SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SFT12G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SFT12G R0G -
RFQ
 ECAD 2095 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Т-18, Ос SFT12 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
RS1BLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1blhmqg -
RFQ
 ECAD 1599 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
S2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2J R5G -
RFQ
 ECAD 2830 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB S2J Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 h @ 2 a 1,5 мкс 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 30pf @ 4V, 1 мгест
1SMA5950H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5950H 0,0995
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA5950 1,5 DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 500 NA @ 83,6 110 300 ОМ
1SMC5352 M6 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 M6 -
RFQ
 ECAD 3206 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1SMC5352M6TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка рри 11,5 15 2,5 ОМ
SK39AH Taiwan Semiconductor Corporation SK39AH 0,1746
RFQ
 ECAD 5144 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK39AHTR Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
1PGSMC5366 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366 V7G -
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5366V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 29,7 39 14 ОМ
RS1BL M2G Taiwan Semiconductor Corporation RS1BL M2G -
RFQ
 ECAD 5396 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
1T3G A1G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G A1G -
RFQ
 ECAD 9957 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - ЛЕЙНТА и КОРОБЕККА (ТУБЕРКУЛЕГ) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос 1t3g Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1 V @ 1 A 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
UF4003HB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF4003HB0G -
RFQ
 ECAD 9239 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4003 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
BZT52B47 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47 0,0453
RFQ
 ECAD 2716 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52b 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZT52B47TR Ear99 8541.10.0050 6000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 33 V 47 В 170 ОМ
2M13ZH Taiwan Semiconductor Corporation 2M13ZH 0,1667
RFQ
 ECAD 1001 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M13 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 9,9 13 5 ОМ
SS16L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RFG -
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS16 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 1 a 400 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SRAF590HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF590HC0G -
RFQ
 ECAD 6956 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-2 SRAF590 ШOTKIй ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
HS5F Taiwan Semiconductor Corporation HS5F 0,2748
RFQ
 ECAD 8690 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC HS5F Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 80pf @ 4V, 1 мгха
MBR30100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100CTH -
RFQ
 ECAD 9993 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru 220-3 MBR30100 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 100 30A 940 мВ @ 30 a 200 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
RS3B R6G Taiwan Semiconductor Corporation RS3B R6G -
RFQ
 ECAD 4160 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-RS3BR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.3 V @ 3 a 150 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
SR1660PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1660PT C0G -
RFQ
 ECAD 1281 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR1660 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 16A 700 мВ @ 8 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRF10200 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10200 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 MBRF1020 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1,05 В @ 10 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
HSKLWH Taiwan Semiconductor Corporation HSKLWH 0,0906
RFQ
 ECAD 3511 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W Станода SOD-123W СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HSKLWHTR Ear99 8541.10.0080 20 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 В @ 800 мая 75 м 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 5pf @ 4V, 1 мгест
SRS2050HMNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2050HMNG -
RFQ
 ECAD 6502 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRS2050 Станода TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 50 20 часов 700 мВ @ 10 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
1SMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944H 0,1545
RFQ
 ECAD 4101 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 Вт DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 мка @ 47,1 62 100 ОМ
2M91Z Taiwan Semiconductor Corporation 2m91z 0,1565
RFQ
 ECAD 3462 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2m91 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3500 500 NA @ 69,2 91 125 ОМ
1N5822 Taiwan Semiconductor Corporation 1n5822 0,1788
RFQ
 ECAD 2061 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй 1n5822 ШOTKIй Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 525 м. @ 3 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 200pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C75P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P MQG -
RFQ
 ECAD 5914 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
AZ23C18 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C18 RFG 0,0786
RFQ
 ECAD 5708 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 na @ 14 v 18 50 ОМ
BZV55B51 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B51 L1G -
RFQ
 ECAD 4387 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 100 na @ 38 51 125 ОМ
1M110Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M110Z R1G -
RFQ
 ECAD 9811 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1m110 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 83,6 110 450 ОМ
ES1BHM2G Taiwan Semiconductor Corporation ES1BHM2G -
RFQ
 ECAD 6126 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA Es1b Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
SS510FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS510FSH 0,4800
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 SS510 ШOTKIй SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 14 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 м. @ 5 a 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A 164pf @ 4V, 1 мгест
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть