SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
AZ23C30 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C30 0,0786
RFQ
 ECAD 9905 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-AZ23C30TR Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 100 Na @ 22,5 30 80 ОМ
BAS19 Taiwan Semiconductor Corporation BAS19 0,0322
RFQ
 ECAD 2754 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS19 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BAS19TR Ear99 8541.10.0070 6000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1,25 Е @ 200 Ма 50 млн 100 na @ 100 v -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 5pf @ 0v, 1 мгц
ES3C M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3C M6 -
RFQ
 ECAD 1998 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3CM6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
S5J R7 Taiwan Semiconductor Corporation S5J R7 -
RFQ
 ECAD 9436 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-S5JR7TR Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,15 Е @ 5 a 1,5 мкс 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 5A 60pf @ 4V, 1 мгест
HER155G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER155G B0G -
RFQ
 ECAD 9292 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER155 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1В @ 1,5 а 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5а 35pf @ 4V, 1 мгест
1PGSMA4749 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4749 0,1086
RFQ
 ECAD 8480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1pgsma4749 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 18,2 24 25 ОМ
MBR16100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100 C0G -
RFQ
 ECAD 6583 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 MBR1610 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 16 a 300 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 16A -
RS1GLH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glh 0,1815
RFQ
 ECAD 9920 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-RS1GLHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° C. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C10P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10P RQG -
RFQ
 ECAD 5232 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 7 мк. 10 4 О
BZT52C56 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56 RHG 0,0453
RFQ
 ECAD 7871 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F Bzt52c 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 45 Na @ 39,2 56 200 ОМ
S10KC V7G Taiwan Semiconductor Corporation S10KC V7G 1.1300
RFQ
 ECAD 850 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S10K Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 10 A 1 мка При 800 В -55 ° C ~ 150 ° C. 10 часов 60pf @ 4V, 1 мгест
SS320 Taiwan Semiconductor Corporation SS320 0,1724
RFQ
 ECAD 6152 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC SS320 ШOTKIй DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 3 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 3A -
RS1B Taiwan Semiconductor Corporation RS1B 0,0929
RFQ
 ECAD 2338 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-rs1btr Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° C. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
SS36LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHMTG -
RFQ
 ECAD 8927 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS36 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 750 мВ @ 3 a 500 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 3A -
1N4744G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4744G R0G 0,0627
RFQ
 ECAD 9951 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4744 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мк. 15 14 ОМ
ESH1C R3G Taiwan Semiconductor Corporation ESH1C R3G 0,5800
RFQ
 ECAD 363 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA ESH1 Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 15 млн 1 мка При 150 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 16pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ15SB Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ15SB 0,0305
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj15 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-Mtzj15sbtr Ear99 8541.10.0050 10000 200 na @ 11 v 14.26 V. 40 ОМ
BZD27C10PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PHR3G 0,1166
RFQ
 ECAD 7597 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 7 мк. 10 4 О
S2JAH Taiwan Semiconductor Corporation S2JAH 0,0712
RFQ
 ECAD 3856 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-S2JAHTR Ear99 8541.10.0080 15 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,1 В @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
BZX584B5V1 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1 RKG -
RFQ
 ECAD 7043 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер SC-79, SOD-523 BZX584 150 м SOD-523F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 2 мка @ 2 В 5,1 В. 60 ОМ
SS215LH Taiwan Semiconductor Corporation SS215LH 0,3210
RFQ
 ECAD 4513 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123 SS215 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SS215LHTR Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° C. 2A -
BZV55C56 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C56 0,0333
RFQ
 ECAD 5190 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C56TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 42 56 135 ОМ
BZD17C27P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C27P R3G -
RFQ
 ECAD 1646 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 7,03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 20 27 15 О
RS2A M4G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A M4G -
RFQ
 ECAD 9813 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB RS2A Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 1,3 V @ 2 a 150 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° C. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
SR3040PT Taiwan Semiconductor Corporation SR3040PT 1.6215
RFQ
 ECAD 9219 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 SR3040 ШOTKIй TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 30A 550 м. @ 15 A 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C.
SFF506GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF506GHC0G -
RFQ
 ECAD 5333 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF506 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 Е @ 2,5 А 35 м 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° C. 5A 50pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C13P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P RQG -
RFQ
 ECAD 3591 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 2 мка При 10в 13,25 В. 10 ОМ
BZD27C75PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHRUG -
RFQ
 ECAD 6720 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
BZD27C6V8P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P RTG -
RFQ
 ECAD 6482 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5,88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 10 мк @ 3 В 6,8 В. 3 О
BZD17C75P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P 0,2625
RFQ
 ECAD 2047 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD17C75PTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 75 100 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть