SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C39PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C39PHRQG -
RFQ
ECAD 3713 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 30 30 39 40 ОМ
BZD27C18PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PW 0,4900
RFQ
ECAD 14 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123W BZD27 1 Вт SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка @ 13 18 15 О
HS1DL Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL 0,2228
RFQ
ECAD 3121 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1DLTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SRS1660 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660 MNG -
RFQ
ECAD 1366 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS1660 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 16A 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMA4743HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4743HR3G -
RFQ
ECAD 4235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4743 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка 4,9 13 10 ОМ
6A05G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05G B0G -
RFQ
ECAD 5235 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru R-6, osevoй 6A05 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 6 a 10 мк -прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 60pf @ 4V, 1 мгест
RS1AL MTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al Mtg -
RFQ
ECAD 8055 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD17C200PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200PH 0,5588
RFQ
ECAD 1476 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C200PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 150 200 750 ОМ
BZT55B27 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B27 L1G -
RFQ
ECAD 3835 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 na @ 20 v 27 80 ОМ
ES3B V7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B V7G -
RFQ
ECAD 2794 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ES3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
1M160Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M160Z A0G -
RFQ
ECAD 2397 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m160 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 121,6 160 1100 ОМ
S1KFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation S1KFSHMWG 0,4800
RFQ
ECAD 21 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 S1K Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0 RHG 0,0412
RFQ
ECAD 9306 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 9 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
BZT55C62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C62 0,0343
RFQ
ECAD 5816 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-80 ВАРИАНТ 500 м Qmmelf СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT55C62TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 47 V 62 150 ОМ
BZD27C11PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11HRQG -
RFQ
ECAD 5539 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 4 мка 4,2 11 7 О
SFF506G Taiwan Semiconductor Corporation SFF506G -
RFQ
ECAD 8180 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF506 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 2,5 А 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
HS3M R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3M R7 -
RFQ
ECAD 5181 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HS3MR7TR Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 3 a 75 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
LSR102-J0 L0 Taiwan Semiconductor Corporation LSR102-J0 L0 -
RFQ
ECAD 9795 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер DO-213AB, MELF ШOTKIй Пособие - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-LSR102-J0L0TR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
1SMB5926HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926HR5G -
RFQ
ECAD 3587 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5926 3 Вт DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 1 мка @ 8,4 11 5,5 ОМ
MMSZ5239B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B RHG 0,0433
RFQ
ECAD 1927 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F MMSZ5239 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка При 7в 9.1. 10 ОМ
BZX585B5V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V1 RKG -
RFQ
ECAD 1899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,8 мка При 2 5,1 В. 60 ОМ
RS1JL R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL R3G 0,4600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 - @ 800 мая 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
SK26AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SK26AHR3G -
RFQ
ECAD 5432 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA SK26 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SF17G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF17G A0G -
RFQ
ECAD 2973 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SF17 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 1 a 35 м 5 мк -при 500 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZX84C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V3 0,0511
RFQ
ECAD 1461 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,06% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX84C3V3TR Ear99 8541.10.0050 6000 900 мВ @ 10 мая 5 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
1N5393G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393G B0G -
RFQ
ECAD 9595 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 1n5393 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1В @ 1,5 а 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 15pf @ 4V, 1 мг
31DF4 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 31DF4 B0G -
RFQ
ECAD 7680 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 31df4 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,7 - @ 3 a 35 м 20 мка 400 -40 ° С ~ 150 ° С. 3A -
1N4935G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4935G A0G -
RFQ
ECAD 3789 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4935 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SR2060 Taiwan Semiconductor Corporation SR2060 0,5920
RFQ
ECAD 8824 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SR2060 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 мВ @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
S1JL RUG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL Ruge 0,1605
RFQ
ECAD 8026 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1J Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе