- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Синла - МАКС | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | Скороп | ТИП ФЕТ | Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | Vgs (mmaks) | Взёр. | FET FUONKSHINA | Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | На | На | Ток - Обратна тебе | Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | Ток - Среднигиисправейни (io) | Emcostath @ vr, f | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | Vce saturation (max) @ ib, ic | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD | Rerзystor - baзa (r1) | Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CLS03 (TE16R, Q) | - |  | 7771 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||||||
| CLS03, Lnittoq (o | - | | 6921 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | Пефер | L-Flat ™ | CLS03 | ШOTKIй | L-Flat ™ (4x5,5) | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) | 60 | 580 мВ @ 10 a | 1 мая @ 60 | -40 ° C ~ 125 ° C. | 10 часов | 345pf @ 10V, 1 мгновение | |||||||||||||||||||||||||
| 2SB1258 | - | | 2065 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | 2SB1258 | - | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | 2SB1258TS | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTB1067B, Q (s | - | | 8529 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | TTB1067 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TTC011B, Q (s | - | | 1962 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | * | Трубка | Актифен | TTC011 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1020-Y (6MBH1, AF | - | | 3365 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-y (Hit, F, M) | - | | 3530 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-Y, F (J. | - | | 8744 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1020 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1428-Y (T2TR, A, F. | - | | 4372 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SA1428 | 900 м | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1428-Y, T2F (м | - | | 5045 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SA1428 | 900 м | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1680 (T6DNSO, F, M. | - | | 5165 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA1680 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 500 мВ @ 50ma, 1a | 120 @ 100ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1837, HFEMBJF (J. | - | | 3388 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1837 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 70 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1837, HFEYHF (J. | - | | 6394 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1837 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 70 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1837, HFEYHF (м | - | | 6958 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1837 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 100 @ 100ma, 5 В | 70 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA1931, Q (J. | - | | 8362 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 220-3- | 2SA1931 | 2 Вт | ДО-220NIS | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 5 а | 1 мка (ICBO) | Pnp | 400 мВ 200 май, 2а | 100 @ 1a, 1v | 60 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA949-Y (TE6, F, M) | - | | 6398 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA949 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Pnp | 800 мВ @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA949-Y, ONK-1F (м | - | | 6594 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA949 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Pnp | 800 мВ @ 1ma, 10a | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SA965-Y (T6Cano, FM | - | | 3779 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SA965 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Pnp | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SB1457 (TE6, F, M) | - | | 8231 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SB1457 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 | 2 а | 10 мк (ICBO) | Pnp | 1,5 - @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 2v | 50 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC2229-O (T6SAN2FM | - | | 1326 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2229 | 800 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | 2SC2229OT6SAN2FM | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 | 50 май | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 1MA, 10MA | 70 @ 10ma, 5v | 120 мг | |||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-O (T6FJT, FM | - | | 6710 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y, USNHF (м | - | | 6441 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2235 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 | 800 млн | 100NA (ICBO) | Npn | 1 В @ 50 май, 500 маточков | 80 @ 100ma, 5 | 120 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC2383-Y, T6KEHF (м | - | | 1154 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC2383 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 | 1 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 1,5 Е @ 50 MMA, 500 MMA | 60 @ 200 май, 5 В | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2sc3668-y, f2panf (j | - | | 1899 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3668 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC3669-Y (T2OMI, FM | - | | 8935 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | SC-71 | 2SC3669 | 1 Вт | MSTM | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 | 2 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC4604, F (J. | - | | 8562 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC4604 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 | 3 а | 100NA (ICBO) | Npn | 500 мв 75 май, 1,5а | 120 @ 100ma, 2V | 100 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC4682, T6CSF (J. | - | | 7435 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC4682 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 | 3 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 30ma, 3a | 800 @ 500 май, 1в | 150 мг | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC4682, T6F (J. | - | | 4429 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | МАССА | Управо | 150 ° C (TJ) | Чereз dыru | 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА | 2SC4682 | 900 м | TO-92MOD | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 15 | 3 а | 1 мка (ICBO) | Npn | 500 мВ @ 30ma, 3a | 800 @ 500 май, 1в | 150 мг | ||||||||||||||||||||||||
 | SSM6K514NU, LF | 0,4700 | | 47 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | U-Mosix-H | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 150 ° С | Пефер | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | SSM6K514 | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) | 6-udfnb (2x2) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 40 | 12a (TA) | 4,5 В, 10. | 11,6MOM @ 4A, 10 В | 2,4 - @ 100 мк | 7,5 NC @ 4,5 | ± 20 В. | 1110 pf @ 20 v | - | 2,5 yt (tat) | |||||||||||||||||||
 | RN1115MFV, L3F | 0,0261 | | 9911 | 0,00000000 | Toshiba semiconductor и хraneneee | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | Пефер | SOT-723 | RN1115 | 150 м | Вер | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8541.21.0075 | 8000 | 50 | 100 май | 500NA | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen | 300 м. | 50 @ 10ma, 5 В | 250 мг | 2.2 Ком | 10 Kohms |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)