SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BZD27C13P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C13P Mtg -
RFQ
ECAD 2307 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 2 мка При 10в 13,25 В. 10 ОМ
MUR840 Taiwan Semiconductor Corporation MUR840 -
RFQ
ECAD 5357 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-Mur840 Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1.3 V @ 8 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 8. -
SF43G Taiwan Semiconductor Corporation SF43G -
RFQ
ECAD 5568 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SF43GTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 1 V @ 4 A 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 4 а 100pf @ 4V, 1 мгха
M3Z3V6C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z3V6C 0,0294
RFQ
ECAD 4606 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F M3Z3 200 м SOD-323F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-M3Z3V6CTR Ear99 8541.10.0050 6000 10 мка @ 1 В 3,6 В. 85 ОМ
BC338-25-B0 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25-B0 B1G -
RFQ
ECAD 1839 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC338-25-B0B1G Управо 1 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
ES1ALHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Es1alhrfg -
RFQ
ECAD 2405 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB Es1a Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 1 a 35 м 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
RS2M Taiwan Semiconductor Corporation RS2M 0,0946
RFQ
ECAD 3508 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB RS2M Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,3 V @ 2 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A 50pf @ 4V, 1 мгест
BZX79B15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B15 A0G -
RFQ
ECAD 1243 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX79 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 100 мая 10,5 мая 50 м. 15 30 ОМ
1N4743AH Taiwan Semiconductor Corporation 1n4743ah 0,1188
RFQ
ECAD 1971 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4743 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 5 мка @ 38,8 13 95 ОМ
HER603G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER603G B0G -
RFQ
ECAD 5340 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru R-6, osevoй HER603 Станода R-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 400 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 6 A 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 80pf @ 4V, 1 мгха
SF33GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF33GHR0G -
RFQ
ECAD 4188 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Чereз dыru Do-201ad, Osevoй SF33 Станода Do-201ad СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 3 a 35 м 5 мк -прри 150 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 80pf @ 4V, 1 мгха
HER158G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER158G B0G -
RFQ
ECAD 8457 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй HER158 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1В @ 1,5 а 75 м 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 20pf @ 4V, 1 мгха
SFA1004GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004GHC0G -
RFQ
ECAD 2063 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 SFA1004 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 975 MV @ 10 A 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 70pf @ 4V, 1 мгха
RS1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS1J R3G 0,5200
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA RS1J Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 V @ 1 a 600 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
BZD27C9V1PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1PHRFG -
RFQ
ECAD 1244 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 10 мк -при 5в 9.05 V. 4 О
S1KL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1Kl RHG -
RFQ
ECAD 1318 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1K Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мк -400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
1N4936GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936GH 0,0613
RFQ
ECAD 7415 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4936 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 - @ 1 a 200 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 10pf @ 4V, 1 мгест
MTZJ5V6SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SA R0G 0,0305
RFQ
ECAD 9297 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AG, DO-34, OSEVOй Mtzj5 500 м DO-34 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 5,42 В. 60 ОМ
SK215A Taiwan Semiconductor Corporation SK215A 0,4100
RFQ
ECAD 19 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK215 ШOTKIй DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 950 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
TSPB5H100S Taiwan Semiconductor Corporation TSPB5H100S 0,9900
RFQ
ECAD 18 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn TSPB5 ШOTKIй SMPC4.0 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 6000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 660 мВ @ 5 a 150 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SS22H Taiwan Semiconductor Corporation SS22H -
RFQ
ECAD 5899 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB ШOTKIй DO-214AA (SMB) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SS22HTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 400 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 2A -
1SMA4756HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4756HR3G -
RFQ
ECAD 5993 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA 1SMA4756 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1800 1 мка @ 35,8 47 В 80 ОМ
HER602G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G -
RFQ
ECAD 4000 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru R-6, osevoй Станода R-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HER602GTR Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 6 A 50 млн 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 6A 80pf @ 4V, 1 мгха
S1AL M2G Taiwan Semiconductor Corporation S1AL M2G -
RFQ
ECAD 5054 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB S1A Станода Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 1 a 1,8 мкс 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A 9pf @ 4V, 1 мгест
BZX55B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V9 0,0301
RFQ
ECAD 9243 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй BZX55 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZX55B3V9TR Ear99 8541.10.0050 10000 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3,9 В. 85 ОМ
HS2KA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2KA R3G -
RFQ
ECAD 8001 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AC, SMA HS2K Станода DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1800 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,7 - @ 1,5 а 75 м 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 30pf @ 4V, 1 мгест
TSM8N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N80CI C0G 2.6700
RFQ
ECAD 995 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM8N80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 800 В 8a (TC) 10 В 1,05OM @ 4A, 10 В 4 В @ 250 мк 41 NC @ 10 V ± 30 v 1921 PF @ 25 V - 40,3 Вт (TC)
BZY55C7V5 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c7v5 ryg 0,0350
RFQ
ECAD 6307 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 0805 (МЕТРИКА 2012 ГОДА) Bzy55 500 м 0805 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 Е @ 10 мая 100 na @ 5 v 7,5 В. 7 О
SFF1607GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1607GHC0G -
RFQ
ECAD 5135 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка SFF1607 Станода Ito-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 8 a 35 м 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 16A 50pf @ 4V, 1 мгест
HERAF1005G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF1005G -
RFQ
ECAD 2327 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 Станода ITO-220AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-HERAF1005G Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 10 a 50 млн 10 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов 80pf @ 4V, 1 мгха
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе