SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2M R5G 0,2455
RFQ
ECAD 3758 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB HS2M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
RS2KA Taiwan Semiconductor Corporation RS2KA 0,0731
RFQ
ECAD 7437 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA RS2K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 1,5 А. 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
1N5408GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5408gha0g -
RFQ
ECAD 1735 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5408 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 3 a 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
UGF2005GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2005GH -
RFQ
ECAD 3529 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка UGF2005 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 20 часов 1,25 Е @ 10 A 20 млн 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 175 ° C.
1M200Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M200Z R1G -
RFQ
ECAD 3720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m200 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка При 152 200 1500 ОМ
SK86C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK86C V7G -
RFQ
ECAD 9970 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK86 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
SRT110 A1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT110 A1G -
RFQ
ECAD 8532 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT110 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 800 мВ @ 1 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
KBP204G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP204G C2 -
RFQ
ECAD 3389 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1,2 - @ 2 a 10 мка 400 2 а ОДИНАНАНА 400
HS3D V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS3D V7G -
RFQ
ECAD 6076 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3D Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
TSM6866SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6866SDCA RVG 0,7448
RFQ
ECAD 4416 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) TSM6866 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,6 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 20 6a (TA) 30mohm @ 6a, 4,5 600 мВ @ 250 мк 5NC @ 4,5 565pf @ 8V -
PU2BMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2BMH M3G 0,5100
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. PU2B Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,05 В @ 2 a 36 млн 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 18pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C75P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P MHG -
RFQ
ECAD 8916 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
HS3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3B V6G -
RFQ
ECAD 7785 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC HS3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
SR102HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR102HB0G -
RFQ
ECAD 5630 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR102 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BZX79C2V4 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C2V4 A0G -
RFQ
ECAD 7240 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 100 мка @ 1 В 2,4 В. 100 ОМ
BZT55C3V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V6 L0G 0,0350
RFQ
ECAD 8499 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
SRT115 A1G Taiwan Semiconductor Corporation SRT115 A1G -
RFQ
ECAD 7904 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT115 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1SMA5956H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5956H 0,1004
RFQ
ECAD 2303 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5956 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 152 200 1200 ОМ
1M110Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110Z R1G -
RFQ
ECAD 9811 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m110 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 83,6 110 450 ОМ
SK12H60 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SK12H60 B0G -
RFQ
ECAD 9514 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SK12 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 м. @ 12 A 120 мк -при 60 В 200 ° C (MMAKS) 12A -
1N5239B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5239b 0,0271
RFQ
ECAD 8581 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5239 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5239btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 3 мка При 7в 9.1. 10 ОМ
SK26AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK26AHR3G -
RFQ
ECAD 5432 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK26 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SK39AH Taiwan Semiconductor Corporation SK39AH 0,1746
RFQ
ECAD 5144 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK39AHTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
TSM3N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CZ C0G -
RFQ
ECAD 7386 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TSM3N80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 800 В 3a (TC) 10 В 4,2 ОМ @ 1,5A, 10 В 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 696 PF @ 25 V - 94W (TC)
YBS2207G Taiwan Semiconductor Corporation YBS2207G 0,9400
RFQ
ECAD 842 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, Плоскилили YBS2207 Станода YBS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 970 мв 2,2 а 5 мк -пр. 1000 2,2 а ОДИНАНАНА 1 к
SF33GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHR0G -
RFQ
ECAD 4188 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF33 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
HER301G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G B0G -
RFQ
ECAD 4142 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй HER301 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 3 a 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
1SMC5352 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 R6G -
RFQ
ECAD 6146 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1SMC5352R6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
SRA1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1650HC0G -
RFQ
ECAD 2358 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SRA1650 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
BC857C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC857C RFG 0,0343
RFQ
ECAD 4570 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе