Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI5517DU-T1-GE3 | 1.1800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® ChipFET™ двойной | СИ5517 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8,3 Вт | PowerPAK® ChipFet, двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N и P-канал | 20 В | 6А | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 16 НК при 8 В | 520пФ при 10В | Ворота логического уровня | |||||||
![]() | SUD50P04-13L-GE3 | - | ![]() | 8598 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 50 долл. США | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | P-канал | 40 В | 60А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 13 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 95 НК при 10 В | ±20 В | 3120 пФ при 25 В | - | 3 Вт (Та), 93,7 Вт (Тс) | ||||
![]() | SQJ481EP-T1_GE3 | 1,0000 | ![]() | 3253 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | SQJ481 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 80 В | 16А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 80 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 50 НК при 10 В | ±20 В | 2000 пФ при 25 В | - | 45 Вт (Тс) | |||||
![]() | ИРФР9020 | - | ![]() | 6135 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ИРФР9020 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д-Пак | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *ИРФР9020 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | P-канал | 50 В | 9,9 А (Тс) | 10 В | 280 мОм при 5,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14 НК @ 10 В | ±20 В | 490 пФ при 25 В | - | 42 Вт (Тс) | |||
![]() | IRF640STRL | - | ![]() | 4966 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ640 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 200 В | 18А (Тс) | 10 В | 180 мОм при 11 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 70 НК при 10 В | ±20 В | 1300 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 130 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI4435FDY-T1-GE3 | 0,4900 | ![]() | 5590 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen III | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | СИ4435 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | P-канал | 30 В | 12,6 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 19 мОм при 9 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 42 НК при 10 В | ±20 В | 1500 пФ при 15 В | - | 4,8 Вт (Тс) | |||||
![]() | SQM40061EL_GE3 | 1,8400 | ![]() | 5993 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | SQM40061 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-263 (Д²Пак) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P-канал | 40 В | 100А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 5,1 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 280 НК при 10 В | ±20 В | 14500 пФ при 25 В | - | 150 Вт (Тс) | |||||
![]() | IRFBC20STRLPBF | 2,9100 | ![]() | 358 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | IRFBC20 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 600 В | 2,2 А (Тс) | 10 В | 4,4 Ом при 1,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18 НК при 10 В | ±20 В | 350 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 50 Вт (Тс) | |||||
![]() | СУД35Н10-26П-Е3 | 2.1700 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | СУД35 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-252АА | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 100 В | 35А (Тс) | 7В, 10В | 26 мОм при 12 А, 10 В | 4,4 В при 250 мкА | 47 НК при 10 В | ±20 В | 2000 пФ при 12 В | - | 8,3 Вт (Та), 83 Вт (Тс) | |||||
![]() | SI7905DN-T1-GE3 | - | ![]() | 2854 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 двойной | СИ7905 | МОП-транзистор (оксид металла) | 20,8 Вт | PowerPAK® 1212-8 двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 40В | 6А | 60 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | 880пФ при 20 В | - | |||||||
![]() | SQ2362ES-T1_BE3 | 0,6700 | ![]() | 6746 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | SQ2362 | МОП-транзистор (оксид металла) | СОТ-23-3 (ТО-236) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 60 В | 4,3 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 68 мОм при 2,4 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 12 НК @ 10 В | ±20 В | 550 пФ при 30 В | - | 3 Вт (Тс) | ||||||
![]() | 2N6661-E3 | - | ![]() | 5595 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка | 2N6661 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-39 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-канал | 90 В | 860 мА (Тс) | 5В, 10В | 4 Ом при 1 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | ±20 В | 50 пФ при 25 В | - | 725 мВт (Ta), 6,25 Вт (Tc) | |||||
![]() | SQJ457EP-T1_GE3 | 0,9800 | ![]() | 6709 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | SQJ457 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | P-канал | 60 В | 36А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 25 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 100 НК при 10 В | ±20 В | 3400 пФ при 25 В | - | 68 Вт (Тс) | |||||
![]() | SQP90P06-07L_GE3 | - | ![]() | 6256 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | SQP90 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P-канал | 60 В | 120А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 6,7 мОм при 30 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 270 НК при 10 В | ±20 В | 14280 пФ при 25 В | - | 300 Вт (Тс) | ||||||
![]() | SI6975DQ-T1-GE3 | - | ![]() | 9438 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | СИ6975 | МОП-транзистор (оксид металла) | 830мВт | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 12 В | 4,3А | 27 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 5 мА (мин) | 30 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | IRF830STRL | - | ![]() | 8468 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ830 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 500 В | 4,5 А (Тс) | 10 В | 1,5 Ом @ 2,7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 38 НК при 10 В | ±20 В | 610 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 74 Вт (Тс) | ||||
![]() | ИРФД9120 | - | ![]() | 1664 г. | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) | ИРФД9120 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4-ХВМДИП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *ИРФД9120 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | P-канал | 100 В | 1А (Та) | 10 В | 600 мОм при 600 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 18 НК при 10 В | ±20 В | 390 пФ при 25 В | - | 1,3 Вт (Та) | |||
![]() | SI1033X-T1-GE3 | - | ![]() | 9858 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | СИ1033 | МОП-транзистор (оксид металла) | 250 мВт | СК-89 (СОТ-563Ф) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 145 мА | 8 Ом @ 150 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 1,5 нк @ 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SI5903DC-T1-E3 | - | ![]() | 3675 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-СМД, плоский вывод | СИ5903 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,1 Вт | 1206-8 ЧипFET™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 2,1А | 155 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 6 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня | ||||||
![]() | SIRA60DP-T1-GE3 | 1,4800 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИРА60 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 100А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 0,94 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА | 60 НК при 4,5 В | +20 В, -16 В | 7650 пФ при 15 В | - | 57 Вт (Тс) | |||||
![]() | СИР140ДП-Т1-РЕ3 | 2.1700 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ПауэрПАК® СО-8 | СИР140 | МОП-транзистор (оксид металла) | ПауэрПАК® СО-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 25 В | 71,9 А (Та), 100 А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 0,67 мОм при 20 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 170 НК при 10 В | +20 В, -16 В | 8150 пФ при 10 В | - | 6,25 (Та), 104 Вт (Тс) Вт | |||||
![]() | SIA913ADJ-T1-GE3 | 0,6200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | SIA913 | МОП-транзистор (оксид металла) | 6,5 Вт | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 12 В | 4,5 А | 61 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 20 НК при 8 В | 590пФ при 6В | Ворота логического уровня | |||||||
![]() | ИРФСЛ9Н60АТРЛ | - | ![]() | 3009 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA | ИРФСЛ9 | МОП-транзистор (оксид металла) | И2ПАК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-канал | 600 В | 9,2 А (Тс) | 10 В | 750 мОм при 5,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 49 НК при 10 В | ±30 В | 1400 пФ при 25 В | - | 170 Вт (Тс) | |||||
![]() | ИРФ634С | - | ![]() | 5391 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | ИРФ634 | МОП-транзистор (оксид металла) | Д²ПАК (ТО-263) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | *IRF634S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 250 В | 8,1 А (Тс) | 10 В | 450 мОм при 5,1 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 41 НК при 10 В | ±20 В | 770 пФ при 25 В | - | 3,1 Вт (Та), 74 Вт (Тс) | |||
| ИРФБ13Н50АПБФ | 3.5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | IRFB13 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 500 В | 14А (Тс) | 10 В | 450 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 81 НК при 10 В | ±30 В | 1910 пФ при 25 В | - | 250 Вт (Тс) | ||||||
![]() | СИЗ270ДТ-Т1-GE3 | 1,4100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerWDFN | СИЗ270 | МОП-транзистор (оксид металла) | 4,3 Вт (Та), 33 Вт (Тс) | 8-PowerPair® (3,3x3,3) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 N-канала (двойной) | 100В | 7,1 А (Та), 19,5 А (Тс), 6,9 А (Та), 19,1 А (Тс) | 37,7 мОм при 7 А, 10 В, 39,4 мОм при 7 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 27 НК при 10 В | 860пФ при 50В, 845пФ при 50В | - | ||||||||
![]() | СИС606БДН-Т1-GE3 | 1,4900 | ![]() | 7649 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | TrenchFET® Gen IV | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | PowerPAK® 1212-8 | СИС606 | МОП-транзистор (оксид металла) | PowerPAK® 1212-8 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 100 В | 9,4 А (Та), 35,3 А (Тс) | 7,5 В, 10 В | 17,4 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | ±20 В | 1470 пФ при 50 В | - | 3,7 Вт (Та), 52 Вт (Тс) | |||||
| СУП75П05-08-Е3 | - | ![]() | 2982 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | СУП75 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P-канал | 55 В | 75А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 8 мОм при 30 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 225 НК при 10 В | ±20 В | 8500 пФ при 25 В | - | 3,7 Вт (Та), 250 Вт (Тс) | ||||||
![]() | IRFP450PBF | 3.5400 | ![]() | 757 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | ИРФП450 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247АС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | *IRFP450PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 500 В | 14А (Тс) | 10 В | 400 мОм при 8,4 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 150 НК при 10 В | ±20 В | 2600 пФ при 25 В | - | 190 Вт (Тс) | ||||
![]() | SI3905DV-T1-E3 | - | ![]() | 2157 | 0,00000000 | Вишай Силиконикс | ТренчFET® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СИ3905 | МОП-транзистор (оксид металла) | 1,15 Вт | 6-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 8В | - | 125 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 6 НК при 4,5 В | - | Ворота логического уровня |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)