SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
MMBD4148CA Taiwan Semiconductor Corporation MMBD4148CA 0,0280
RFQ
ECAD 3557 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD4148 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMBD4148CATR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 75 200 май 1 V @ 10 мая 4 млн 5 мка прри 75 -55 ° C ~ 150 ° С.
SR502HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR502HR0G -
RFQ
ECAD 8651 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR502 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 5A -
BZT55B6V8 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B6V8 0,0385
RFQ
ECAD 5738 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55B6V8TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
6A60GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60GHA0G -
RFQ
ECAD 4951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй 6A60 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 6 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
MBRF2080CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2080CT 0,5661
RFQ
ECAD 3565 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF2080 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 80 20 часов 1 V @ 20 a 100 мк -40, -55 ° C ~ 150 ° С.
TST10H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST10H200CW 1.2930
RFQ
ECAD 6604 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка В аспекте Чereз dыru 220-3 TST10 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 910 мВ @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
S5KC-K Taiwan Semiconductor Corporation S5KC-K 0,2203
RFQ
ECAD 4055 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S5KC-Ktr Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,15 Е @ 5 a 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 34pf @ 4V, 1 мгха
TSM150NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150NB04LCR RLG 1.4100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 10a (ta), 41a (TC) 4,5 В, 10. 15mohm @ 10a, 10v 2,5 -50 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 966 pf @ 20 v - 3,1 yt (ta), 56 yt (tc)
1SMC5352H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352H 0,3459
RFQ
ECAD 7434 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101, 1SMC53 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
RS1DLW Taiwan Semiconductor Corporation RS1DLW 0,0577
RFQ
ECAD 5485 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS1DLWTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
6A80G Taiwan Semiconductor Corporation 6A80G 0,2520
RFQ
ECAD 3409 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй 6A80 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 6 A 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
BAS20 Taiwan Semiconductor Corporation Bas20 0,0322
RFQ
ECAD 5139 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas20 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAS20TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 Na @ 150 -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
MBR1660H Taiwan Semiconductor Corporation MBR1660H -
RFQ
ECAD 7802 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-MBR1660H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 16 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
FR302G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR302G R0G -
RFQ
ECAD 5951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй FR302 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
1N4004G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004G B0G -
RFQ
ECAD 7403 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
HS2DAL Taiwan Semiconductor Corporation HS2DAL 0,4600
RFQ
ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds HS2D Станода ТОНКИЯ СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 2 A 50 млн 1 мка, 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 32pf @ 4V, 1 мгест
SR802HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR802HB0G -
RFQ
ECAD 6849 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR802 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 8. -
TS20P02GH Taiwan Semiconductor Corporation TS20P02GH -
RFQ
ECAD 4674 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p Станода TS-6p - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TS20P02GH Ear99 8541.10.0080 1200 1.1 V @ 20 a 10 мк -пки 100 20 а ОДИНАНАНА 100
BZD17C120PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120PH 0,3773
RFQ
ECAD 8051 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C120PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 91в 120 300 ОМ
BZX85C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx85c6v2 0,0645
RFQ
ECAD 2996 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX85C6V2TR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 10 мая 1 мка @ 3 В 6,2 В. 4 О
BZD27C160P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160P RVG -
RFQ
ECAD 5013 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 120 162 В 350 ОМ
BZD17C220P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P RTG -
RFQ
ECAD 4559 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 160 220 900 ОМ
SS36LW Taiwan Semiconductor Corporation SS36LW 0,4100
RFQ
ECAD 37 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS36 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BC548A A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC548A A1 -
RFQ
ECAD 3861 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC548AA1TB Управо 1 30 100 май 15NA (ICBO) Npn - 110 @ 2ma, 5 В -
TSZL52C22-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C22-F0 RWG -
RFQ
ECAD 8596 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) 200 м 1005 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSZL52C22-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 17 V 22 55 ОМ
SS22L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RUG 0,2625
RFQ
ECAD 1155 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS22 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MMBD3004CC Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CC 0,0622
RFQ
ECAD 8224 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMBD3004CCTR Ear99 8541.10.0070 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 350 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 240 v -65 ° С ~ 150 ° С. 225 май 5pf @ 1V, 1 мгха
1N4005GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GHA0G 0,0756
RFQ
ECAD 1999 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4005 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1 V @ 1 A 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SS12LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS12lhrug -
RFQ
ECAD 3520 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS12 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
BAV20 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BAV20 A0G -
RFQ
ECAD 4251 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BAV20 Станода DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 1,25 Е @ 200 Ма 100 Na @ 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе