SIC
close

Дискратнес Пелюпрововоднико -пройк (4522)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Ток Дрена (ID) - MMAKS.
CLL4625 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLL4625 TR TIN/LEAND 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Cll4625 500 м SOD-80 - Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 200 MMA 10 мк @ 3 В 5,1 В. 1500 ОМ
CLL5227B BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLL5227B BK TIN/LEAND 0,3800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL5227 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,25 Е @ 200 Ма 15 мк 3,6 В. 24
CBR1U-D020S TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CBR1U-D020S TIN/LEAND 42000
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло CBR1U-D020 Станода 4-Smdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CBR1U-D020STIN/LEAND Ear99 8541.10.0080 50 1,05 В @ 1 A 5 мка При 200 1 а ОДИНАНАНА 200
1N4729A TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1n4729a tr Tin/Leand 0,3800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 100 мка @ 1 В 3,6 В. 10 ОМ
CMXSH2-4LS BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMXSH2-4LS BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 5193 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер SOT-23-6 ШOTKIй SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXSH2-4LSBKPBFREE Ear99 8541.10.0070 3500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 40 200 май (DC) 500 м. @ 200 Ма 5 млн 50 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
CMXSTB300 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMXSTB300 BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 8778 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер SOT-23-6 Станода SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXSTB300BKPBFREE Ear99 8541.10.0070 3500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 -й 20 100 май 2,91 В @ 100 мая 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
CMXSH2-4LS TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMXSH2-4LS TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 5323 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-23-6 ШOTKIй SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXSH2-4LSTRPBFREETR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 40 200 май (DC) 500 м. @ 200 Ма 5 млн 50 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
CMXD2004S BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMXD2004S BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 2829 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер SOT-23-6 Станода SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXD2004SBKPBFREE Ear99 8541.10.0070 3500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 2 пар 240 200 май 1 V @ 100 май 50 млн 100 na @ 240 v -65 ° С ~ 150 ° С.
CDM2208-800FP Central Semiconductor Corp CDM2208-800FP -
RFQ
 ECAD 7289 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-CDM2208-800FP Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 8a (TC) 10 В 1,6 ОМА @ 4A, 10 В 4 В @ 250 мк 24,45 NC @ 10 V 30 1110 pf @ 25 V - 57W (TC)
CP375-CWDM3011N-WN Central Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-WN -
RFQ
 ECAD 9854 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP375-CWDM3011N-WN Ear99 8541.29.0040 18 670 N-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 20mohm @ 11a, 10 В 3 В @ 250 мк 6,3 NC @ 5 V ± 20 В. 860 pf @ 15 v - 2,5
CP337V-2N4013-CT20 Central Semiconductor Corp CP337V-2N4013-CT20 -
RFQ
 ECAD 3343 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 360 м Умират СКАХАТА 1514-CP337V-2N4013-CT20 Ear99 8541.21.0040 20 30 1 а 10 мк Npn 750 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 300 мг
2N3725A PBFREE Central Semiconductor Corp 2n3725a pbfree -
RFQ
 ECAD 2483 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА 1514-2N3725APBFREE Ear99 8541.29.0095 500 50 1,2 а 10 мк Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 300 мг
1N914B BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1n914b bk tin/голова 0,1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 100 1 V @ 20 мая 4 млн 25 Na @ 20 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150 май 4pf @ 0V, 1 мгест
1N4730A BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1N4730A BK TIN/LEAND 0,3800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2000 1,2 - @ 200 Ма 50 мкр 1в 3,9 В. 9 О
1N4002SP BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1N4002SP BK TIN/LEAND 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 2000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 1 a 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
CEDM7001VL BK Central Semiconductor Corp CEDM7001VL BK -
RFQ
 ECAD 4282 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883VL СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-CEDM7001VLBK Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 20 100 май (таблица) 1,5 В, 4 В 3OM @ 10MA, 4V 900 мВ @ 250 мк 0,566 NC @ 4,5 10 В 9 pf @ 3 v - 100 март (таблица)
CP226V-2N4393-CT20 Central Semiconductor Corp CP226V-2N4393-CT20 -
RFQ
 ECAD 4975 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират 1,8 Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CP226V-2N4393-CT20 Ear99 8541.29.0095 20 N-канал 40 20pf @ 20 a. 40 5 май @ 3 В 500 мВ @ 1 na 100 ОМ 50 май
1N5930C BK Central Semiconductor Corp 1n5930c bk -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1,5 DO-41 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-1N5930CBK Ear99 8541.10.0050 2000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка рри 12,2 16 10 ОМ
PN3646 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp PN3646 TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 8838 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-PN3646TIN/LEAND Ear99 8541.21.0075 2500
PN3646 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp PN3646 APM TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 4795 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и коробка (TB) Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-PN3646APMTIN/LEADTB Ear99 8541.21.0075 2000
PN3646 TRE PBFREE Central Semiconductor Corp PN3646 Tre Pbfree -
RFQ
 ECAD 9874 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-PN3646TREPBFREETR Ear99 8541.21.0075 2000
CSICD10-1200 BK Central Semiconductor Corp CSICD10-1200 BK -
RFQ
 ECAD 9684 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Sic (kremniewый karbid) Dpak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0080 150 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 10 a 0 м 250 мк. -55 ° C ~ 175 ° C. 10 часов 500pf @ 1V, 1 мгест
1N5952B BK Central Semiconductor Corp 1n5952b bk -
RFQ
 ECAD 9688 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1,5 DO-41 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка @ 98,8 130 450 ОМ
1N5954B BK Central Semiconductor Corp 1n5954b bk -
RFQ
 ECAD 2076 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1,5 DO-41 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 2000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка @ 121,6 160 700 ОМ
1N5954B TR Central Semiconductor Corp 1n5954b tr -
RFQ
 ECAD 3400 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1,5 DO-41 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.10.0050 5000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка @ 121,6 160 700 ОМ
1N5988B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5988b bk pbfree 0,0494
RFQ
 ECAD 3495 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 Е @ 100 мая 25 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
1N5988B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5988b tr pbfree 0,0494
RFQ
 ECAD 7019 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 25 мка @ 1 В 3.3в 95 ОМ
1N5991B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5991b tr pbfree 0,0494
RFQ
 ECAD 3559 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 5 мка @ 1 В 4,3 В. 88 ОМ
1N5994B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5994b bk pbfree 0,0494
RFQ
 ECAD 4204 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 Е @ 100 мая 2 мка @ 3 В 5,6 В. 25 ОМ
1N5994B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1n5994b tr pbfree -
RFQ
 ECAD 7737 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 Е @ 100 мая 2 мка @ 3 В 5,6 В. 25 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть