SIC
close

Дискратнес Пелюпрововоднико -пройк (4522)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
1N4004SP TR Central Semiconductor Corp 1n4004sp tr -
RFQ
 ECAD 9513 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 1 a 5 мка 400 -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N4005 BK Central Semiconductor Corp 1n4005 bk -
RFQ
 ECAD 2069 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 2000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A -
1N992B BK Central Semiconductor Corp 1n992b bk -
RFQ
 ECAD 2537 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500 1,5 - @ 200 Ма 5 мка При 152 200 2500 ОМ
1N4730C BK Central Semiconductor Corp 1n4730c bk -
RFQ
 ECAD 1976 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1 Вт DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3,9 В. 9 О
1N5914B TR Central Semiconductor Corp 1n5914b tr -
RFQ
 ECAD 7654 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1,5 DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 5000 1,5 - @ 200 Ма 75 мка При 1в 3,5 В. 9 О
CR3F-100 BK Central Semiconductor Corp CR3F-100 BK -
RFQ
 ECAD 8589 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1000 1,2 V @ 3 a 500 млн 5 мк -пр. 1000 -55 ° C ~ 125 ° C. 3A 40pf @ 4V, 1 мгест
1N486B TR Central Semiconductor Corp 1n486b tr -
RFQ
 ECAD 4154 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Станода DO-41 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 250 1 V @ 100 май 50 NA @ 250 -65 ° C ~ 200 ° C. 200 май -
1N984B BK Central Semiconductor Corp 1n984b bk -
RFQ
 ECAD 6230 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500 1,5 - @ 200 Ма 5 мк. 91 400 ОМ
1N987B BK Central Semiconductor Corp 1n987b bk -
RFQ
 ECAD 3477 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500 1,5 - @ 200 Ма 5 мк -при 91,2 120 900 ОМ
2N4015 Central Semiconductor Corp 2N4015 -
RFQ
 ECAD 7942 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N401 600 м 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 100 60 300 май - 2 PNP (DVOйNOй) - 135 @ 1MA, 5V 200 мг
CP647-CEN1103-CT Central Semiconductor Corp CP647-CEN1103-CT -
RFQ
 ECAD 6878 0,00000000 Central Semiconductor Corp * Поднос Управо CP647 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 36
CP647-CEN1103-WN Central Semiconductor Corp CP647-CEN1103-WN -
RFQ
 ECAD 3070 0,00000000 Central Semiconductor Corp * МАССА Актифен CP647 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 1
CP647-MJ11013-CT Central Semiconductor Corp CP647-MJ11013-CT -
RFQ
 ECAD 2334 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират CP647 Умират - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 36 90 30 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 4 w @ 300 май, 30А 200 @ 30a, 5в -
CP547-2N6287-CT Central Semiconductor Corp CP547-2N6287-CT -
RFQ
 ECAD 1913 0,00000000 Central Semiconductor Corp CP547 Поднос Управо Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 49
CP547-MJ11013-CT Central Semiconductor Corp CP547-MJ11013-CT -
RFQ
 ECAD 9591 0,00000000 Central Semiconductor Corp CP547 Поднос Управо Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 49
CP547-MJ11013-WS Central Semiconductor Corp CP547-MJ11013-WS -
RFQ
 ECAD 6372 0,00000000 Central Semiconductor Corp CP547 Поднос Управо Пефер Умират Умират СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 400
CLL5264B TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLL5264B TR TIN/LEAND 0,4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL5264 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,25 Е @ 200 Ма 100 Na @ 46 V 60 170 ОМ
UF4002 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp UF4002 TR TIN/LEAND 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй UF4002 Станода DO-41 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1 V @ 1 A 50 млн 10 мк -пки 100 -65 ° С ~ 150 ° С. 1A 20pf @ 4V, 1 мгха
TIP125 SL TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TIP125 SL TIN/VыDELA -
RFQ
 ECAD 4221 0,00000000 Central Semiconductor Corp TIP125 Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP125 65 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 60 5 а 500NA Npn - дарлино 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v 4 мг
CLL4116 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLL4116 TR TIN/LEAND 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 CLL4116 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 2500 1 V @ 200 MMA 10 Na @ 18,3 24 150 ОМ
CLL4707 TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CLL4707 TR TIN/LEAND 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Cll4707 500 м SOD-80 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 Е @ 100 мая 10 Na @ 15,2 20
CBR6M-L080M TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CBR6M-L080M TIN/LEAND 1.2700
RFQ
 ECAD 401 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Sip, DMM CBR6M-L080 Станода Дмм СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CBR6M-L080MTIN/HEAND Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 6 A 5 мк -400 6 а ОДИНАНАНА 800 В
TN2219A TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TN2219A ONOVOU/SVINEц 1.5600
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Коробка Актифен - Чereз dыru Дол 237AA TN2219 2 Вт 237 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 40 800 млн - Npn - дарлино - - 300 мг
CP775-CWDM3011P-CM Central Semiconductor Corp CP775-CWDM3011P-CM -
RFQ
 ECAD 6889 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CP775-CWDM3011P-CM Ear99 8541.29.0095 100 П-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 20mohm @ 11a, 10 В 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 3100 pf @ 8 v - 2,5 yt (tat)
CP802-CWDM3011P-CT Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT -
RFQ
 ECAD 4569 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират CP802 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CP802-CWDM3011P-CT Ear99 8541.29.0040 100 П-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 13mohm @ 1a, 10v 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 3100 pf @ 8 v - -
CP775-CWDM3011P-CT Central Semiconductor Corp CP775-CWDM3011P-CT -
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CP775-CWDM3011P-CT Управо 100 П-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 20mohm @ 11a, 10 В 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 3100 pf @ 8 v - -
CP802-CWDM3011P-CM Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CM -
RFQ
 ECAD 1615 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират CP802 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-CP802-CWDM3011P-CM Ear99 8541.29.0040 100 П-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 13mohm @ 1a, 10v 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 3100 pf @ 8 v - -
CMXSTB400 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMXSTB400 BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 8963 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер SOT-23-6 Станода SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXSTB400BKPBFREE Ear99 8541.10.0070 3500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 4 -й 20 100 май 4,1 - @ 100ma 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
CMXSTB300 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMXSTB300 TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 8473 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-23-6 Станода SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CMXSTB300TRPBFREETR Ear99 8541.10.0070 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 3 -й 20 100 май 2,91 В @ 100 мая 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С.
CEN1235 BK Central Semiconductor Corp CEN1235 BK -
RFQ
 ECAD 6012 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CEN1235BK Управо 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть