SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
1SMA4762 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762 0,0935
RFQ
ECAD 3797 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4762 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка рри 62,2 82 200 ОМ
BA158GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation BA158GHR1G -
RFQ
ECAD 3751 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BA158 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 1 a 150 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
SK59C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK59C R7G 0,7800
RFQ
ECAD 78 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK59 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 300 мк -при 90 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SS29HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SS29HR5G -
RFQ
ECAD 7188 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SS29 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
1PGSMA4744 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4744 0,1096
RFQ
ECAD 3903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4744 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 11,4 15 14 ОМ
TST40L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST40L200CW 2.8500
RFQ
ECAD 1787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST40 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 880mw @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
1N4745G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745G A0G -
RFQ
ECAD 1945 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4745 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 16 16 ОМ
SRAF1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1090HC0G -
RFQ
ECAD 9382 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SRAF1090 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
UF4001HB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4001HB0G -
RFQ
ECAD 7263 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SR106HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR106HB0G -
RFQ
ECAD 2831 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR106 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZX584B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 0,0639
RFQ
ECAD 4994 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B11TR Ear99 8541.10.0050 104 000 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
TSM16ND50CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM16ND50CI C0G 3.1438
RFQ
ECAD 6511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 16a (TC) 10 В 350MOHM @ 4A, 10V 4,5 -50 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 2551 pf @ 50 v - 59,5 м (TC)
SF35G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G A0G -
RFQ
ECAD 9621 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF35 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
S12JC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S12JC R6G -
RFQ
ECAD 9948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12JCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 12 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 L1G -
RFQ
ECAD 8033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
RS3KB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3KB-T R5G 0,4700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB RS3K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SS215L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS215L M2G -
RFQ
ECAD 5030 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
TSZU52C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V3 0,0669
RFQ
ECAD 7696 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tszu52c3v3tr Ear99 8541.10.0050 20 000 900 мВ @ 10 мая 25 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
MTZJ2V7SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V7SA R0G 0,0305
RFQ
ECAD 5752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj2 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 мка @ 1 В 2,65 В. 110 ОМ
ESH2DH Taiwan Semiconductor Corporation Esh2dh 0,1470
RFQ
ECAD 6067 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ESH2DHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 2 a 20 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
2M75ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m75zha0g -
RFQ
ECAD 2731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M75 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 56 V 75 90 ОМ
SR009HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009HR0G -
RFQ
ECAD 1765 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR009 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
BZS55C8V2 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C8V2 RXG 0,0340
RFQ
ECAD 6896 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 6,2 8,2 В. 7 О
BZY55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B3V6 0,0413
RFQ
ECAD 1828 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZY55B3V6TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
MBRI30100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRI30100CT 0,9495
RFQ
ECAD 7840 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA MBRI30100 ШOTKIй I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30A 940 мВ @ 30 a 200 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C16PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRTG -
RFQ
ECAD 3889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
HS2MALH Taiwan Semiconductor Corporation HS2malh 0,1035
RFQ
ECAD 2299 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS2malhtr Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 2 a 75 м 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SFF502G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502G -
RFQ
ECAD 1513 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF502 Станода Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFF502G Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 5А (DC) 980 мв 2,5 а 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA5956HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5956HR3G -
RFQ
ECAD 8424 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5956 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 152 200 1200 ОМ
SR16150H Taiwan Semiconductor Corporation SR16150H 0,9237
RFQ
ECAD 8551 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR16150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SR16150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 16A 1,05 В @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе