SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
SK510C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C M6G -
RFQ
 ECAD 4612 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SK510 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BZD27C33P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P R3G 0,1600
RFQ
 ECAD 9177 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
HS3GBH Taiwan Semiconductor Corporation HS3GBH 0,1467
RFQ
 ECAD 5662 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS3GBHTR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C24P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RFG -
RFQ
 ECAD 6620 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
BAT54A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A RFG 0,2600
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C.
TST20H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H200CW 1.2342
RFQ
 ECAD 7037 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 TST20 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
UG5J Taiwan Semiconductor Corporation UG5J -
RFQ
 ECAD 6981 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-UG5J Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 3 V @ 5 A 20 млн 30 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0,0786
RFQ
 ECAD 1248 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C43TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 32 43 В. 100 ОМ
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR RLG 1.4100
RFQ
 ECAD 69 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM018 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 185a (TC) 4,5 В, 10. 1,8mohm @ 29a, 10v 2,5 -50 мк 56 NC @ 10 V ± 20 В. 3479 PF @ 15 V - 104W (TC)
BZD27C30PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PH 0,2933
RFQ
 ECAD 8118 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C30PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 22 30 15 О
SFF502G Taiwan Semiconductor Corporation SFF502G -
RFQ
 ECAD 1513 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF502 Станода Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SFF502G Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 5А (DC) 980 мв 2,5 а 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZY55B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B3V6 0,0413
RFQ
 ECAD 1828 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZY55B3V6TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
BZT52C6V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2-G 0,0445
RFQ
 ECAD 2473 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52c 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C6V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 3 мка @ 4 В 6,2 В. 10 ОМ
MBRI30100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRI30100CT 0,9495
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA MBRI30100 ШOTKIй I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30A 940 мВ @ 30 a 200 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
KBP102G C2 Taiwan Semiconductor Corporation KBP102G C2 -
RFQ
 ECAD 9933 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, KBP Станода KBP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1 V @ 1 A 10 мк -пки 100 1 а ОДИНАНАНА 100
S12JC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S12JC R6G -
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S12JCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 12 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
SR009HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009HR0G -
RFQ
 ECAD 1765 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR009 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
SRS1090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1090HMNG -
RFQ
 ECAD 9250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1090 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 10 часов 900 мВ @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZS55C8V2 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C8V2 RXG 0,0340
RFQ
 ECAD 6896 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 6,2 8,2 В. 7 О
SR16150H Taiwan Semiconductor Corporation SR16150H 0,9237
RFQ
 ECAD 8551 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR16150 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SR16150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 16A 1,05 В @ 8 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZT52C33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S 0,0357
RFQ
 ECAD 1173 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C33STR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 23 V 33 В 80 ОМ
MTZJ33SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SD R0G 0,0305
RFQ
 ECAD 6316 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй MTZJ33 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 25 v 32,3 В. 65 ОМ
BZD27C6V8PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8PHR3G 0,1089
RFQ
 ECAD 9635 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
UG12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12J C0G -
RFQ
 ECAD 2464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 UG12 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 2 V @ 12 A 20 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 12A -
2M100Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M100Z A0G -
RFQ
 ECAD 1398 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M100 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 500 NA @ 76 V 100 175
BZT55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V9 L1G -
RFQ
 ECAD 2182 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
SK115BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK115BHR5G -
RFQ
 ECAD 6242 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK115 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SS25LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHMHG -
RFQ
 ECAD 2822 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS25 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SF3005PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF3005PTH 2.0470
RFQ
 ECAD 7848 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF3005 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SF3005PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 300 30A 1,3 V @ 15 A 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С.
ESH1GMHRSG Taiwan Semiconductor Corporation Esh1gmhrsg -
RFQ
 ECAD 5566 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. Станода МИКРО СМА - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ESH1GMHRSGTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,5 - @ 1 a 25 млн 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 3pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть