SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Naprayжeniee - pipokratnogogohogohogos (mamaks) На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C130PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHM2G -
RFQ
 ECAD 3971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка рри 100 132,5 В. 300 ОМ
MBRS20H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H150CT 0,7342
RFQ
 ECAD 1055 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS20H150CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 150 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C.
SS1H6LSH Taiwan Semiconductor Corporation SS1H6LSH 0,1224
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H SS1H6 ШOTKIй SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS1H6LSHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 1 мка рри 60 В -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1N4763A Taiwan Semiconductor Corporation 1n4763a 0,1118
RFQ
 ECAD 8683 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4763 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мк. 91 250 ОМ
BZT52C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56 0,0453
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52C56TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 39,2 56 200 ОМ
SS15LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS15lhrfg -
RFQ
 ECAD 3070 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS15 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 700 мВ @ 1 a 400 мк -при 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
S1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation S1Jlsh 0,0597
RFQ
 ECAD 5346 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H Станода SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S1Jlshtr Ear99 8541.10.0080 20 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 - @ 1,2 а 5 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 1.2a -
HS1FLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1flh 0,2378
RFQ
 ECAD 4427 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1flhtr Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
1N4744A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n4744a b0g -
RFQ
 ECAD 9844 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4744 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 5 мк. 15 14 ОМ
HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2M R5G 0,2455
RFQ
 ECAD 3758 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB HS2M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,7 - @ 2 a 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
D2SB20HD2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB20HD2G -
RFQ
 ECAD 3820 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL D2SB20 Станода Герб СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 2 A 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 200
BZX584B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B2V4 0,0790
RFQ
 ECAD 1870 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX584B2V4TR Ear99 8541.10.0050 8000 900 мВ @ 10 мая 50 мк @ 1 В 2,4 В. 100 ОМ
1N4754G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754G 0,0627
RFQ
 ECAD 5268 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4754 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N4754GTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 29,7 39 60 ОМ
SS34LH Taiwan Semiconductor Corporation SS34LH 0,3915
RFQ
 ECAD 4072 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS34 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS34LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A -
ES2JFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es2jfsh 0,1491
RFQ
 ECAD 5292 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-es2jfshtr Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 21pf @ 4V, 1 мгха
SR506 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR506 B0G -
RFQ
 ECAD 8072 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SR506 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 5 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
HER1606PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1606PT C0G -
RFQ
 ECAD 6901 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 HER1606 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,7 - @ 8 a 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BSS138 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BSS138 RFG 0,3700
RFQ
 ECAD 64 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 50 260 мая (таблица) 4,5 В, 10. 2,5OM @ 260MA, 10 В 1,6 В @ 250 мк 2 NC @ 10 V ± 20 В. 32 PF @ 25 V - 357 м.
SRT14H Taiwan Semiconductor Corporation SRT14H 0,0627
RFQ
 ECAD 8353 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос SRT14 ШOTKIй TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 мВ @ 1 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
SRAF10100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF10100 C0G -
RFQ
 ECAD 4395 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF10100 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 10 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
MUR440SHR7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440SHR7G -
RFQ
 ECAD 7197 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR440 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 4 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
1N4004GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GHB0G -
RFQ
 ECAD 8791 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4004 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1 V @ 1 A 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SFF1002GA C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GA C0G -
RFQ
 ECAD 3660 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1002 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRS20H200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20H200CT 0,7722
RFQ
 ECAD 9101 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS20 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS20H200CTTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 20 часов 970 мВ @ 20 a 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C.
HS1BLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1BLH 0,2378
RFQ
 ECAD 2442 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HS1BLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 50 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
SF2003GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003GHC0G -
RFQ
 ECAD 5685 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2003 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 975 MV @ 10 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 20 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
TS15P04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P04G C2G -
RFQ
 ECAD 8810 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, ts-6p TS15P04 Станода TS-6p СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 мка 400 15 а ОДИНАНАНА 400
TSS70L Taiwan Semiconductor Corporation TSS70L 0,0916
RFQ
 ECAD 5320 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) TSS70 ШOTKIй 1005 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-tss70ltr Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 70 1 V @ 15 мая 5 млн 100 Na @ 70 -65 ° C ~ 125 ° C. 70 май 2pf @ 0v, 1 мгест
MBR6060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR6060PTH 2.7251
RFQ
 ECAD 3741 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 MBR6060 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBR6060PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 60A 930 мВ @ 60 a 1 мая @ 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRS1045H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1045H 0,5092
RFQ
 ECAD 6645 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS1045 ШOTKIй TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-MBRS1045HTR Ear99 8541.10.0080 1600 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 100 мка 45 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть