SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
ESH1GMHRSG Taiwan Semiconductor Corporation Esh1gmhrsg -
RFQ
ECAD 5566 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Станода МИКРО СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ESH1GMHRSGTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 3pf @ 4V, 1 мгест
MBRS1545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1545CT-Y 0,4677
RFQ
ECAD 3254 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1545 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS1545CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 840 мВ @ 15 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C120PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120PHMTG -
RFQ
ECAD 8789 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 91в 120,5. 300 ОМ
1N5822 Taiwan Semiconductor Corporation 1n5822 0,1788
RFQ
ECAD 2061 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5822 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
S1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL RFG -
RFQ
ECAD 9540 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
RS1JL MHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL MHG -
RFQ
ECAD 1050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZX584B20 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B20 0,0639
RFQ
ECAD 6490 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B20TR Ear99 8541.10.0050 104 000 100 na @ 14 v 20 55 ОМ
2M62Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M62Z B0G -
RFQ
ECAD 3162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m62 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 47,1 62 60 ОМ
HS1JFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1JFSH 0,1004
RFQ
ECAD 9185 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1JFSHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 1 a 75 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 13pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C51PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHM2G -
RFQ
ECAD 2503 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 39 51 60 ОМ
MURF1640CT Taiwan Semiconductor Corporation MURF1640CT 1.5700
RFQ
ECAD 394 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MURF1640 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 400 16A 1.3 V @ 8 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C33PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33PW 0,1638
RFQ
ECAD 9881 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 200 MMA 1 мка 4 24 33 В 15 О
BZD27C27PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C27PHRHG -
RFQ
ECAD 4997 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
S10GC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S10GC M6 -
RFQ
ECAD 7823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10GCM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 10 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
2A01G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A01G R0G -
RFQ
ECAD 4526 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2A01 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 2 A 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 15pf @ 4V, 1 мг
1PGSMC5352HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5352HR7G -
RFQ
ECAD 3197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка рри 11,5 15 3 О
RS2KAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2KAHR3G -
RFQ
ECAD 6623 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA RS2K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 Е @ 1,5 А. 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 50pf @ 4V, 1 мгест
TSM042N03CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS 0,8059
RFQ
ECAD 8384 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TSM042 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM042N03CSTR Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 30А (TC) 4,5 В, 10. 4,2 мома @ 12a, 10 2,5 -50 мк 24 NC @ 4,5 ± 20 В. 2200 pf @ 25 v - 7W (TC)
MBR1035HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035HC0G -
RFQ
ECAD 2310 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 MBR1035 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 35 700 мВ @ 10 a 100 мк @ 35 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
BZD17C75P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P 0,2625
RFQ
ECAD 2047 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C75PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 75 100 ОМ
BZT52C43 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C43 0,0412
RFQ
ECAD 2877 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C43TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 30,1 43 В. 150 ОМ
SF1608G Taiwan Semiconductor Corporation SF1608G 0,6634
RFQ
ECAD 7642 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1608 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 60pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C13P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P 0,2753
RFQ
ECAD 2991 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,42% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C13PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 2 мка При 10в 13,25 В. 10 ОМ
SFAS806GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS806GH -
RFQ
ECAD 7508 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SFAS806 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 8 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 60pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C39P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39P R3G -
RFQ
ECAD 1698 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
BZT52C2V4 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 6287 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
SFAF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2008GHC0G -
RFQ
ECAD 8059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SFAF2008 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 20 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 150pf @ 4V, 1 мгест
TSZL52C27-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C27-F0 RWG -
RFQ
ECAD 7274 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) 200 м 1005 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSZL52C27-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
S15JC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S15JC R7G -
RFQ
ECAD 3241 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S15J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1.1 V @ 15 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A 93pf @ 4V, 1 мгест
SF35GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35GHA0G -
RFQ
ECAD 6209 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF35 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе