SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
SF43GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF43GHA0G -
RFQ
ECAD 9294 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF43 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
MUR460S M6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S M6G -
RFQ
ECAD 3787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR460 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C27P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27P RHG -
RFQ
ECAD 8032 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
1PGSMA130Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA130Z 0,1086
RFQ
ECAD 6104 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma130 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 98,8 130 700 ОМ
SF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006G 1.2200
RFQ
ECAD 373 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1006 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 50pf @ 4V, 1 мгест
TSM088NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM088NA03CR RLG -
RFQ
ECAD 1070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM088 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 61a (TC) 4,5 В, 10. 8,8mohm @ 13a, 10v 2,5 -50 мк 12,6 NC @ 10 V ± 20 В. 750 pf @ 15 v - 56 Вт (TC)
S4J M6G Taiwan Semiconductor Corporation S4J M6G -
RFQ
ECAD 6059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S4J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 - @ 4 a 1,5 мкс 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 60pf @ 4V, 1 мгест
1N4751G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751G A0G -
RFQ
ECAD 2761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4751 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк -пр. 22,8 30 40 ОМ
ES2CA Taiwan Semiconductor Corporation ES2CA 0,1769
RFQ
ECAD 9682 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES2CATR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
RS2MFSH Taiwan Semiconductor Corporation RS2MFSH 0,0690
RFQ
ECAD 2067 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS2MFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
SFAS807G MNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS807G MNG -
RFQ
ECAD 7236 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS807 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
TST30U60CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30U60CW -
RFQ
ECAD 1358 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 TST30 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 580 мВ @ 15 A 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
FR203G B0G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G B0G -
RFQ
ECAD 3829 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй FR203 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 10pf @ 4V, 1 мгест
TSF10L100CW Taiwan Semiconductor Corporation TSF10L100CW 1.0358
RFQ
ECAD 5350 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка В аспекте Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSF10 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 5A 800 м. @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
SF18GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18GHB0G -
RFQ
ECAD 4002 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF18 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZX79B75 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B75 A0G -
RFQ
ECAD 9943 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 52,5 май При 50 м. 75 255 ОМ
BZY55B4V3 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b4v3 ryg -
RFQ
ECAD 5316 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 1 мка @ 1 В 4,3 В. 80 ОМ
SS23L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS23L M2G -
RFQ
ECAD 1684 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS23 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 500 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
HS1GFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1GFSH 0,0999
RFQ
ECAD 1575 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1GFSHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 50 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
KBP157G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP157G C2G -
RFQ
ECAD 7443 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1,1 В @ 1,5 А. 10 мк. 1,5 а ОДИНАНАНА 1 к
SK315BH Taiwan Semiconductor Corporation SK315BH 0,4800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB SK315 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM126CX RFG 0,2730
RFQ
ECAD 6058 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM126 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 600 30 май (TC) 0, 10 В. 800OM @ 16MA, 10 В 1в @ 8 мк 1,18 NC @ 4,5 ± 20 В. 51.42 PF @ 25 V Rershymicehenipe 500 мг (таблица)
SS115LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115lhrqg -
RFQ
ECAD 5920 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS115 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZD27C6V8PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHM2G -
RFQ
ECAD 6087 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
UDZS6V2B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS6V2B RRG -
RFQ
ECAD 3615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs6 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2,7 мк -прри 3 6,2 В. 40 ОМ
S1MLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1mlhmhg -
RFQ
ECAD 2494 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BC817-40W RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC817-40W RFG 0,0360
RFQ
ECAD 7191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
TS25P05G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P05G 2.6300
RFQ
ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS25P05 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 600
1N5818HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5818HA0G -
RFQ
ECAD 6100 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5818 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
SR320 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR320 A0G 0,3500
RFQ
ECAD 9703 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR320 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе