Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIRA52ADP-T1-RE3 | 1,4400 | ![]() | 380 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИРА52 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 40 В | 41,6А (Та), 131А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 1,63 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 100 НК при 10 В | +20 В, -16 В | 5500 пФ при 20 В | - | 4,8 Вт (Та), 48 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIR618DP-T1-GE3 | 1.1000 | ![]() | 4242 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТандерФЕТ® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР618 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 200 В | 14,2 А (Тс) | 7,5 В, 10 В | 95 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 16 НК при 7,5 В | ±20 В | 740 пФ при 100 В | - | 48 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI5463EDC-T1-E3 | - | ![]() | 7368 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5463 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 20 В | 3,8 А (Та) | 1,8 В, 4,5 В | 62 мОм при 4 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 15 нк @ 4,5 В | ±12 В | - | 1,25 Вт (Та) | |||||
![]() | IRF830S | - | ![]() | 6092 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ830 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRF830S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 500 В | 4,5 А (Тс) | 10 В | 1,5 Ом @ 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | ±20 В | 610 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 74 Вт (Тс) | |||
![]() | IRFD010PBF | - | ![]() | 4496 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | ИРФД010 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4-ХВМДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRFD010PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 50 В | 1,7 А (Тс) | 10 В | 200 мОм при 860 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 13 нк @ 10 В | ±20 В | 250 пФ при 25 В | - | 1 Вт (Тс) | |||
![]() | SI9407BDY-T1-E3 | 1,3900 | ![]() | 958 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ9407 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | P-канал | 60 В | 4,7 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 120 мОм при 3,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 22 НК при 10 В | ±20 В | 600 пФ при 30 В | - | 5 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI3430DV-T1-E3 | 1.2500 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СИ3430 | МОП-транзистор (оксид металла) | 6-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 100 В | 1,8 А (Та) | 6В, 10В | 170 мОм при 2,4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА (мин) | 6,6 нк при 10 В | ±20 В | - | 1,14 Вт (Та) | ||||||
![]() | SI4752DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8028 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | SkyFET®, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4752 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 30 В | 25А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 5,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | 43 НК при 10 В | ±20 В | 1700 пФ при 15 В | Диод Шоттки (корпус) | 3 Вт (Та), 6,25 Вт (Тс) | |||||
![]() | SIHG73N60AE-GE3 | 11.4800 | ![]() | 74 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Э | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SIHG73 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 600 В | 60А (Тс) | 10 В | 40 мОм при 36,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 394 НК при 10 В | ±30 В | 5500 пФ при 100 В | - | 417 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI4330DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6712 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4330 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 N-канала (двойной) | 30 В | 6,6А | 16,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
| IRF9640 | - | ![]() | 3506 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRF9640 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRF9640 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | P-канал | 200 В | 11А (Тс) | 10 В | 500 мОм при 6,6 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 44 НК при 10 В | ±20 В | 1200 пФ при 25 В | - | 125 Вт (Тс) | ||||
| СУП90Н08-7М7П-Е3 | - | ![]() | 9675 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | СУП90 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-канал | 75 В | 90А (Тс) | 10 В | 7,7 мОм при 20 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 105 НК при 10 В | ±20 В | 4250 пФ при 30 В | - | 3,75 (Та), 208,3 Вт (Т Втс) | |||||
![]() | SI7720DN-T1-GE3 | 0,9072 | ![]() | 7889 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | SkyFET®, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -50°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 | СИ7720 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 1212-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 12А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 12,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 45 НК при 10 В | ±20 В | 1790 пФ при 15 В | - | 3,8 Вт (Та), 52 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI7382DP-T1-E3 | - | ![]() | 3953 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИ7382 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 14А (Та) | 4,5 В, 10 В | 4,7 мОм при 24 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 40 НК при 4,5 В | ±20 В | - | 1,8 Вт (Та) | |||||
![]() | SIS890DN-T1-GE3 | 1.4000 | ![]() | 622 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 | СИС890 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 1212-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 100 В | 30А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 23,5 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 29 НК при 10 В | ±20 В | 802 пФ при 50 В | - | 3,7 Вт (Та), 52 Вт (Тс) | |||||
![]() | СИР462ДП-Т1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 2837 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР462 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 30А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 7,9 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | ±20 В | 1155 пФ при 15 В | - | 4,8 Вт (Та), 41,7 Вт (Тс) | |||||
| ИРЛ510ПБФ | 1,3500 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | ИРЛ510 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRL510PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 100 В | 5,6 А (Тс) | 4В, 5В | 540 мОм при 3,4 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 6,1 нк при 5 В | ±10 В | 250 пФ при 25 В | - | 43 Вт (Тс) | |||||
![]() | VP0808B-E3 | - | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | ВП0808 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-39 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | P-канал | 80 В | 880 мА (Та) | 10 В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 4,5 В @ 1 мА | ±20 В | 150 пФ при 25 В | - | 6,25 Вт (Та) | |||||
![]() | IRF9Z34STRL | - | ![]() | 5321 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | IRF9 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P-канал | 60 В | 18А (Тс) | 10 В | 140 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 34 НК при 10 В | ±20 В | 1100 пФ при 25 В | - | 3,7 Вт (Та), 88 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI4963BDY-T1-GE3 | 0,7796 | ![]() | 4291 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4963 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 4,9А | 32 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 21 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | |||||||
![]() | SIAA00DJ-T1-GE3 | 0,6800 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SC-70-6 | СИАА00 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® SC-70-6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 25 В | 20,1 А (Та), 40 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 5,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | +16В, -12В | 1090 пФ при 12,5 В | - | 3,5 Вт (Та), 19,2 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFI9634GPBF | 3.0900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | IRFI9634 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRFI9634GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P-канал | 250 В | 4,1 А (Тс) | 10 В | 1 Ом при 2,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | ±20 В | 680 пФ при 25 В | - | 35 Вт (Тс) | ||||
![]() | IRLR110TRPBF | 0,9300 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ИРЛР110 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д-Пак | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 100 В | 4,3 А (Тс) | 4В, 5В | 540 мОм при 2,6 А, 5 В | 2 В @ 250 мкА | 6,1 нк при 5 В | ±10 В | 250 пФ при 25 В | - | 2,5 Вт (Та), 25 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI4967DY-T1-E3 | - | ![]() | 2784 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4967 | МОП-транзистор (оксид металла) | 2 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 P-канала (двойной) | 12 В | - | 23 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 55 НК при 10 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI7940DP-T1-E3 | - | ![]() | 9697 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SO-8 двойной | СИ7940 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,4 Вт | PowerPAK® SO-8 двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канала (двойной) | 12 В | 7,6А | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI9934BDY-T1-GE3 | - | ![]() | 3322 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ9934 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | 2 P-канала (двойной) | 12 В | 4,8А | 35 мОм при 6,4 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI5432DC-T1-GE3 | - | ![]() | 9623 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5432 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 20 В | 6А (Тс) | 2,5 В, 4,5 В | 20 мОм при 8,3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 33 НК при 10 В | ±12 В | 1200 пФ при 10 В | - | 2,5 Вт (Та), 6,3 Вт (Тс) | ||||
| IRF644NPBF | - | ![]() | 6534 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRF644 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRF644NPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 250 В | 14А (Тс) | 10 В | 240 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 54 НК при 10 В | ±20 В | 1060 пФ при 25 В | - | 150 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI7230DN-T1-E3 | 0,6174 | ![]() | 7373 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 | СИ7230 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 1212-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 9А (Та) | 4,5 В, 10 В | 12 мОм при 14 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 5 В | ±20 В | - | 1,5 Вт (Та) | ||||||
![]() | 2N6661 | - | ![]() | 9123 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 2N6661 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-39 | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-канал | 90 В | 860 мА (Тс) | 5В, 10В | 4 Ом при 1 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | ±20 В | 50 пФ при 25 В | - | 725 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc) |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)