SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C7V5PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5PHMHG -
RFQ
 ECAD 7471 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 3 В 7,45 В. 2 О
BZT52B4V3S Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52b4v3s 0,0343
RFQ
 ECAD 8877 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B4V3STR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2,7 мк -при. 4,3 В. 90 ОМ
S1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1DL RTG -
RFQ
 ECAD 7417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
TBS810 Taiwan Semiconductor Corporation TBS810 1.5600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло TBS8 Станода TBS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 1,05 В @ 8 a 5 мк -пр. 1000 8 а ОДИНАНАНА 1 к
BAW56 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAW56 RFG 0,2200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 70 200 май 1,25 В @ 150 6 м 2,5 мка прри 70 -55 ° C ~ 150 ° С.
SS210LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation SS210lhrvg -
RFQ
 ECAD 1916 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MUR190AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR190AHB0G -
RFQ
 ECAD 8189 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй MUR190 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 900 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
MBR10200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CT-Y 0,4221
RFQ
 ECAD 8316 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR10200 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR10200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 10 часов 700 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
TS25P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P07GHC2G -
RFQ
 ECAD 6039 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS25P07 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 25 A 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 1 к
SR4020PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4020PTHC0G -
RFQ
 ECAD 4825 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR4020 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 40a 550 м. @ 20 a 1 мая @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C.
TS25P07G-K C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P07G-K C2G -
RFQ
 ECAD 5529 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH TS25P07G-KC2G Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 25 A 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 1 к
BZT55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B5V6 L0G 0,0385
RFQ
 ECAD 3556 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 1 V 5,6 В. 25 ОМ
1N5404GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404GHB0G -
RFQ
 ECAD 6816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5404 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 3 a 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
MUR140S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR140S R5G -
RFQ
 ECAD 2080 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB MUR140 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 50 млн 150 мкр 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
S1DLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1DLHR3G -
RFQ
 ECAD 4095 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1d Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
MBRS2550CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2550CT MNG -
RFQ
 ECAD 4997 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS2550 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 25 а 900 м. @ 25 A 200 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С.
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099CF C0G 12.8700
RFQ
 ECAD 905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 38a (TC) 10 В 99mohm @ 5.3a, 10 4 В @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 30 v 2587 pf @ 100 v - 69 Вт (TC)
S3D M6G Taiwan Semiconductor Corporation S3D M6G -
RFQ
 ECAD 2105 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S3d Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C11P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P Mtg -
RFQ
 ECAD 8720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 4 мк 11 7 О
BZD27C6V8P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P RQG -
RFQ
 ECAD 3734 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
TS8P02GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P02GHC2G -
RFQ
 ECAD 8393 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS8P02 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 8 A 10 мк -пки 100 8 а ОДИНАНАНА 100
SK15B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK15B M4G -
RFQ
 ECAD 2614 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK15 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 750 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZD17C12P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12P Mtg -
RFQ
 ECAD 2966 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12 7 О
BZD27C39PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRQG -
RFQ
 ECAD 3713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
SK320A Taiwan Semiconductor Corporation SK320a 0,4600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK320 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
MBRF10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150 -
RFQ
 ECAD 9119 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF1015 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBRF10150 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,05 В @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
SF32GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF32GHB0G -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF32 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
RS3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3G R6G -
RFQ
 ECAD 6602 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
UDZS18B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS18B RRG -
RFQ
 ECAD 3317 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS18 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 45 Na @ 13 V 18 50 ОМ
BZD27C36P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P RVG -
RFQ
 ECAD 5022 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть