SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (2909)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
CLS10F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CLS10F40, L3F 0,4800
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 0402 (1006 МЕТРИКА) CLS10F40 ШOTKIй CL2E - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 570 мВ @ 1 a 25 мка 40, 150 ° С 1A 130pf @ 0V, 1 мгест
SSM6L56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L56FE, LM 0,3800
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер SOT-563, SOT-666 SSM6L56 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 150 м. (ТАК) ES6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 N и п-канал 20 800 май (таблица) 235mohm @ 800ma, 4,5 -v, 390mohm @ 800ma, 4,5 1V @ 1MA 1nc @ 10v 55pf @ 10v, 100pf @ 10v Logiчeskichiй зastwor, privod 1,5 В
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15S30, H3F 0,3700
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. CUHS15 ШOTKIй US2H СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 430 мв 1,5 а 500 мк. 150 ° С 1,5а 200pf @ 0v, 1 мгест
SSM6K517NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K517NU, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 829 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o SSM6K517 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-udfnb (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 6a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 39,1mohm @ 2a, 4,5 1V @ 1MA 3,2 NC @ 4,5 +12, -8 В. 310 PF @ 15 V - 1,25 мкт (таблица)
RN2116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2116MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2116 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 50 @ 10ma, 5 В 4.7 Kohms 10 Kohms
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1117 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
RN1407,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1407, LF 0,1900
RFQ
 ECAD 904 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1407 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 10 Kohms 47 Kohms
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
RN2316,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2316, LF 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 RN2316 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
RN46A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn46a1 (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 2335 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-74, SOT-457 RN46A1 300 м SM6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5 v / 50 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 22KOHMS, 10KOHMS 22KOHMS, 10KOHMS
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2131 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 120 @ 1MA, 5V 100 км
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2101 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
RN1707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn1707je (te85l, f) 0,4000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN1707 100 м Эs СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 264-RN1707JE (TE85LF) Tr Ear99 8541.21.0075 4000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 10 Комов 47komm
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2132MFV, L3F 0,1800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN2132 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 5 120 @ 1MA, 5V 200 Ком
RN2415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2415 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2415 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 200 мг 2.2 Ком 10 Kohms
RN1118(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1118 (TE85L, F) 0,3900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1118 100 м SSM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 10 Kohms
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1103 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 70 @ 10ma, 5v 22 Kohms 22 Kohms
RN1101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1101 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 30 @ 10ma, 5 В 4.7 Kohms 4.7 Kohms
TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L, LXHQ 1.5800
RFQ
 ECAD 1308 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TK60S10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 60a (TA) 6 В, 10 В. 6.11mohm @ 30a, 10 В 3,5 В @ 500 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 4320 PF @ 10 V - 180 Вт (ТС)
TK15S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK15S04N1L, LXHQ 0,9600
RFQ
 ECAD 3131 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TK15S04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 40 15a (TA) 4,5 В, 10. 17,8mohm @ 7,5a, 10 В 2,5 -пр. 100 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 610 pf @ 10 V - 46 Вт (ТС)
TK33S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1L, LXHQ 1.3200
RFQ
 ECAD 2353 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TK33S10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 33A (TA) 4,5 В, 10. 9.7mohm @ 16.5a, 10v 2,5 В 500 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 2250 pf @ 10 v - 125W (TC)
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB, L1XHQ 2.2600
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер 8 SOIC (0,197 », шIRINA 5,00 мм) XPH4R10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop Advance (5x5) - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 70A (TA) 6 В, 10 В. 4,1mohm @ 35a, 10 В 3,5 - @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20 В. 4970 PF @ 10 V - 960 мт (TA), 170 st (TC)
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK7S10N1Z, LXHQ 0,8900
RFQ
 ECAD 7428 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TK7S10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 7A (TA) 10 В 48mohm @ 3,5a, 10 В 4 w @ 100 мк 7.1 NC @ 10 V ± 20 В. 470 pf @ 10 v - 50 yt (tc)
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L, LXHQ 0,9700
RFQ
 ECAD 1392 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVIII-H Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TK11S10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 11a (TA) 4,5 В, 10. 28mohm @ 5,5a, 10 В 2,5 -пр. 100 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 850 pf @ 10 v - 65W (TC)
XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN12006NC, L1XHQ 1.2300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C. Пефер 8-powervdfn XPN12006 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tson Advance-wf (3,1x3,1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 20 часов 4,5 В, 10. 12mohm @ 10a, 10 В 2,5 @ 200 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 10 v 65W (TC)
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosvi Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- TK155A65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 18a (TA) 10 В 155mohm @ 9a, 10v 4в @ 730 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 1635 PF @ 300 - 40 yt (tc)
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z, S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosvi Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- TK190A65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 15a (TA) 10 В 190mohm @ 7,5a, 10 В 4 В @ 610 мк 25 NC @ 10 V ± 30 v 1370 pf @ 300 - 40 yt (tc)
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK090A65Z, S4X 4.7900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosvi Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- TK090A65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 30А (ТА) 10 В 90mohm @ 15a, 10 В 4 w @ 1,27 Ма 47 NC @ 10 V ± 30 v 2780 pf @ 300 - 45 Вт (TC)
XPW4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW4R10ANB, L1XHQ 2.3200
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C. Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DSOP Advance СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 70A 6 В, 10 В. 4,1mohm @ 35a, 10 В 3,5 - @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20 В. 4970 PF @ 10 V Станода 170 Вт (TC)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LXHF 0,4900
RFQ
 ECAD 7563 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автор, AEC-Q101, U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 264-SSM3J356R, LXHFCT Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 60 2а (тат) 4 В, 10 В. 300mohm @ 1a, 10v 2V @ 1MA 8.3 NC @ 10 V +10, -20v 330 pf @ 10 v - 1 yt (tta)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть