SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист ВОС (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
TSM260P02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX RFG 1.1500
RFQ
ECAD 10 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 6.5a (TC) 1,8 В, 2,5 В, 4,5 В. 26mohm @ 5a, 4,5 1В @ 250 мк 19,5 NC @ 4,5 ± 10 В. 1670 PF @ 15 V Станода 1,56 м (TC)
US1BHM2G Taiwan Semiconductor Corporation US1BHM2G -
RFQ
ECAD 9863 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA US1B Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
KBU1007G Taiwan Semiconductor Corporation KBU1007G 2.2289
RFQ
ECAD 1712 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, KBU KBU1007 Станода Кбю СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 10 A 5 мк -пр. 1000 10 а ОДИНАНАНА 1 к
1SMB5936 R5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5936 R5G -
RFQ
ECAD 2187 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5936 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4 22,8 30 26 ОМ
SS210LH Taiwan Semiconductor Corporation SS210LH 0,3075
RFQ
ECAD 5391 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS210LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
TSM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250NB06DCR RLG 2.6000
RFQ
ECAD 17 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM250 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA), 48W (TC) 8-pdfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 60 7A (TA), 30A (TC) 25mohm @ 7a, 10v 4 В @ 250 мк 22NC @ 10V 1461pf @ 30v -
TSM2N7002KCU Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCU 0,3700
RFQ
ECAD 2256 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSM2N7002KCUTR Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 240 май (таблица) 4,5 В, 10. 2,5OM @ 240 мА, 10 В 2,5 -50 мк 0,91 NC @ 4,5 ± 20 В. 30 pf @ 30 v - 298 мг (таблица)
BC546A B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC546A B1 -
RFQ
ECAD 2238 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC546AB1 Управо 1 65 100 май 15NA (ICBO) Npn - 110 @ 2ma, 5 В -
TSM300NB06LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06LDCR RLG 2.2400
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn TSM300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2w (ta), 40 yt (tc) 8-pdfnu (5x6) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 60 5a (ta), 24a (TC) 30mohm @ 5a, 10 В 2,5 -50 мк 17nc @ 10v 966PF @ 30V Logiчeskichй yrowenhe
TSM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04LCR RLG 5.0500
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Perfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfnu (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSM025NH04LCRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 26a (ta), 100a (TC) 4,5 В, 10. 2,5mohm @ 50a, 10 В 2,2 pri 250 мк 63,3 NC @ 10 V ± 16 В. 4179 PF @ 25 V - 136W (TC)
KTC3198-GR-M0 A2G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-GR-M0 A2G -
RFQ
ECAD 1916 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Лейт -и Коробка (ТБ) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-KTC3198-GR-M0A2GTB Управо 1 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 200 @ 150 май, 6V 80 мг
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
ECAD 25 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA TSM05 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 5а (таблица) 4,5 В, 10. 60mohm @ 5a, 10v 3 В @ 250 мк 7 NC @ 5 V ± 20 В. 555 PF @ 15 V - 3W (TA)
SF16GH Taiwan Semiconductor Corporation SF16GH 0,1031
RFQ
ECAD 8390 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF16 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
S10GC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC R7G -
RFQ
ECAD 1503 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S10G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.1 V @ 10 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
SS215L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS215L RVG 0,4300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
S1MLHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1MLHM2G -
RFQ
ECAD 3084 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1ML Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
TSM2N7002AKDCU6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002AKDCU6 RFG 0,3700
RFQ
ECAD 20 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 TSM2N7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 240 м. SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 60 220MA (TA) 2,5 ОМ @ 220MA, 10 В 2,5 -50 мк 0,91NC PRI 4,5 30pf @ 30v Logiчeskichй yrowenhe
BC848BW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848BW RFG 0,0368
RFQ
ECAD 4368 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC848 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BZD27C47P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P RQG -
RFQ
ECAD 8108 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
BZV55B51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B51 L1G -
RFQ
ECAD 4387 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 100 na @ 38 51 125 ОМ
BZX55C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C4V7 0,0287
RFQ
ECAD 4868 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C4V7TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 500 NA @ 1 V 4,7 В. 60 ОМ
RS2M Taiwan Semiconductor Corporation RS2M 0,0946
RFQ
ECAD 3508 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB RS2M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
MBRS15H45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15H45CTH 0,6928
RFQ
ECAD 4461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS15 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS15H45Cthtr Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 800 м. @ 15 A 30 мка 45 -55 ° C ~ 175 ° C.
MTZJ5V1SA Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj5v1sa 0,0305
RFQ
ECAD 6934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ5V1SATR Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк -при 1,5 5,1 В. 80 ОМ
SF11G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF11G R0G -
RFQ
ECAD 9586 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF11 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MMSZ5261B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5261B 0,0437
RFQ
ECAD 2250 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5261 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MMSS5261BTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 36 47 В 105 ОМ
MBRS1045CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045CT MNG -
RFQ
ECAD 4582 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1045 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 10 часов 800 м. @ 10 A 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
TSM60N380CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N380CZ C0G 2.2400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 11a (TC) 10 В 380MOHM @ 5,5A, 10 В 4 В @ 250 мк 20,5 NC @ 10 V ± 30 v 1040 pf @ 100 v - 125W (TC)
PU2DBH Taiwan Semiconductor Corporation PU2DBH 0,4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 930 мВ @ 2 a 25 млн 2 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 2A 33pf @ 4V, 1 мгест
SF1607PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1607PT C0G -
RFQ
ECAD 8821 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SF1607 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 85pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе