SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
SSM3J145TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J145TU, LXHF 0,3700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 3-SMD, Ploskie provodky МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 3a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 103mohm @ 1a, 4,5 1V @ 1MA 4,6 NC @ 4,5 +6, -8 В. 270 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
SSM3K62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K62TU, LXHF 0,4000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 3-SMD, Плоскин Свине МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UFM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 800 май (таблица) 1,2 В, 4,5 В. 57mohm @ 800ma, 4,5 1V @ 1MA 2 NC @ 4,5 ± 8 v 177 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
SSM3J168F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J168F, LXHF 0,4300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 60 400 май (таблица) 4 В, 10 В. 155,55 @ 200 мА, 10 В 2V @ 1MA 3 NC @ 10 V +10, -20v 82 pf @ 10 v - 600 мг (таблица)
CMF01A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF01A, LQ (M. -
RFQ
ECAD 5318 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен Пефер SOD-128 Станода M-Flat (2,4x3,8) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 2 A 100 млн 50 мк. 150 ° С 2A -
2SA2060(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060 (TE12L, ZF) -
RFQ
ECAD 9451 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт PW-Mini СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 200 мВ @ 33MA, 1A 200 @ 300 май, 2 В -
2SC5714(TE12L,ZF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5714 (TE12L, ZF) -
RFQ
ECAD 5601 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт PW-Mini СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 20 4 а 100NA (ICBO) Npn 150 мВ @ 32MA, 1.6A 400 @ 500 май, 2в -
CMG03A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG03A, LQ (м -
RFQ
ECAD 7420 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен Пефер SOD-128 Станода M-Flat (2,4x3,8) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 2 A 5 мк. 150 ° С 2A -
CRG04A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CRG04A, LQ (м -
RFQ
ECAD 4458 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Коробка Актифен Пефер SOD-123F Станода S-Flat (1,6x3,5) СКАХАТА Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 5 мк. 150 ° С 1A -
TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9003NL1, LQ 1.5900
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Advance 8-Sop (5x5,75) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 150a (TC) 4,5 В, 10. 0,9 м 2.3V @ 1MA 74 NC @ 10 V ± 20 В. 6900 pf @ 15 v - 800 мт (TA), 170 st (TC)
TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK6R9P08QM, RQ 1.1400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSX-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 80 62a (TC) 6 В, 10 В. 6,9mohm @ 31a, 10v 3,5 В @ 500 мк 39 NC @ 10 V ± 20 В. 2700 pf @ 40 v - 89 Вт (ТС)
TK5R1A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1A08QM, S4X 1.5900
RFQ
ECAD 66 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSX-H Трубка Актифен 175 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 70A (TC) 6 В, 10 В. 5,1mohm @ 35a, 10v 3,5 В @ 700 мк 54 NC @ 10 V ± 20 В. 3980 pf @ 40 v - 45 Вт (TC)
TK2R4A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK2R4A08QM, S4X 2.8700
RFQ
ECAD 46 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSX-H Трубка Актифен 175 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 100a (TC) 6 В, 10 В. 2,44mohm @ 50a, 10 3,5 В @ 2,2 мая 179 NC @ 10 V ± 20 В. 13000 pf @ 40 v - 47W (TC)
RN4989,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4989 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг, 200 мг 47komm 22khh
RN1310,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1310, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1310 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4.7 Kohms
RN4908,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4908 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 22khh 47komm
RN4911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4911, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4911 100 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 метров, 250 мгр. 10 Комов -
RN2909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2909, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2909 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47komm 22khh
RN2309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2309 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 мг 47 Kohms 22 Kohms
RN4903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4903, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4903 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 200 метров, 250 мгр. 22khh 22khh
RN2901,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2901, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2901 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 4,7 КОМ 4,7 КОМ
RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4988 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 22khh 47komm
RN1308,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1308, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1308 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
RN1910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1910 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 4,7 КОМ -
RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4910 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 метров, 250 мгр. 4,7 КОМ -
RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2306, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2306 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
RN2904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN2904 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 мг 47komm 47komm
RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 1969 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4902 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 метров, 250 мгр. 10 Комов 10 Комов
RN1905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905, LXHF (Ct 0,3600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN1905 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2,2KOM 47komm
RN1316,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1316, LXHF 0,3900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN1316 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
RN4905,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905, LXHF (Ct 0,4400
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4905 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 2,2KOM 47komm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе