SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
GBPC5002M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5002M 6.2532
RFQ
 ECAD 2318 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ GBPC50 Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, GBPC GBPC5002 Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GBPC5002M Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 25 A 10 мк. 50 а ОДИНАНАНА 200
TS10KL100H Taiwan Semiconductor Corporation TS10KL100H 0,6846
RFQ
 ECAD 6489 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, kbjl TS10KL100 Станода Kbjl СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TS10KL100H Ear99 8541.10.0080 2000 1 V @ 5 A 5 мк -пр. 1000 10 а ОДИНАНАНА 1 к
BZT52C51K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51K 0,0511
RFQ
 ECAD 8507 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C51KTR Ear99 8541.10.0050 6000 1 мка @ 39 51 180 ОМ
TS10K60H Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60H 0,7521
RFQ
 ECAD 3313 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, TS4K TS10K60 Станода TS4K СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TS10K60H Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 600
BZY55B15 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b15 0,0413
RFQ
 ECAD 5024 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-bzy55b15tr Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
BZT52C5V6K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V6K 0,0474
RFQ
 ECAD 7144 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C5V6KTR Ear99 8541.10.0050 6000 1 мка 4,5 5,6 В. 40 ОМ
TSM80N1R2CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI 3.3572
RFQ
 ECAD 9129 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM80N1R2CI Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 800 В 5.5a (TC) 10 В 1,2 ОМА @ 1,8A, 10 В 4 В @ 250 мк 19,4 NC @ 10 V ± 30 v 685 pf @ 100 v - 25 yt (tc)
KBPF406G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF406G 0,6672
RFQ
 ECAD 2584 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPF KBPF406 Станода KBPF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-KBPF406G Ear99 8541.10.0080 2100 1.1 V @ 2 A 5 мк -400 4 а ОДИНАНАНА 800 В
TSM060N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 0,6306
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn TSM060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (3,1x3,1) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM060N03PQ33TR Ear99 8541.29.0095 10000 N-канал 30 15a (ta), 62a (TC) 4,5 В, 10. 6mohm @ 15a, 10v 2,5 -50 мк 25,4 NC @ 10 V ± 20 В. 1342 pf @ 15 v - 2,3 yt (ta), 40 yt (tc)
GBPC3510M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510M 3.7238
RFQ
 ECAD 9279 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ GBPC35 Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, GBPC-M GBPC3510 Станода GBPC-M СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GBPC3510M Ear99 8541.10.0080 200 1,1 В @ 17,5 а 5 мк -пр. 1000 35 а ОДИНАНАНА 1 к
M3Z4V3C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z4V3C 0,0294
RFQ
 ECAD 8621 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z4 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z4V3CTR Ear99 8541.10.0050 6000 5 мка @ 1 В 4,3 В. 80 ОМ
SRS2060H Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060H 0,7674
RFQ
 ECAD 7115 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS2060 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SRS2060HTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 мВ @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MTZJ18SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj18sc 0,0305
RFQ
 ECAD 7967 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj18 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ18SCTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 13 v 17,88 В. 45 ОМ
TSM900N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH 0,6584
RFQ
 ECAD 6981 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак TSM900 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (I-PAK SL) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM900N06CH Ear99 8541.29.0095 15 000 N-канал 60 11a (TC) 4,5 В, 10. 90mohm @ 6a, 10v 2,5 -50 мк 9,3 NC @ 10 V ± 20 В. 500 pf @ 15 v - 25 yt (tc)
S2MFSH Taiwan Semiconductor Corporation S2MFSH 0,0683
RFQ
 ECAD 4007 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2MFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 2 A 1 мка При 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
TSM80N1R2CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CP 2.6213
RFQ
 ECAD 5239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSM80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM80N1R2CPTR Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 800 В 5.5a (TC) 10 В 1,2 ОМ @ 2,75A, 10 В 4 В @ 250 мк 19,4 NC @ 10 V ± 30 v 685 pf @ 100 v - 110 yt (tc)
BZD17C18P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P 0,2625
RFQ
 ECAD 6571 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C18PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 18 15 О
ES1GALH Taiwan Semiconductor Corporation Es1galh 0,1131
RFQ
 ECAD 7224 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES1GALHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
ABS20MH Taiwan Semiconductor Corporation ABS20MH 0,2013
RFQ
 ECAD 6096 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло ABS20 Станода Абс СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ABS20MHTR Ear99 8541.10.0080 5000 1,02 - @ 1 a 5 мк -пр. 1000 2 а ОДИНАНАНА 1 к
ES2BALH Taiwan Semiconductor Corporation Es2balh 0,1491
RFQ
 ECAD 5284 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-221AC, SMA Flat Heds Станода ТОНКИЯ СМА СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ES2BALHTR Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 2 a 35 м 1 мка рри 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 28pf @ 4V, 1 мгха
MBR3060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060PTH 1.7963
RFQ
 ECAD 4431 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR3060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR3060PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 30A 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C15K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C15K 0,0474
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C15KTR Ear99 8541.10.0050 6000 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
TSM110NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV 0,6661
RFQ
 ECAD 6248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn TSM110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (3,15x3,1) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsm110nb04lcvtr Ear99 8541.29.0095 10000 N-канал 40 9a (ta), 44a (TC) 4,5 В, 10. 11mohm @ 9a, 10v 2,5 -50 мк 24 NC @ 10 V ± 20 В. 1329 pf @ 20 v - 1,9 yt (ta), 42w (TC)
S2GFSH Taiwan Semiconductor Corporation S2GFSH 0,0683
RFQ
 ECAD 9682 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2GFSHTR Ear99 8541.10.0080 28 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 2 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 12pf @ 4V, 1 мгновение
MTZJ20SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj20sa 0,0305
RFQ
 ECAD 8036 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj20 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-mtzj20satr Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 15 v 18.49 v 55 ОМ
BZV55B16 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B16 0,0357
RFQ
 ECAD 6027 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B16TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 12 v 16 40 ОМ
GBU1006H Taiwan Semiconductor Corporation GBU1006H 0,8559
RFQ
 ECAD 1918 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-ESIP, GBU GBU1006 Станода GBU СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GBU1006H Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 10 A 5 мк -400 10 а ОДИНАНАНА 800 В
BZD17C100PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100PH 0,3773
RFQ
 ECAD 2942 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C100PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 75 100 200 ОМ
BZX55B15 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B15 0,0301
RFQ
 ECAD 6658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B15TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
KBPF205G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF205G 0,4266
RFQ
 ECAD 6517 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBPF KBPF205 Станода KBPF СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-KBPF205G Ear99 8541.10.0080 2100 1.1 V @ 2 A 5 мк. 2 а ОДИНАНАНА 600
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть