SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) КОГИГИОН ЭМКОСТИ СОСТОЧНАЯ ВОЗДЕЛИТЬСЯ Q @ VR, f
SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU, LF 0,5000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 3-SMD, Ploskie provodky SSM3K131 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 6a (TA) 4,5 В, 10. 27,6mohm @ 4a, 10 В 2,5 h @ 1ma 10.1 NC @ 10 V ± 20 В. 450 pf @ 15 v - 500 мг (таблица)
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K48FU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSIII Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер SC-70, SOT-323 SSM3K48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) USM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 100 май (таблица) 2,5 В, 4 В. 3,2 ОМа @ 10MA, 4V 1,5 -пр. 100 мк ± 20 В. 15.1 pf @ 3 v - 150 м. (ТАК)
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H16TU, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSIII Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD (5 проводока), Плоскин С.С. SSM5H16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 1.9A (TA) 1,8 В, 4 В 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12 В. 123 PF @ 15 V Диджотки (Иолировананн) 500 мг (таблица)
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM5H90ATU, LF 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 5-SMD, Ploskie prowovodky SSM5H90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 2.4a (TA) 2,5 В, 4 В. 65mohm @ 1,5a, 4V 1,2 h @ 1ma 2.2 NC @ 4 V ± 10 В. 200 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
SSM6K208FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K208FE, LF 0,5200
RFQ
 ECAD 2897 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер SOT-563, SOT-666 SSM6K208 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 N-канал 30 1.9A (TA) 1,8 В, 4 В 133mohm @ 1a, 4v 1V @ 1MA 1.9 NC @ 4 V ± 12 В. 123 PF @ 15 V - 500 мг (таблица)
SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N40TU, LF 0,4800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6N40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) UF6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 1.6A (TA) 122mohm @ 1a, 10 В 2,6 В @ 1MA 5,1nc @ 10 a. 180pf @ 15v ЛОГИСКИЯ ВАРОВОВА
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321, LF 0,3200
RFQ
 ECAD 41 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 1SS321 ШOTKIй S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 1 V @ 50 май 500 NA @ 10 V 125 ° C (MMAKS) 50 май 3,2pf @ 0v, 1 мгха
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV, L3F 0,2400
RFQ
 ECAD 157 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 1SS385 ШOTKIй Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 8000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 10 500 мВ @ 100 мая 20 мк -при 10в 125 ° C (MMAKS) 100 май 20pf @ 0v, 1 мгест
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406, H3F 0,2000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 1SS406 ШOTKIй USC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 20 550 м. 500 NA @ 20 V 125 ° C (MMAKS) 50 май 3,9PF @ 0V, 1 мгест
HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02FU (TE85L, F) 0,4900
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 HN2S02 ШOTKIй US6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 neзaviymый 40 100 май 600 мВ @ 100 мая 5 мка 40, 125 ° C (MMAKS)
RN1707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1707, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1707 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 10 Комов 47komm
RN1709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1709, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1709 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг 47komm 22khh
RN1710,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1710, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1710 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 1202 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LF (Ct 0,2800
RFQ
 ECAD 8828 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1911 100 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909, LF (Ct 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2909 200 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
RN4908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LF (Ct 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4908 200 м US6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 22khh 47komm
RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LF (Ct 0,2400
RFQ
 ECAD 259 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4985 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 2,2KOM 47komm
RN4988FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE, LF (Ct 0,2500
RFQ
 ECAD 8319 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4988 100 м ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 22khh 47komm
RN1104MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1104 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 80 @ 10ma, 5в 47 Kohms 47 Kohms
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 7792 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
RN1418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 184 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
RN2103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103, LF (Ct 0,2100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2103 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 22 Kohms 22 Kohms
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2113, LF (Ct 0,2100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN2113 100 м SSM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 47 Kohms
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2303, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2303 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 22 Kohms 22 Kohms
RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2406, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2406 200 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFV-Y, L3F 0,1900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 2SA2154 150 м Вер СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
2SA2195,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2195, LF 0,5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky 2SA2195 500 м UFM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 1,7 а 100NA (ICBO) Pnp 200 мВ @ 33MA, 1A 200 @ 300 май, 2 В -
2SC4117-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-R, LF 0,2300
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4117 100 м SC-70 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 120 100 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100 мг
1SV305,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV305, H3F -
RFQ
 ECAD 5855 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 1SV305 ЭСК СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4000 6,6pf @ 4V, 1 мгха Одинокий 10 3 C1/C4 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть