SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA R. Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BZD27C12PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHRFG -
RFQ
 ECAD 4905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12.05 V. 7 О
SRS10150H Taiwan Semiconductor Corporation SRS10150H 0,7126
RFQ
 ECAD 8039 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS10150 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 1 V @ 5 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1N5234B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5234b A0G -
RFQ
 ECAD 7514 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5234 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 5 мка @ 4 В 6,2 В. 7 О
S1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation S1ALHM2G -
RFQ
 ECAD 1495 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
LL4148 L1G Taiwan Semiconductor Corporation LL4148 L1G 0,2000
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4148 Станода Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V при 50 май 54 м 5 мка прри 75 -65 ° C ~ 175 ° C. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
BC550C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550C B1G -
RFQ
 ECAD 6081 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn - 420 @ 2MA, 5V -
BZD27C56PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56PWH 0,1191
RFQ
 ECAD 7975 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 43 56 60 ОМ
SF801G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF801G C0G -
RFQ
 ECAD 2838 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF801 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 975 MV @ 8 A 35 м 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 70pf @ 4V, 1 мгха
1SMA5953 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5953 R3G -
RFQ
 ECAD 1562 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5953 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 500 NA @ 114 V 150 600 ОМ
BZV55B30 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B30 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 5434 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 22 30 80 ОМ
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1G -
RFQ
 ECAD 6285 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
TSM3443CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 RFG 0,9700
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 TSM3443 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-26 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 4.7a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 60mohm @ 4,7a, 4,5 1,4 В @ 250 мк 9 NC @ 4,5 ± 12 В. 640 pf @ 10 v - 2W (TA)
TSM043NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM043NH04LCR RLG 3.4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Perfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-Powertdfn TSM043 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfnu (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 20a (ta), 54a (TC) 4,5 В, 10 В. 4,3 мома @ 27а, 10 2,2 pri 250 мк 42 NC @ 10 V ± 16 В. 2480 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
BC856A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 5220 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2MA, 5V 100 мг
S12KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S12KCHM6G -
RFQ
 ECAD 6099 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S12K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 12 A 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2 0,0412
RFQ
 ECAD 7852 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C8V2TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 630 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
BZT52B6V8S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8S RRG -
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 1,8 мка При 4в 6,8 В. 15 О
1PGSMB5956 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5956 0,1689
RFQ
 ECAD 1880 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ 1pgsmb59 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка При 152 200 1200 ОМ
TSM60NB190CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI 4.4264
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tsm60nb190ci Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 18а (TC) 10 В 190mohm @ 6a, 10v 4 В @ 250 мк 31 NC @ 10 V ± 30 v 1273 PF @ 100 V - 33,8 м (TC)
1SMB5938HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5938HR5G -
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5938 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка 4 27,4 36 38 ОМ
MBR30100PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100PT 1.6215
RFQ
 ECAD 4417 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR30100 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30 часов 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
SR010HB0G Taiwan Semiconductor Corporation SR010HB0G -
RFQ
 ECAD 7051 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Пркрэно Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR010 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 65pf @ 4V, 1 мгест
SFT15G Taiwan Semiconductor Corporation SFT15G 0,1095
RFQ
 ECAD 5971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SFT15 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 1 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR520 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR520 B0G -
RFQ
 ECAD 4615 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR520 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
BAT54CD REG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD REGE -
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BAT54 ШOTKIй SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 30 200 май (DC) 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C.
SR1203 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1203 A0G -
RFQ
 ECAD 4636 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR1203 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 м. @ 12 A 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
SK215A Taiwan Semiconductor Corporation SK215A 0,4100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK215 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
BZX55B43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B43 A0G -
RFQ
 ECAD 8986 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1 V @ 100 май 100 na @ 32 43 В. 90 ОМ
BZD27C10P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P MHG -
RFQ
 ECAD 6396 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 7 мк. 10 4 О
SRAF1040HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040HC0G -
RFQ
 ECAD 1255 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SRAF1040 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть