SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 (TE85L, F) 0,4500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN1503 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 22khh 22khh
RN1510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1510 (TE85L, F) 0,4500
RFQ
 ECAD 142 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN1510 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FU-Y (TE85L, ф 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Веса Актифен 125 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 HN2A01 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1704JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 116 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN1704 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 47komm 47komm
RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn2709je (te85l, f) 0,4700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN2709 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervaritelnos -stmeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithtternoe odyneneneee) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74A, SOT-753 RN2510 300 м SMV СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervaritelnos -stmeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithtternoe odyneneneee) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 4,7 КОМ -
RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1601 (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 6159 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN1601 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1604 (TE85L, F) 0,0618
RFQ
 ECAD 1849 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN1604 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 47komm 47komm
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LF (Ct 0,2700
RFQ
 ECAD 8287 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1910 100 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965 (TE85L, F) 0,0865
RFQ
 ECAD 3211 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1965 200 м US6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2901FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2901 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2908FE (TE85L, F) 0,3500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2908 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 22khh 47komm
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE (TE85L, F) 0,3400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2909 100 м ES6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2969FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 9454 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 RN2969 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4601 (TE85L, F) 0,4800
RFQ
 ECAD 548 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 RN4601 300 м SM6 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2562 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1103 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 100 @ 10ma, 5 В 22 Kohms 22 Kohms
RN1105CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1105CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8471 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1105 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 120 @ 10ma, 5 В 2.2 Ком 47 Kohms
RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8001 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1109 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 100 @ 10ma, 5 В 47 Kohms 22 Kohms
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2591 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1110 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 300 @ 1MA, 5V 4.7 Kohms
RN1104ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1104ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2761 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN1104 100 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 80 @ 10ma, 5в 47 Kohms 47 Kohms
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT (TPL3) 0,3400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 RN1107 100 м CST3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 250 мка, 5 80 @ 10ma, 5в 10 Kohms 47 Kohms
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR, LF 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1A01 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
HN2A01FE-GR(TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR (TE85LF -
RFQ
 ECAD 8778 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN2A01 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 800 мг
RN2104CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2104CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 9555 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN2104 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 120 @ 10ma, 5 В 47 Kohms 47 Kohms
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 4145 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-101, SOT-883 RN2108 50 м CST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 20 50 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 120 @ 10ma, 5 В 22 Kohms 47 Kohms
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2108act (TPL3) -
RFQ
 ECAD 4994 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 RN2108 100 м CST3 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 80 @ 10ma, 5в 22 Kohms 47 Kohms
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2112ACT (TPL3) 0,0527
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 RN2112 100 м CST3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 250 мка, 5 120 @ 1MA, 5V 22 Kohms
HN1B04FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-GR, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1B04 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) NPN, Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 200 @ 2MA, 6V 80 мг
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O, LF -
RFQ
 ECAD 4240 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 2SC5086 100 м SSM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 - 12 80 май Npn 80 @ 20 май, 10 В 7 гер 1db @ 500 -hgц
2SC5085-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-O (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 7025 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC5085 100 м SC-70 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 - 12 80 май Npn 80 @ 20 май, 10 В 7 гер 1db @ 500 -hgц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть