SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист ВОС (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
MTZJ27SD Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj27sd 0,0305
RFQ
ECAD 9125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj27 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ27SDTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 21 V 26.97 V. 45 ОМ
ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation ESH1GM RSG 0,3700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. ESH1 Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 3pf @ 4V, 1 мгест
TSC5802DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSC5802DCP ROG -
RFQ
ECAD 1747 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSC5802 30 st 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 450 2,5 а 250 мк Npn 3v @ 600ma, 2a 50 @ 100ma, 5 В -
BC848B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848B RFG 0,0343
RFQ
ECAD 4883 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
TS10P06GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHD2G -
RFQ
ECAD 7909 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS10P06 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 10 A 10 мк. 10 а ОДИНАНАНА 800 В
SR110H Taiwan Semiconductor Corporation SR110H 0,0816
RFQ
ECAD 5261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR110 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 1 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
S2VH Taiwan Semiconductor Corporation S2VH 0,3800
RFQ
ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,15 - @ 2 a 1,5 мкс 1 мка @ 1400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
SS26LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS26lhrfg -
RFQ
ECAD 3557 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS26 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
HERAF1604G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1604G -
RFQ
ECAD 6261 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HERAF1604G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 16 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 150pf @ 4V, 1 мгест
BC849AW Taiwan Semiconductor Corporation BC849AW 0,0361
RFQ
ECAD 6118 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC849 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC849AWTR Ear99 8541.21.0075 18 000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
BZT52C3V6K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6K RKG 0,0474
RFQ
ECAD 2998 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 Bzt52c 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 10 мка @ 1 В 3,6 В. 90 ОМ
TSM043NB04LCZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NB04LCZ 1.7791
RFQ
ECAD 7779 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TSM043 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM043NB04LCZ Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 40 16a (ta), 124a (TC) 4,5 В, 10. 4,3mohm @ 16a, 10 В 2,5 -50 мк 76 NC @ 10 V ± 20 В. 4387 PF @ 20 V - 2W (TA), 125W (TC)
2M75ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m75zha0g -
RFQ
ECAD 2731 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Лейт -и Коробка (ТБ) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M75 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 56 V 75 90 ОМ
TSM16ND50CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM16ND50CI C0G 3.1438
RFQ
ECAD 6511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 16a (TC) 10 В 350MOHM @ 4A, 10V 4,5 -50 мк 53 NC @ 10 V ± 30 v 2551 pf @ 50 v - 59,5 м (TC)
1SMA4762 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4762 0,0935
RFQ
ECAD 3797 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4762 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1 мка рри 62,2 82 200 ОМ
TST40L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST40L200CW 2.8500
RFQ
ECAD 1787 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST40 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 880mw @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов -
1N4745G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4745G A0G -
RFQ
ECAD 1945 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Лейт -и Коробка (ТБ) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4745 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 16 16 ОМ
BZX584B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B11 0,0639
RFQ
ECAD 4994 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B11TR Ear99 8541.10.0050 104 000 100 na @ 8 v 11 20 ОМ
MTZJ2V7SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V7SA R0G 0,0305
RFQ
ECAD 5752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj2 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 мка @ 1 В 2,65 В. 110 ОМ
RS3KB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3KB-T R5G 0,4700
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB RS3K Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1.3 V @ 3 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
SS215L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS215L M2G -
RFQ
ECAD 5030 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZV55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 L1G -
RFQ
ECAD 8033 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
ESH2DH Taiwan Semiconductor Corporation Esh2dh 0,1470
RFQ
ECAD 6067 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-ESH2DHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 2 a 20 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 25pf @ 4V, 1 мгха
TSPB15U50S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U50S S1G 1.5400
RFQ
ECAD 24 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSPB15 ШOTKIй SMPC4.0 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 560 мВ @ 15 A 2 мая @ 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 15A -
BZV55C3V6 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V6 L1G -
RFQ
ECAD 3529 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
SK59C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK59C R7G 0,7800
RFQ
ECAD 78 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK59 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 300 мк -при 90 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
1PGSMA4744 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4744 0,1096
RFQ
ECAD 3903 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4744 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 11,4 15 14 ОМ
1SMB5946H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5946H 0,1545
RFQ
ECAD 9964 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5946 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 56 75 140
S2BAH Taiwan Semiconductor Corporation S2bah 0,0725
RFQ
ECAD 6399 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2Bahtr Ear99 8541.10.0080 15 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,1 В @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
BC337-16-B0 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1 -
RFQ
ECAD 6563 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Лейт -и Коробка (ТБ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 - DOSTISH 1801-BC337-16-B0A1TB Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе