SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
TS25P04GH Taiwan Semiconductor Corporation TS25P04GH 1.4526
RFQ
 ECAD 3070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS25P04 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 25 A 10 мка 400 25 а ОДИНАНАНА 400
BZT52C2V4S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S RRG -
RFQ
 ECAD 3300 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
SFAF507GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF507GHC0G -
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 SFAF507 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 70pf @ 4V, 1 мгха
1N5235B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5235b A0G -
RFQ
 ECAD 4930 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5235 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 3 мка @ 5 6,8 В. 5 ОМ
BZT52C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V3 0,0416
RFQ
 ECAD 4008 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C3V3TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 4,5 мк -при 1 3.3в 95 ОМ
MBRS1090HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1090HMNG -
RFQ
 ECAD 1143 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1090 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 100 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
MTZJ27SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj27sc 0,0305
RFQ
 ECAD 6884 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj27 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MTZJ27SCTR Ear99 8541.10.0050 10000 200 Na @ 21 V 26,29 В. 45 ОМ
ES3G R6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3G R6G -
RFQ
 ECAD 8891 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3GR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
HERAF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1601G C0G -
RFQ
 ECAD 5181 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 HERAF1601 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1 V @ 16 A 50 млн 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 150pf @ 4V, 1 мгест
1SMB5956HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5956HR5G -
RFQ
 ECAD 1823 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5956 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка При 152 200 1200 ОМ
SF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2005GHC0G -
RFQ
 ECAD 2526 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2005 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 10 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
BZV55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 0,0357
RFQ
 ECAD 7347 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B9V1TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 6,8 9.1. 10 ОМ
TSM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM300NB06CR RLG 15000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powerldfn TSM300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PDFN (5,2x5,75) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 6a (ta), 27a (TC) 10 В 30mohm @ 6a, 10 В 4,5 -50 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 1110 pf @ 30 v - 3,1 yt (ta), 56 yt (tc)
SS115LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMQG -
RFQ
 ECAD 4948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS115 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 900 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SRAS2040 Taiwan Semiconductor Corporation SRAS2040 1,7000
RFQ
 ECAD 484 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS2040 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 570 мВ @ 20 a 500 мка 40, 20 часов -
TSM60NC165CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI 5.0046
RFQ
 ECAD 7786 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM60NC165CI Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 24а (TC) 10 В 165mohm @ 11.3a, 10v 5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 30 v 1857 PF @ 300 - 89 Вт (ТС)
RB751V-40 Taiwan Semiconductor Corporation RB751V-40 0,0494
RFQ
 ECAD 3138 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RB751V-40TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 370 мВ @ 1ma 500 NA @ 30 V -45 ° C ~ 125 ° C. 30 май 2pf @ 0v, 1 мгест
SRF10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF10100HC0G -
RFQ
 ECAD 7638 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SRF10100 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 900 мВ @ 5 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
AZ23C2V7 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C2V7 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 7067 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 2,7 В. 83 О
MBR20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200CT-Y 0,5404
RFQ
 ECAD 7539 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR20200 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR20200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 700 м. @ 20 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
SS39 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS39 M6G -
RFQ
 ECAD 1464 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC SS39 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
S1JR2 Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 -
RFQ
 ECAD 9207 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA S1J Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка При 600 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SF1008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF1008GH 0,6140
RFQ
 ECAD 2661 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF1008 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SF1008GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 10 часов 1,7 - @ 5 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZV55B75 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B75 0,0357
RFQ
 ECAD 4571 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55B75TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 100 na @ 56 75 170 ОМ
BZD17C36P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RTG -
RFQ
 ECAD 5173 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 27 36 40 ОМ
SR16100 Taiwan Semiconductor Corporation SR16100 -
RFQ
 ECAD 3467 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-3 SR16100 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 16A 900 мВ @ 8 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
BC847A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 6411 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
F1T5GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t5gha0g -
RFQ
 ECAD 1212 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос F1T5 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation PUAD10BCH 0,9500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PUAD10 Станода ТИНДПАК СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0080 4500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10 часов 950 мВ @ 10 a 25 млн 2 мк -55 ° C ~ 175 ° C.
BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P R3G -
RFQ
 ECAD 8905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 36 47 В 45 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть