SIC
close

Дискратн Пелупрововоднико -в Провудкт (15635)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
BZD27C180P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180P R3G 0,1676
RFQ
 ECAD 3840 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 130 179,5. 450 ОМ
SR115H Taiwan Semiconductor Corporation SR115H 0,0848
RFQ
 ECAD 8148 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй SR115 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 1 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
BZV55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C18 0,0333
RFQ
 ECAD 2162 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZV55C18TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 na @ 13 v 18 50 ОМ
BZT55C68 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C68 L0G 0,0350
RFQ
 ECAD 6930 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZT55 500 м Мини -Молф СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 10 мая 100 Na @ 51 V 68 В 160 ОМ
SSL23HR5G Taiwan Semiconductor Corporation SSL23HR5G -
RFQ
 ECAD 3473 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SSL23 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 410 мВ @ 2 a 400 мкр 30 -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
SS26LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS26LWH 0,3900
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123W SS26 ШOTKIй SOD-123W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 2 a 200 мк -пр. 60 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
RS3G V7G Taiwan Semiconductor Corporation RS3G V7G -
RFQ
 ECAD 5480 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC RS3G Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 150 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A -
BZD17C16P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P RTG -
RFQ
 ECAD 8617 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD17 800 м Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16 15 О
RS1GFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1gfshmwg 0,0934
RFQ
 ECAD 9593 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-128 RS1G Станода SOD-128 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 7pf @ 4V, 1 мгха
SRA1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1690HC0G -
RFQ
 ECAD 7901 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Пркрэно Чereз dыru ДО-220-2 SRA1690 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 920 мВ @ 16 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A -
MUR340SB R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340SB R5G 1.1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB MUR340 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 В @ 3 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
RS1BLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1blhrug -
RFQ
 ECAD 9935 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB RS1B Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1,3 - @ 800 мая 150 млн 5 мк -4 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 800 май 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C43PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C43PHMQG -
RFQ
 ECAD 8543 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 33 43 В. 45 ОМ
UG56GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56GHA0G -
RFQ
 ECAD 4129 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй UG56 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,55 В @ 5 a 20 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 5A -
BZD27C24P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P MQG -
RFQ
 ECAD 2066 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
TSM13ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM13ND50CI 4.4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM13 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 13a (TC) 10 В 480mom @ 3,3a, 10 В 3,8 В @ 250 мк 39 NC @ 10 V ± 30 v 1877 PF @ 50 V - 57W (TC)
BZS55B7V5 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B7V5 Rag -
RFQ
 ECAD 3057 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 1206 (3216 МЕТРИКА) BZS55 500 м 1206 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-BZS55B7V5RAGTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
1PGSMC5361HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361HR7G 0,7800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 20,6 27 5 ОМ
SF65GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF65GHB0G -
RFQ
 ECAD 8421 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF65 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1,3 V @ 6 a 35 м 5 мка @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 50pf @ 4V, 1 мгест
BZT52C3V0S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V0S RRG 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F Bzt52c 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 V @ 10 мая 9 мка @ 1 В 3 В 100 ОМ
UDZS3V9B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V9B 0,0416
RFQ
 ECAD 9325 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F UDZS3V9 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-udzs3v9btr Ear99 8541.10.0050 6000 2,7 мк -при. 3,9 В. 90 ОМ
GBPC5008 Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5008 4.5670
RFQ
 ECAD 8542 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ GBPC50 Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, GBPC GBPC5008 Станода GBPC СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-GBPC5008 Ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 25 A 10 мк. 50 а ОДИНАНАНА 800 В
TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC620CI C0G 4,4000
RFQ
 ECAD 7012 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1801-TSM60NC620CIC0G 4000 N-канал 600 7A (TC) 10 В 620MOHM @ 2,4A, 10 В 5V @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20 В. 506 PF @ 300 - 46W (TC)
UF1KHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1KHB0G -
RFQ
 ECAD 7747 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1K Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1 a 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
MBRS2045CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2045CT MNG -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB MBRS2045 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 20 часов 840 мВ @ 20 a 100 мка 45 -55 ° C ~ 150 ° С.
BZX55C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V6 0,0287
RFQ
 ECAD 7236 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55C3V6TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
MUR420 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR420 B0G -
RFQ
 ECAD 5287 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Mur420 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 890 мВ @ 4 a 25 млн 5 мка При 200 -55 ° C ~ 175 ° C. 4 а 65pf @ 4V, 1 мгест
SFF1604G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1604G 1.5400
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1604 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 16 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 80pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C75PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PH 0,2933
RFQ
 ECAD 3205 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C75PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 56 74,5. 100 ОМ
HER3006PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER3006PTH 1.8804
RFQ
 ECAD 2941 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 247-3 Станода TO-247AD (TO-3P) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-HER3006PTH Ear99 8541.10.0080 900 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 30 часов 1,7 - @ 15 A 80 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть