SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR, LXHF 0,4500
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1A01 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
RN4902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF -
RFQ
 ECAD 2510 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4902 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Комов 10 Комов
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 3125 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC5085 100 м SC-70 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 11db ~ 16,5db 12 80 май Npn 120 @ 20 май, 10 В 7 гер 1,1db @ 1ggц
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV, L3F 0,2000
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 1SS362 Станода Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 80 100 май 1,2 Е @ 100 мая 4 млн 500 NA @ 80 V 150 ° C (MMAKS)
RN2103(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2103 (T5L, F, T) 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2103 100 м SSM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 22 Kohms 22 Kohms
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4609 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN4609 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
2SA1020-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, T6KEHF (м -
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SA1020 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
SSM6N58NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N58NU, LF 0,4600
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o SSM6N58 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1 Вт 6-udfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 4 а 84mohm @ 2a, 4,5 1V @ 1MA 1,8NC @ 4,5 129pf @ 15v Logiчeskiй yrowennah hurowne, privod 1,8 В
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B (TE85L, F) 0,1485
RFQ
 ECAD 6796 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 HN1C03 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 20 300 май 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 100 мВ @ 3ma, 30 ма 350 @ 4MA, 2V 30 мг
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2116, LF (Ct 0,2000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2116 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5591 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN1968 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
TRS12E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C, S1Q -
RFQ
 ECAD 6681 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Управо Чereз dыru ДО-220-2 TRS12E65 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,7 - @ 12 a 0 м 90 мк -пр. 170 175 ° C (MMAKS) 12A 65pf @ 650V, 1 мгновение
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2113act (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 RN2113 100 м CST3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 120 @ 1MA, 5V 47 Kohms
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1401, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1401 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2908 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22khh 47komm
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 6910 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1101 100 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 30 @ 10ma, 5 В 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN1971 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TPE6, F) -
RFQ
 ECAD 4015 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2705 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 1V @ 1MA, 10MA 80 @ 10ma, 5в 200 мг
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403E, L3F 0,3200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 1SS403 Станода ЭСК СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 200 1,2 Е @ 100 мая 60 млн 1 мка, 200 150 ° C (MMAKS) 100 май 3pf @ 0v, 1 мгц
RN4991(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4991 (T5L, F, T) 0,0394
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4991 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100 мк (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг, 200 мг 10 Комов -
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5, S1VQ 52000
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 TK16J60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3p (n) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 15.8a (TA) 10 В 230MOM @ 7,9A, 10 В 4,5 Е @ 790 мк 43 NC @ 10 V ± 30 v 1350 pf @ 300 - 130 Вт (TC)
CCS15S30,L3IDTF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3IDTF -
RFQ
 ECAD 4741 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA CCS15 ШOTKIй CST2C СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 400 мВ @ 1 a 500 мк. 125 ° C (MMAKS) 1,5а 200pf @ 0v, 1 мгест
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3J325 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 2а (тат) 1,5 В, 4,5 В. 150mohm @ 1a, 4,5 - 4,6 NC @ 4,5 ± 8 v 270 pf @ 10 v - 600 мг (таблица)
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H, S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L - Rohs3 1 (neograniчennnый) 264 TRS8E65H, S1Q Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,35 - @ 8 a 0 м 90 мк -пр. 650 175 ° С 8. 520pf @ 1V, 1 мгест
CLS03(T6L,SHINA,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 (T6L, Shina, Q) -
RFQ
 ECAD 4372 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо Пефер L-Flat ™ CLS03 ШOTKIй L-Flat ™ (4x5,5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 10 a 1 мая @ 60 -40 ° C ~ 125 ° C. 10 часов 345pf @ 10V, 1 мгновение
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn4902fe (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 4313 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN4902 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Комов 10 Комов
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317 (TE85L, F) 0,2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1317 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
SSM3J144TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J144TU, LXHF 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 3-SMD, Ploskie provodky МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 3.2a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 93mohm @ 1,5a, 4,5 1V @ 1MA 4,7 NC @ 4,5 +6, -8 В. 290 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1495, Q (J. -
RFQ
 ECAD 9035 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SB1495 2 Вт ДО-220NIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 100 3 а 10 мк (ICBO) Pnp 1,5- прри 1,5 май, 1,5а 2000 @ 2a, 2v -
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 5969 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2971 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 10 Комов -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть