SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Епако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
1T1G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T1G A1G -
RFQ
 ECAD 3383 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1t1g Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SRS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060 MNG -
RFQ
 ECAD 2049 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS2060 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 мВ @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZD27C18PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PHRQG -
RFQ
 ECAD 4638 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 13 17,95 В. 15 О
BAT54S RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54S RFG 0,2600
RFQ
 ECAD 232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 125 ° C.
M3Z43VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z43VC 0,0294
RFQ
 ECAD 5552 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z43 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z43VCTR Ear99 8541.10.0050 6000 100 na @ 32 43 В. 90 ОМ
BZD27C33P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P RTG -
RFQ
 ECAD 2925 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 24 33 В 15 О
S5J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5J R7G -
RFQ
 ECAD 1763 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC S5J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
2M33Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M33Z 0,1565
RFQ
 ECAD 7294 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M33 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 25,1 33 В 23 ОМ
SK25A M2G Taiwan Semiconductor Corporation SK25A M2G -
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AC, SMA SK25 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
MBR760HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR760HC0G -
RFQ
 ECAD 1304 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 MBR760 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мв 7,5 а 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 7,5а -
BZV55B12 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B12 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 7973 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
RS1ALHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhrhg -
RFQ
 ECAD 7059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS RLG 2,5000
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) TSM8568 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6 Вт 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 30 15A (TC), 13A (TC) 16mohm @ 8a, 10v, 24mohm @ 7a, 10v 2,5 -50 мк 7NC @ 4,5V, 11NC @ 4,5V 646pf @ 15v, 1089pf @ 15v -
SFF503G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF503G C0G -
RFQ
 ECAD 5884 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF503 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 980 мв 2,5 а 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
BZY55C15 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c15 Ryg 0,0350
RFQ
 ECAD 5080 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
RS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2B R5G -
RFQ
 ECAD 6029 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AA, SMB RS2B Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
SRF10150 Taiwan Semiconductor Corporation SRF10150 -
RFQ
 ECAD 6941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF10150 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 10 часов 1 V @ 5 A 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
S10GC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S10GC M6 -
RFQ
 ECAD 7823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S10GCM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 10 A 1 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
GP1007H Taiwan Semiconductor Corporation GP1007H 0,5037
RFQ
 ECAD 2867 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 GP1007 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GP1007H Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 1000 10 часов 1.1 V @ 5 A 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С.
SRA1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1040 C0G -
RFQ
 ECAD 8518 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка ПРЕКРЕВО Чereз dыru ДО-220-2 SRA1040 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 10 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 10 часов -
MUR4L40 Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l40 0,2730
RFQ
 ECAD 2833 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur4l40 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,28 w @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
BZV55B3V9 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 L0G 0,0357
RFQ
 ECAD 4136 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
HS2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2D R5G -
RFQ
 ECAD 4217 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Пефер DO-214AA, SMB HS2D Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 2 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
TPAU3J S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAU3J S1G 1.1700
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TPAU3 Лавина TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,88 В @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 60pf @ 4V, 1 мгест
SS39 Taiwan Semiconductor Corporation SS39 -
RFQ
 ECAD 3796 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS39TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZD27C120P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P R3G -
RFQ
 ECAD 1290 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 91в 120,5. 300 ОМ
UF4001HR0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4001HR0G -
RFQ
 ECAD 4752 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4001 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CI C0G 4,4000
RFQ
 ECAD 7012 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1801-TSM60NC620CIC0G 4000 N-канал 600 7A (TC) 10 В 620MOHM @ 2,4A, 10 В 5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20 В. 506 PF @ 300 - 46W (TC)
AZ23C43 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 RFG 0,0794
RFQ
 ECAD 4565 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 32 43 В. 100 ОМ
F1T7G A0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T7G A0G -
RFQ
 ECAD 3372 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T7 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть