SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
SR802 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR802 B0G -
RFQ
ECAD 9689 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR802 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
1PGSMC5361 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361 V7G -
RFQ
ECAD 2634 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5361V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 20,6 27 5 ОМ
BC848C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848C RFG 0,0343
RFQ
ECAD 2199 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
HS1MF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1MF-T 0,1037
RFQ
ECAD 6457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода SMAF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1MF-TTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 8pf @ 4V, 1 мгест
MUR420S M6 Taiwan Semiconductor Corporation Mur420S M6 -
RFQ
ECAD 6803 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MUR420SM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 875 MV @ 4 A 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
RS1BH Taiwan Semiconductor Corporation RS1BH -
RFQ
ECAD 8744 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS1BHTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR802HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR802HR0G -
RFQ
ECAD 1959 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR802 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
MBRF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1690 C0G -
RFQ
ECAD 4443 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF1690 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 16 a 300 мк -при 90 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
BZD27C6V8PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHM2G -
RFQ
ECAD 6087 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
S1KLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1Klhrqg -
RFQ
ECAD 7865 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N5391G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5391G A0G -
RFQ
ECAD 6235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5391 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1,1 В @ 1,5 А. 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
MBR1635H Taiwan Semiconductor Corporation MBR1635H -
RFQ
ECAD 2042 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR1635H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 630 мВ @ 16 a 500 мкр 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
SS15LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS15lhrhg -
RFQ
ECAD 5034 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
UDZS6V2B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS6V2B RRG -
RFQ
ECAD 3615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Udzs6 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 2,7 мк -прри 3 6,2 В. 40 ОМ
S1MLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1mlhmhg -
RFQ
ECAD 2494 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C43P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43P 0,4400
RFQ
ECAD 251 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
BZD27C18P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RHG -
RFQ
ECAD 2803 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
SR1204HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1204HA0G -
RFQ
ECAD 8944 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR1204 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 12 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
1N5235B Taiwan Semiconductor Corporation 1n5235b 0,0271
RFQ
ECAD 4821 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5235 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N5235btr Ear99 8541.10.0050 10000 1,1 - @ 200 Ма 3 мка @ 5 6,8 В. 5 ОМ
RB706F-40 Taiwan Semiconductor Corporation RB706F-40 0,0523
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RB706F-40TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 40 30 май 370 мВ @ 1ma 1 мка рри 10в 125 ° С
SRAF590HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF590HC0G -
RFQ
ECAD 6956 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF590 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD17C36P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RHG -
RFQ
ECAD 7098 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
BAT43WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43WS RRG 0,3600
RFQ
ECAD 18 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAT43 ШOTKIй SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 1 V @ 200 MMA 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
ESH1DM RSG Taiwan Semiconductor Corporation ESH1DM RSG 0,4700
RFQ
ECAD 231 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. ESH1 Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 3pf @ 4V, 1 мгест
BZV55C2V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V7 L0G 0,0333
RFQ
ECAD 9010 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 10 мка @ 1 В 2,7 В. 85 ОМ
SFF2006G Taiwan Semiconductor Corporation SFF2006G 0,7385
RFQ
ECAD 1364 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF2006 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 90pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C7V5PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMHG -
RFQ
ECAD 7471 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
BZT52B4V3S Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52b4v3s 0,0343
RFQ
ECAD 8877 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B4V3STR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2,7 мк -при. 4,3 В. 90 ОМ
S1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RTG -
RFQ
ECAD 7417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
TBS810 Taiwan Semiconductor Corporation TBS810 1.5600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло TBS8 Станода TBS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 1,05 В @ 8 a 5 мк -пр. 1000 8 а ОДИНАНАНА 1 к
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе