SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2101 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn1707je (te85l, f) 0,4000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN1707 100 м Эs СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-RN1707JE (TE85LF) Tr Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 10 Комов 47komm
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2132 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 120 @ 1MA, 5V 200 Ком
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1118 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1103 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 70 @ 10ma, 5v 22 Kohms 22 Kohms
RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1101 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 30 @ 10ma, 5 В 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TPH4R803PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R803PL, LQ 0,7800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-Mosix-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8-powervdfn TPH4R803 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop Advance (5x5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 48a (TC) 4,5 В, 10. 4,8 мома @ 24а, 10 В 2.1V @ 200 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 1975 PF @ 15 V - 830 мг (TA), 69W (TC)
TPN19008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN19008QM, LQ 0,6800
RFQ
 ECAD 3445 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSX-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8-powervdfn TPN19008 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Аванс 8-ценя (3,1x3,1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 80 34a (TC) 6 В, 10 В. 19mohm @ 17a, 10v 3,5 @ 200 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 40 v - 630 мт (TA), 57W (TC)
SSM3J371R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J371R, LXHF 0,4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 4a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 55mohm @ 3a, 4,5 1V @ 1MA 10,4 NC @ 4,5 +6, -8 В. 630 pf @ 10 v - 1 yt (tta)
TRS10A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10A65F, S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 4279 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 TRS10A65 Sic (kremniewый karbid) TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,6 В @ 10 a 0 м 50 мк. 175 ° C (MMAKS) 10 часов 36pf @ 650V, 1 мгха
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F, S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 TRS2E65 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,6 - @ 2 a 0 м 20 мк. 175 ° C (MMAKS) 2A 8,7pf @ 650V, 1 мгновение
TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F, S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 174 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 TRS4E65 Sic (kremniewый karbid) ДО-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 Верниони -весановейн> 500 май (io) 650 1,6 - @ 4 a 0 м 20 мк. 175 ° C (MMAKS) 4 а 16pf @ 650V, 1 мгха
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40, L3F 0,4800
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) CLS10F40 ШOTKIй CL2E - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 570 мВ @ 1 a 25 мка 40, 150 ° С 1A 130pf @ 0V, 1 мгест
XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH3R114MC, L1XHQ 2.2500
RFQ
 ECAD 2968 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8-powervdfn XPH3R114 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop Advance (5x5) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 40 100a (TA) 4,5 В, 10. 3,1mohm @ 50a, 10 В 2.1V @ 1MA 230 NC @ 10 V +10, -20v 9500 pf @ 10 v - 960 мт (TA), 170 st (TC)
TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB, LXGQ 2.6900
RFQ
 ECAD 2158 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-Mosix-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB TK1R5R04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak+ СКАХАТА 3 (168 чASOW) Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 160A (TA) 6 В, 10 В. 1,5mohm @ 80a, 10 В 3 В @ 500 мк 103 NC @ 10 V ± 20 В. 5500 PF @ 10 V - 205W (TC)
XPN6R706NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN6R706NC, L1XHQ 1.4200
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8-powervdfn XPN6R706 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tson Advance-wf (3,1x3,1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 40a (TA) 4,5 В, 10. 6,7mohm @ 20a, 10 В 2,5 В 300 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 10 V - 840 мг (TA), 100 yt (tc)
TPH2R306NH1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R306NH1, LQ 1.5700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Advance 8-Sop (5x5,75) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 136a (TC) 6,5 В, 10 В. 2,3mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 1MA 72 NC @ 10 V ± 20 В. 6100 pf @ 30 v - 800 мт (TA), 170 st (TC)
TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPHR9203PL1, LQ 1.7200
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-Mosix-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Advance 8-Sop (5x5,75) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 150a (TC) 4,5 В, 10. 0,92mohm @ 50a, 10 2.1 w @ 500 мк 81 NC @ 10 V ± 20 В. 7540 PF @ 15 V - 960 мт (TA), 170 st (TC)
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN2911 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 200 мг 10 Комов -
RN4988FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4988 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 22khh 47komm
2SA1586-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1586 -G, LXHF 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SC-70, SOT-323 200 м USM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418, LXHF 0,0645
RFQ
 ECAD 9319 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1418 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
RN1908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN1908 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 22khh 47komm
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417, LXHF 0,3400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-R, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SC-75, SOT-416 120 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115, LXHF (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1115 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN1902 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Комов 10 Комов
RN1104,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1104, LXHF (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1104 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
RN2103MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2103MFV, L3XHF (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2103 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 70 @ 10ma, 5v 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть