SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f На Иппедс (mmaks) (zzt)
SF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation SF2008GH 0,7872
RFQ
ECAD 4122 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 SF2008 Станода ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-SF2008GH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 600 20 часов 1,7 - @ 10 a 35 м 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С.
S12JC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12JC M6G -
RFQ
ECAD 5040 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC S12J Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 12 A 1 мка При 600 -55 ° C ~ 150 ° С. 12A 78pf @ 4V, 1 мгест
S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1jlshrvg 0,4500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123H S1J Станода SOD-123HE СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 Е @ 1,2 а 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1.2a -
HERAF803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HERAF803G C0G -
RFQ
ECAD 9934 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен Чereз dыru 220-2 HERAF803 Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 8 A 50 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. 80pf @ 4V, 1 мгха
SK810C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R6 -
RFQ
ECAD 6475 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ШOTKIй DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SK810CR6TR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 900 мВ @ 8 a 500 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
BZD27C24PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRFG -
RFQ
ECAD 7989 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 18 24,2 В. 15 О
ES3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R7G -
RFQ
ECAD 1507 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC ES3B Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 950 мВ @ 3 a 35 м 10 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
UG06AH Taiwan Semiconductor Corporation UG06AH 0,1016
RFQ
ECAD 2313 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос UG06 Станода TS-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 950 мВ @ 600 мая 15 млн 5 мка прри 50 -55 ° C ~ 150 ° С. 600 май 9pf @ 4V, 1 мгест
ES3FH Taiwan Semiconductor Corporation Es3fh 0,2298
RFQ
ECAD 2375 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 300 1.3 V @ 3 a 35 м 10 мк @ 300 -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 30pf @ 4V, 1 мгест
2M14ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m14zhb0g -
RFQ
ECAD 6737 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 2M14 2 Вт DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1000 500 NA @ 10,6 14 5,5 ОМ
1N5817HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1n5817hb0g -
RFQ
ECAD 9091 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5817 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 450 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
SK12B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK12B M4G -
RFQ
ECAD 1348 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK12 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
RS1KM Taiwan Semiconductor Corporation RS1KM 0,3900
RFQ
ECAD 12 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 2-SMD, Плоскин С.С. RS1K Станода МИКРО СМА СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-rs1kmtr Ear99 8541.10.0080 12 000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 800 В 1,3 V @ 1 a 500 млн 5 мк -400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SS19L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L Rtg -
RFQ
ECAD 6478 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS19 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
SK14BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK14BHR5G -
RFQ
ECAD 7050 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AA, SMB SK14 ШOTKIй DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 850 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 мВ @ 1 a 500 мка 40, -55 ° C ~ 125 ° C. 1A -
MUR140SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur140sh 0,1162
RFQ
ECAD 1131 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB MUR140 Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,25 - @ 1 a 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N4148WS-G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148WS-G 0,0251
RFQ
ECAD 6753 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-76, SOD-323 1N4148 Станода SOD-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N4148WS-GTR Ear99 8541.10.0080 9000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 75 1,25 В @ 150 4 млн 1 мка При 75 150 ° С 150 май 2pf @ 0v, 1 мгест
TSS0340L Taiwan Semiconductor Corporation TSS0340L 0,0845
RFQ
ECAD 1830 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 1005 (2512 МЕТРИКА) TSS0340 ШOTKIй 1005 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSS0340LTR Ear99 8541.10.0070 4000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 45 370 мВ @ 1ma 1 мка 40, -40 ° C ~ 125 ° C. 30 май 1,5pf @ 1V, 1 мг
BZD27C12PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PH 0,2933
RFQ
ECAD 6614 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOD-123 BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BZD27C12PHTR Ear99 8541.10.0050 10000 1,2 - @ 200 Ма 3 мк -при 9,1 12.05 V. 7 О
1N4755G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755G 0,0627
RFQ
ECAD 8216 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1N4755 1 Вт DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-1N4755GTR Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 32,7 43 В. 70 ОМ
ES3DV R6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3DV R6G -
RFQ
ECAD 8345 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер DO-214AB, SMC Станода DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-ES3DVR6GTR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 3 a 20 млн 10 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 3A 45pf @ 4V, 1 мгест
SS210LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation SS210LHMTG -
RFQ
ECAD 1977 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS210 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 850 мВ @ 2 a 100 мк -пки 100 -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
SRT13H Taiwan Semiconductor Corporation SRT13H -
RFQ
ECAD 4555 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Т-18, Ос ШOTKIй TS-1 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SRT13HTR Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 1 a 500 мк. -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 110pf @ 4V, 1 мгновение
SR509H Taiwan Semiconductor Corporation SR509H -
RFQ
ECAD 8757 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201ad, Osevoй ШOTKIй Do-201ad - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-SR509HTR Ear99 8541.10.0080 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 м. @ 5 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 5A -
SS29L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS29L RQG -
RFQ
ECAD 5522 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS29 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 850 мВ @ 2 a 100 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 2A -
UF1GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1GHR1G -
RFQ
ECAD 6036 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF1G Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1 V @ 1 A 50 млн 5 мка 400 -55 ° C ~ 150 ° С. 1A 17pf @ 4V, 1 мгха
SS19L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RFG -
RFQ
ECAD 7497 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-219AB SS19 ШOTKIй Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 800 мВ @ 1 a 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1A -
1PGSMC5369 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5369 R6G -
RFQ
ECAD 2396 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 Вт DO-214AB (SMC) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-1PGSMC5369R6GTR Ear99 8541.10.0050 3000 500 NA @ 38,8 51 27 О
1N5819HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5819HA0G -
RFQ
ECAD 6906 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n5819 ШOTKIй DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 600 мВ @ 1 a 1 май @ 40 -55 ° C ~ 125 ° C. 1A 55pf @ 4V, 1 мгха
BZD27C16PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PHRTG -
RFQ
ECAD 3889 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5,55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-219AB BZD27 1 Вт Скабма СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 1,2 - @ 200 Ма 1 мка При 12в 16,2 В. 15 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе