SIC
close

Дискратнес Пелюпрововоднико -пройк (4522)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Current - Hold (IH) (MMAKS) Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Вон, emcostath (ciss) (max) @ vds Феф Фуанкхия Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в На TOOK - dreneж (idss) @ vds (vgs = 0) На Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) СОПРОТИВЛЕВЕР - RDS (ON) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Ток Дрена (ID) - MMAKS.
CZ5343B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZ5343B TR PBFREE 0,9000
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй CZ5343 5 Вт ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1400 1,2 - @ 1 a 100 мк. 7,5 В. 1,5 ОМ
2N7002 TR PBFREE Central Semiconductor Corp 2n7002 tr pbfree 0,3800
RFQ
 ECAD 388 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 115ma (TC) 5 В, 10 В. 7,5 ОМ @ 500 май, 10 В 2,5 -50 мк 40 50 PF @ 25 V - 350 мт (таблица)
CMHZ4099 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ4099 TR PBFREE 0,3600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 CMHZ4099 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,5 - @ 100 a 10 мк. 6,8 В. 200 ОМ
CMHZ4687 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMHZ4687 TR PBFREE 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 CMHZ4687 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,5 Е @ 100 мая 4 мка @ 2 4,3 В.
CMLD4448DOG TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLD4448DOG TR PBFREE 0,4300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 CMLD4448 Станода SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 -й 120 250 май 1 V @ 100 май 40 млн 500 NA @ 100 V -65 ° С ~ 150 ° С.
CMOSH-4E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMOSH-4E TR PBFREE 0,5000
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-79, SOD-523 Cmosh-4 ШOTKIй SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 1 V @ 200 MMA 5 млн 500 NA @ 25 V -65 ° С ~ 150 ° С. 200 май 7pf @ 1V, 1 мгест
CMOZ36L TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMOZ36L TR PBFREE 0,6200
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 155 ° C. Пефер SC-79, SOD-523 Cmoz36 250 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 1 мка @ 33 36 200 ОМ
CMOZ6L8 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMOZ6L8 TR PBFREE 0,5800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-79, SOD-523 Cmoz6 250 м SOD-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 1 мка 3,5 6,8 В. 200 ОМ
CMPD3003S TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPD3003S TR PBFREE 0,6900
RFQ
 ECAD 173 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPD3003 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 180 200 май 1,15 Е @ 300 Ма 1 na @ 125 -65 ° С ~ 150 ° С.
CMPD4448 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPD4448 TR PBFREE 0,4100
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPD4448 Станода SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 75 1 V @ 100 май 4 млн 25 Na @ 20 V -65 ° С ~ 150 ° С. 250 май 4pf @ 0V, 1 мгест
CMPD6263S TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPD6263S TR PBFREE 0,8200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPD6263 ШOTKIй SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 70 15 май 410 мВ @ 1ma 200 na @ 50 v -65 ° С ~ 150 ° С.
CMPZDA12V TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPZDA12V TR PBFREE 0,1600
RFQ
 ECAD 44 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPZDA12 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1 пар 900 мВ @ 10 мая 100 na @ 8 v 12.05 V. 250 ОМ
CMRSH-4DO TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMRSH-4DO TR PBFREE 1.0900
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-963 CMRSH-4 ШOTKIй SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 8000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2 neзaviymый 40 200 май 1 V @ 40 май 5 млн 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C.
2N6075B PBFREE Central Semiconductor Corp 2n6075b pbfree -
RFQ
 ECAD 4122 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 126 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-2n6075bpbree Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 15 май ЛОГИКА 600 4 а 2 V. 30а @ 60 г -на 5 май
2N6073B PBFREE Central Semiconductor Corp 2n6073b pbfree -
RFQ
 ECAD 5945 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 126 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-2N6073BPBFREE Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 15 май ЛОГИКА 400 4 а 2 V. 30а @ 60 г -на 5 май
1N2813B PBFREE Central Semiconductor Corp 1n2813b pbfree -
RFQ
 ECAD 9961 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 1n2813 50 st По 3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-1N2813bpbfree Ear99 8541.10.0050 20 1,5 - @ 10 a 5 мк. 15 1,4 ОМ
1N2818B PBFREE Central Semiconductor Corp 1n2818b pbfree -
RFQ
 ECAD 7227 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 1n2818 50 st По 3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-1N2818BPBFREE Ear99 8541.10.0050 20 1,5 - @ 10 a 5 мка прри 15,2 20 2,4о
1N2979C PBFREE Central Semiconductor Corp 1n2979c pbfree -
RFQ
 ECAD 2226 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Стало DO-203AA, DO-4, Став 1n2979 10 st До 4 - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-1N2979cpbfree Ear99 8541.10.0050 250 1,5 - @ 2 a 5 мк. 15 3 О
CMPSH1-4LE TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMPSH1-4LE TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 5392 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-23-3 ШOTKIй SOT-23F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1514-CMPSH1-4LERPBFREETR Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 400 мВ @ 1 a 900 мка 40, -65 ° C ~ 125 ° C. 1A 50pf @ 10 v, 1 mmgц
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 0,8700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 4-Ldfn CBRDFA4 Станода 4-DFN-A (10,5x8,1) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 1 V @ 4 A 5 мк -пр. 1000 4 а ОДИНАНАНА 1 к
2N3725 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3725 PBFREE -
RFQ
 ECAD 5317 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м Не 39 СКАХАТА 1514-2N3725PBFREE Ear99 8541.21.0075 500 50 1,2 а 10 мк Npn 950 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 300 мг
2N3725A TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2n3725a olovo/svineц -
RFQ
 ECAD 5977 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт Не 39 СКАХАТА 1514-2n3725atin/Leand Ear99 8541.29.0095 500 50 1,2 а 10 мк Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 300 мг
CP337V-2N3725-CT20 Central Semiconductor Corp CP337V-2N3725-CT20 -
RFQ
 ECAD 2853 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 800 м Умират СКАХАТА 1514-CP337V-2N3725-CT20 Ear99 8541.29.0040 20 50 1,2 а 10 мк Npn 950 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в 300 мг
CP647-CEN1359-CM Central Semiconductor Corp CP647-CEN1359-CM -
RFQ
 ECAD 4759 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират - 1 (neograniчennnый) 1514-CP647-CEN1359-CM Управо 1 120 30 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 4 w @ 300 май, 30А 1000 @ 20a, 5v -
CP647-HPMD19K100-CM Central Semiconductor Corp CP647-HPMD19K100-CM -
RFQ
 ECAD 9856 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират - 1 (neograniчennnый) 1514-CP647-HPMD19K100-CM Управо 1 120 30 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 4 w @ 300 май, 30А 1000 @ 20a, 5v -
CP206-2N4393-CM Central Semiconductor Corp CP206-2N4393-CM -
RFQ
 ECAD 1929 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Умират 1,8 Умират СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-CP206-2N4393-CM Управо 1 N-канал 400 м 14pf @ 20 a. 40 5 май @ 20 500 мВ @ 1 na 100 ОМ 50 май
CET3906EVL TR Central Semiconductor Corp CET3906EVL TR -
RFQ
 ECAD 4338 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883VL - 1 (neograniчennnый) 1514-CET3906EVLTR Ear99 8541.21.0095 2500 N-канал 30 450 май (таблица) 1,8 В, 4,5 В. 460mohm @ 200ma, 4,5 1В @ 250 мк 0,792 NC @ 4,5 8в 43 pf @ 25 v - 100 март (таблица)
CET3904EVL TR Central Semiconductor Corp CET3904EVL TR -
RFQ
 ECAD 1214 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 250 м SOT-883VL - 1 (neograniчennnый) 1514-CET3904EVLTR Ear99 8541.21.0095 2500 40 200 май - Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
CEDM8001VL BK Central Semiconductor Corp CEDM8001VL BK -
RFQ
 ECAD 2551 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883VL СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 1514-CEDM8001VLBK Ear99 8541.21.0095 1 П-канал 20 200 мая (таблица) 1,5 В, 4 В 8OM @ 10MA, 4V 1,1 В @ 250 мк 0,658 NC @ 4,5 10 В 45 pf @ 3 v - 100 март (таблица)
CP216-2N4392-CT20 Central Semiconductor Corp CP216-2N4392-CT20 -
RFQ
 ECAD 1546 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 350 м Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP216-2N4392-CT20 Управо 20 N-канал 40 20pf @ 20 a. 40 25 май @ 20 2 v @ 1 na 60 ОМ 50 май
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть