Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Коунфигура | Скороп | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Взёр. | FET FUONKSHINA | На | На | ВОЗНАЯ ВОЗНА | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSM6N37FU, LF | 0,3800 | ![]() | 391 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 150 ° С | Пефер | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | SSM6N37 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 300 м | US6 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 n-канал (Дзонано) | 20 | 250 май (таблица) | 2,2 ОМА @ 100MA, 4,5 | 1V @ 1MA | - | 12pf @ 10 a. | Logiчeskichiй зastwor, privod 1,5 В | |||||||||||||||||
2SC6040, T2Q (J. | - | ![]() | 6156 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC6040 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 В | 1 а | 100 мк (ICBO) | Npn | 1- @ 100 май, 800 мая | 60 @ 100ma, 5 В | - | |||||||||||||||||||||
2SC6042, T2HOSH1Q (J. | - | ![]() | 5485 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC6042 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 375 В. | 1 а | 100 мк (ICBO) | Npn | 1- @ 100 май, 800 мая | 100 @ 100ma, 5 В | - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2257, KEHINQ (J. | - | ![]() | 4854 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SD2257 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 | 3 а | 10 мк (ICBO) | Npn | 1,5- прри 1,5 май, 1,5а | 2000 @ 2a, 2v | - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ438 (Aisin, Q, m) | - | ![]() | 2864 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 220-3- | 2SJ438 | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ438 (Cano, Q, M) | - | ![]() | 8364 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 220-3- | 2SJ438 | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ438, MDKQ (J. | - | ![]() | 1464 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 220-3- | 2SJ438 | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2962 (TE6, F, M) | - | ![]() | 1303 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK2962 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 1а (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2962, F (J. | - | ![]() | 4731 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK2962 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 1а (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2989 (TPE6, F, M) | - | ![]() | 8590 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK2989 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 5А (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3670 (F, M) | - | ![]() | 3769 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SK3670 | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 670 май (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLH01 (TE16R, Q) | - | ![]() | 4207 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH01 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 200 | 980mw @ 3 a | 35 м | 10 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 3A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CLH03 (TE16L, Q) | - | ![]() | 2672 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH03 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 400 | 35 м | - | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CLH03 (TE16R, Q) | - | ![]() | 2444 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH03 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 400 | 35 м | - | 3A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CLH05 (TE16R, Q) | - | ![]() | 3564 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH05 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 200 | 980mw @ 5 a | 35 м | 10 мк. | -40 ° С ~ 150 ° С. | 5A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CLH06 (TE16R, Q) | - | ![]() | 7267 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH06 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 300 | 35 м | - | 5A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | CLH07 (TE16L, NMB, Q) | - | ![]() | 5501 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLH07 | Станода | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 400 | 1,8 В @ 5 a | 35 м | 10 мка 400 | -40 ° С ~ 150 ° С. | 5A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | CLS01 (T6LSONY, Q) | - | ![]() | 6695 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS01 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 470 мВ @ 10 a | 1 мая @ 30 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 530pf @ 10V, 1 мгха | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS01, LFJFQ (o | - | ![]() | 1100 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS01 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 30 | 470 мВ @ 10 a | 1 мая @ 30 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 530pf @ 10V, 1 мгха | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS02 (T6L, Cano-O, Q. | - | ![]() | 4848 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS02 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 40 | 550 м. @ 10 a | 1 май @ 40 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 420pf @ 10V, 1 мгха | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS03 (T6L, Cano-O, Q. | - | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS03 (TE16L, PSD, Q) | - | ![]() | 6614 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS03 (TE16L, SQC, Q) | - | ![]() | 9458 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS03 (TE16R, Q) | - | ![]() | 7771 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||
![]() | CLS03, Lnittoq (o | - | ![]() | 6921 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1258 | - | ![]() | 2065 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | 2SB1258 | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | 2SB1258TS | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TTB1067B, Q (s | - | ![]() | 8529 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | TTB1067 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TTC011B, Q (s | - | ![]() | 1962 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | TTC011 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y (6MBH1, AF | - | ![]() | 3365 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-y (Hit, F, M) | - | ![]() | 3530 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе