22khh
RN2908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2908 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22khh 47komm
RN2316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2316 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 2595 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2307 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 10 Kohms 47 Kohms
RN2308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2308, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2308 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22 Kohms 47 Kohms
RN1908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1908 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
RN4902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4902 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 метров, 250 мгр. 10 Комов 10 Комов
RN1410,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1410, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 9455 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1410 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4.7 Kohms
RN2406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2905FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2905FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2905 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 2,2KOM 47komm
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4989 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг, 200 мг 47komm 22khh
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-R, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 454 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3XHF (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2106 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LXHF (Ct 0,0624
RFQ
 ECAD 9067 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2113 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 47 Kohms
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV, L3XHF (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1106 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 80 @ 1MA, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
HN1C01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-Y, LXHF 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 HN1C01 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 2MA, 6V 80 мг
2SA1162-O,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-O, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 70 @ 2ma, 6V 80 мг
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115, LXHF (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2115 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LXHF 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1B04 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) NPN, Pnp 250 мВ @ 10ma, 100ma / 300MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть