SIC
close

Дискерн

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f
70UR60 G BK R Vishay Semiconductor Opto Division 70UR60 G BK R -
RFQ
 ECAD 4343 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 70UR60 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 - @ 785 А 60 май @ 600 -40 ° C ~ 200 ° C. 250a -
301UR140 G BK BL Vishay Semiconductor Opto Division 301UR140 G BK BL -
RFQ
 ECAD 5774 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 301UR140 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,22 В @ 942 A 15 май @ 1400 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
12FR100B BN BK Y Vishay Semiconductor Opto Division 12fr100b bn bk y -
RFQ
 ECAD 8496 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR100 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
12FR80B BN BK Y Vishay Semiconductor Opto Division 12fr80b bn bk y -
RFQ
 ECAD 8019 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR80 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
12FR20B BN BK R Vishay Semiconductor Opto Division 12FR20B BN BK R -
RFQ
 ECAD 5995 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR20 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
12F10B BN R R Vishay Semiconductor Opto Division 12F10B BN RR -
RFQ
 ECAD 5553 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F10 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 100 12A -
301U100 G R G Vishay Semiconductor Opto Division 301U100 grg -
RFQ
 ECAD 9377 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 301U100 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,22 В @ 942 A 15 май @ 1000 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
12FR40B BN BK R Vishay Semiconductor Opto Division 12FR40B BN BK R -
RFQ
 ECAD 7706 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR40 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
12F100B BN R Y Vishay Semiconductor Opto Division 12F100B BN RY -
RFQ
 ECAD 3017 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F100 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
1N3743R G BK G Vishay Semiconductor Opto Division 1n3743r g bk g -
RFQ
 ECAD 2118 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 1N3743 Станода DO-205AB (DO-9) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 В @ 250 a 7 май @ 1200 175 ° C (MMAKS) 250a -
1N3743 G R G Vishay Semiconductor Opto Division 1n3743 grg -
RFQ
 ECAD 7325 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 1N3743 Станода DO-205AB (DO-9) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 В @ 250 a 7 май @ 1200 175 ° C (MMAKS) 250a -
12FR60B BN BK R Vishay Semiconductor Opto Division 12FR60B BN BK R -
RFQ
 ECAD 6247 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR60 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
300U120A G R G Vishay Semiconductor Opto Division 300U120A Grg -
RFQ
 ECAD 2559 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 300U120 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,4 В @ 942 А 40 май @ 1200 -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
12F60B BN R R Vishay Semiconductor Opto Division 12F60B BN RR -
RFQ
 ECAD 8411 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F60 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1 пар 600 12A -
12F20B BN R R Vishay Semiconductor Opto Division 12F20B BN RR -
RFQ
 ECAD 5685 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F20 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
12FR10B BN BK R Vishay Semiconductor Opto Division 12FR10B BN BK R -
RFQ
 ECAD 4880 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12FR10 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
301U140 G R BL Vishay Semiconductor Opto Division 301u140 gr bl -
RFQ
 ECAD 7899 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 301U140 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1400 1,22 В @ 942 A 15 май @ 1400 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
300UR120A G BK G Vishay Semiconductor Opto Division 300UR120A G BK G -
RFQ
 ECAD 4246 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 300UR120 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1,3 - @ 785 А -40 ° C ~ 200 ° C. 250a -
12F80B BN R Y Vishay Semiconductor Opto Division 12F80B BN RY -
RFQ
 ECAD 3634 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F80 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1,26 В 38 А -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
301UR100 G BK G Vishay Semiconductor Opto Division 301UR100 G BK G -
RFQ
 ECAD 3695 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало Do-205ab, do-9, Stud 301UR100 Станода DO-205AB (DO-9) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,22 В @ 942 A 15 май @ 1000 -40 ° C ~ 180 ° C. 300A -
12F40B BN R R Vishay Semiconductor Opto Division 12F40B BN RR -
RFQ
 ECAD 3457 0,00000000 PoluprovoDnykowany -я - МАССА Управо ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12F40 Станода DO-203AA - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,26 В 38 А -65 ° C ~ 175 ° C. 12A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть