SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BZX79B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B8V2 0,0305
RFQ
ECAD 7227 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX79B8V2TR Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 5 май @ 700 м. 8,2 В. 15 О
BC337-25-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-25-B0 A1G -
RFQ
ECAD 8279 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC337-25-B0A1GTB Управо 1 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
1N4753G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753G R1G -
RFQ
ECAD 3982 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4753 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 36 50 ОМ
ZM4730A L0G Taiwan Semiconductor Corporation ZM4730A L0G 0,0830
RFQ
ECAD 9650 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF ZM4730 1 Вт Пособие СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 50 мк @ 1 В 3,9 В. 9 О
RSFDL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL MQG -
RFQ
ECAD 3411 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RSFDL Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,3 @ 500 мая 150 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
S3GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3GB R5G -
RFQ
ECAD 1971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S3G Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
BZT55B12 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B12 L1G -
RFQ
ECAD 5345 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
1PGSMA4752H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4752H 0,1156
RFQ
ECAD 4649 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4752 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 25,1 33 В 45 ОМ
SS23MH Taiwan Semiconductor Corporation SS23MH 0,3800
RFQ
ECAD 26 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. SS23 ШOTKIй МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 12 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 600 мВ @ 2 a 150 мкр 30 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 35pf @ 4V, 1 мгест
RS1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL RTG -
RFQ
ECAD 3286 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
SRS2090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2090HMNG -
RFQ
ECAD 6595 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS2090 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 90 20 часов 920 мВ @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
RSFJLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfjlhrtg -
RFQ
ECAD 1069 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Rsfjl Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 @ 500 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 500 май 4pf @ 4V, 1 мгест
1N4753A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4753a b0g -
RFQ
ECAD 4762 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4753 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 36 50 ОМ
ES3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B V6G -
RFQ
ECAD 9882 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ES3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
SK52C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK52C R6 -
RFQ
ECAD 8207 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK52CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 м. @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
UF4003 B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003 B0G -
RFQ
ECAD 7658 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZT52B36S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36S RRG -
RFQ
ECAD 8437 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 NA @ 25,2 36 90 ОМ
SF38G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF38G A0G 0,8700
RFQ
ECAD 120 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Веса Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF38 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 3 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
ES2GFS Taiwan Semiconductor Corporation ES2GFS 0,4200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Es2g Станода SOD-128 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 2 a 35 м 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 16pf @ 4V, 1 мгест
S1KL Taiwan Semiconductor Corporation S1Kl 0,0692
RFQ
ECAD 3805 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер DO-219AB S1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
SS29LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS29lhrtg -
RFQ
ECAD 9908 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS29 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
ES1HR3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1HR3G -
RFQ
ECAD 1182 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Es1h Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C130P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P M2G -
RFQ
ECAD 7102 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
1N4742G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742G A0G -
RFQ
ECAD 1524 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4742 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 12 50 ОМ
MTZJ3V3SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V3SB R0G 0,0305
RFQ
ECAD 9094 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj3 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 20 мка При 1в 3,43 В. 120 ОМ
SR115 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR115 A0G -
RFQ
ECAD 5728 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR115 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZD27C18P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18P RQG -
RFQ
ECAD 3669 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
BZT52B36-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36-G 0,0461
RFQ
ECAD 7301 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 Bzt52b 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B36-GTR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 100 Na @ 25,2 36 90 ОМ
TSP10U60S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U60S 1.2100
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSP10 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 540 мВ @ 10 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
1SMB5935H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5935H 0,1545
RFQ
ECAD 2815 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5935 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 20,6 27 23 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе