SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
S1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1M R3G -
RFQ
 ECAD 4125 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA S1M Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 1 мка @ 1000 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 12pf @ 4V, 1 мгновение
SRAS8100 Taiwan Semiconductor Corporation SRAS8100 0,6279
RFQ
 ECAD 9504 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SRAS8100 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 8 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
D2SB20 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB20 D2G -
RFQ
 ECAD 2760 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-SIP, GBL D2SB20 Станода Герб СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 25 1.1 V @ 2 A 10 мк. 2 а ОДИНАНАНА 200
SF12GH Taiwan Semiconductor Corporation SF12GH -
RFQ
 ECAD 5228 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-204AL (DO-41) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 1801-SF12GHTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
MUR315S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR315S V7G -
RFQ
 ECAD 1962 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC MUR315 Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 25 млн 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A -
BZV55B3V3 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V3 L1G -
RFQ
 ECAD 7355 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Bzv55b 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3.3в 85 ОМ
SSL12 Taiwan Semiconductor Corporation SSL12 0,1311
RFQ
 ECAD 8415 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SSL12 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 390 мВ @ 1 a 200 мк @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
HERA804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERA804G C0G -
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 HERA804 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1 V @ 8 A 50 млн 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 65pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C62PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62PHRTG -
RFQ
 ECAD 6013 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
BZY55C12 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c12 0,0350
RFQ
 ECAD 8444 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-bzy55c12tr Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 9,1 12 20 ОМ
TSZU52C6V2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C6V2 RGG 0,0669
RFQ
 ECAD 5568 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 0603 (1608 МЕТРИКА) TSZU52 150 м 0603 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 4000 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
1N5225B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5225B A0G -
RFQ
 ECAD 5533 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% 100 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5225 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 5000 1,1 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3 В 29 ОМ
BZX79C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C8V2 0,0287
RFQ
 ECAD 7899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-BZX79C8V2TR Ear99 8541.10.0050 20 000 1,5 Е @ 100 мая 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
MBRF5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5150H -
RFQ
 ECAD 6639 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 ШOTKIй ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер 1801-MBRF5150H Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1,02 В @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
TSUP10M45SH Taiwan Semiconductor Corporation TSUP10M45SH 1.5100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn Tsup10 ШOTKIй SMPC4.6U СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 600 мВ @ 10 a 200 мк @ 45 -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 1099pf @ 4V, 1 мгновение
BZD27C200P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P RUGE -
RFQ
 ECAD 1932 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 150 200 750 ОМ
BZX79C12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 A0G -
RFQ
 ECAD 4600 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 100 na @ 8 v 12 25 ОМ
MURF1660CTH Taiwan Semiconductor Corporation MURF1660CTH 0,7551
RFQ
 ECAD 9484 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MURF1660 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 16A 1,5 @ 8 a 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
BZX85C13 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C13 A0G -
RFQ
 ECAD 7059 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй BZX85 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 10 мая 500 NA @ 10 V 13 10 ОМ
MBR2060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060CT-y 0,4737
RFQ
 ECAD 3364 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 MBR2060 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-MBR2060CT-y Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 20 часов 700 м. @ 20 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
MBRF1060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060CTH -
RFQ
 ECAD 6220 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка MBRF106 ШOTKIй Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 60 10 часов 900 мВ @ 10 a 100 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZY55B13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b13 Ryg -
RFQ
 ECAD 9938 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 Na @ 10 V 13 26 ОМ
BZD17C200PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C200PH 0,5588
RFQ
 ECAD 1476 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-BZD17C200PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 200 MMA 1 мка При 150 200 750 ОМ
TSP10H60S Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H60S 0,5346
RFQ
 ECAD 9758 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSP10 ШOTKIй TO-277A (SMPC) СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-TSP10H60STR Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 640 мВ @ 10 a 150 мкр. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
BZV55C3V9 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C3V9 L0G 0,0333
RFQ
 ECAD 8375 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
BZT55C68 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C68 L1G -
RFQ
 ECAD 5376 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 10 мая 100 Na @ 51 V 68 В 160 ОМ
SF28GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF28GHA0G -
RFQ
 ECAD 9710 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй SF28 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0080 1500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,7 - @ 2 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 20pf @ 4V, 1 мгха
1PGSMC5359HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359HR7G 0,8300
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 18,2 24 4 О
SS24LH Taiwan Semiconductor Corporation SS24LH 0,3210
RFQ
 ECAD 5191 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS24 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 Додер 1801-SS24LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 2 a 400 мкр 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
BZX79C43 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C43 A0G -
RFQ
 ECAD 9139 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Додер Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 50 NA @ 30,1 43 В. 150 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть