SIC
close

Дискратнес Пелюпрововоднико -пройк (4522)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Current - Hold (IH) (MMAKS) Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) ТИП ТРИАКА На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - na -costoanaonik ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Ш На На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
CMLT5088E TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLT5088E TR PBFREE 0,7300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 CMLT5088 350 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 50na (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 400 мВ @ 10ma, 100 мая 300 @ 100 мк, 5в 100 мг
PN2907A PBFREE Central Semiconductor Corp PN2907A PBFREE 0,4300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2907 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
CQ92B Central Semiconductor Corp CQ92B -
RFQ
 ECAD 4463 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 1 Одинокий 5 май Внутрунне 200 1 а 2 V. - 5 май
1N4715 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4715 BK PBFREE 0,2190
RFQ
 ECAD 6685 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 Е @ 100 мая 10 Na @ 27,3 36
CUD10-02 TR13 Central Semiconductor Corp CUD10-02 TR13 -
RFQ
 ECAD 6279 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Станода Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) CUD10-02TR13 Ear99 8541.10.0080 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 950 мВ @ 10 a 35 м 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 10 часов 62pf @ 4V, 1 мгха
CMDZ5236B TR PBFREE Central Semiconductor Corp Cmdz5236b tr pbfree 0,3600
RFQ
 ECAD 913 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 Cmdz5236 250 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 900 мВ @ 10 мая 3 мка пр. 6в 7,5 В. 6 ОМ
CBR1-D060S TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CBR1-D060S TR13 PBFREE 0,8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, крхло CBR1-D060 Станода 4-Smdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 1.1 V @ 1 a 10 мк. 1 а ОДИНАНАНА 600
1N4099 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4099 BK PBFREE 0,2175
RFQ
 ECAD 6952 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 250 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,1 - @ 200 Ма 10 мк. 6,8 В. 200 ОМ
CMHZ4683 BK Central Semiconductor Corp CMHZ4683 BK -
RFQ
 ECAD 9239 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123 500 м SOD-123 СКАХАТА DOSTISH 1514-CMHZ4683BK Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 800 Na @ 1 V 3 В
1N5341B BK Central Semiconductor Corp 1n5341b bk -
RFQ
 ECAD 8571 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт AX-5W СКАХАТА 1514-1N5341BBK Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 1 мка @ 3 В 6,2 В. 1 О
CSICD05-1200 BK Central Semiconductor Corp CSICD05-1200 BK -
RFQ
 ECAD 2331 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Sic (kremniewый karbid) Dpak - Rohs3 Ear99 8541.10.0080 150 Верниони -весановейн> 500 май (io) 1200 1,7 - @ 5 a 0 м 190 мка @ 1200 -55 ° C ~ 175 ° C. 5A 240pf @ 1V, 1 мгест
CMST3906 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMST3906 TR PBFREE 0,4000
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 CMST3906 275 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
CR3-100 BK Central Semiconductor Corp CR3-100 BK -
RFQ
 ECAD 6239 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА 1514-CR3-100BK Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1.1 V @ 3 a 10 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 25pf @ 4V, 1 мгха
1N5416 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1N5416 BK TIN/LEAND 0,8200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо Чereз dыru R-4, osevoй Станода GPR-4 UTRA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0070 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 1.1 V @ 3 a 150 млн 1 мка рри 100 -65 ° C ~ 200 ° C. 3A 175pf @ 12V, 1 мгха
CMR2U-02 BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMR2U-02 BK PBFREE 0,1425
RFQ
 ECAD 5653 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен Пефер DO-214AA, SMB CMR2U-02 Станода МАЛИ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 1 V @ 2 A 50 млн 10 мк. -65 ° С ~ 150 ° С. 2A 28pf @ 4V, 1 мгха
CR3-010 TR Central Semiconductor Corp CR3-010 Tr -
RFQ
 ECAD 5005 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru Do-201ad, Osevoй Станода Do-201ad СКАХАТА 1514-CR3-010TR Ear99 8541.10.0080 1 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 3 a 10 мк -пки 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 3A 50pf @ 4V, 1 мгест
CJD3055 TR13 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CJD3055 TR13 TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 7229 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CJD3055TR13TIN/LEADTR Ear99 8541.29.0095 2500 60 10 а 50 мк Npn 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
CS3P-40PB Central Semiconductor Corp CS3P-40PB -
RFQ
 ECAD 6399 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru СКАХАТА Продан Управо 0000.00.0000 1 80 май 1,2 кв 40 А. 1,5 В. 40a @ 50 gц 6 май 1,5 В. 20 мк Станодано
CMXT2222A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMXT2222A TR PBFREE 0,4900
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 CMXT2222 350 м SOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 10NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
1N87A TR Central Semiconductor Corp 1n87a tr -
RFQ
 ECAD 4863 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AA, DO-7, OSEVOй Станода ДО-7 СКАХАТА 1514-1N87ATR Ear99 8541.10.0070 1 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 23 В 250 м. 10 мк. -50 ° C ~ 75 ° C. 50 май -
CPZ59X-1N968B-WN Central Semiconductor Corp CPZ59X-1N968B-WN -
RFQ
 ECAD 3730 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират 500 м Умират - 1514-CPZ59X-1N968B-WN Ear99 8541.10.0050 1 1,5 - @ 200 Ма 5 мка прри 15,2 20 25 ОМ
CPZ58X-1N4692-CT Central Semiconductor Corp CPZ58X-1N4692-CT -
RFQ
 ECAD 2645 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират - 1514-CPZ58X-1N4692-CT Ear99 8541.10.0050 1 1,5 Е @ 100 мая 10 мк. 6,8 В.
CPZ58X-BZX55C3V3-CM Central Semiconductor Corp CPZ58X-BZX55C3V3-CM -
RFQ
 ECAD 8009 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират - 1514-CPZ58X-BZX55C3V3-CM Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 май 2 мка @ 1 В 3.3в 85 ОМ
2N5320 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N5320 PBFREE 3.0000
RFQ
 ECAD 316 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 10 st Не 39 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 75 2 а 500NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 30 @ 500 май, 4 В 50 мг
2N6071B TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2n6071b olovo/svineц -
RFQ
 ECAD 2208 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 126 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1514-2N6071BTIN/LEAND Ear99 8541.30.0080 1000 Одинокий 15 май ЛОГИКА 200 4 а 2 V. 30а @ 60 г -на 5 май
2N3421 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3421 PBFREE 3.8500
RFQ
 ECAD 118 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 80 500NA (ICBO) Npn - 40 @ 1a, 2v 40 мг
1N3595 TR Central Semiconductor Corp 1n3595 tr -
RFQ
 ECAD 1042 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй Станода DO-35 - 1514-1N3595TR Ear99 8541.10.0070 10000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 150 920 мВ @ 100 мая 3 мкс 1 na @ 125 -65 ° C ~ 200 ° C. 150 май 8pf @ 0v, 1 мгест
2N4340 Central Semiconductor Corp 2N4340 -
RFQ
 ECAD 4153 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо 50 Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 1 кг JFET 18 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал - - - 1 дБ 15
CTLDM8002A-M621 BK Central Semiconductor Corp CTLDM8002A-M621 BK -
RFQ
 ECAD 6174 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-powervfdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TLM621 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 5000 П-канал 50 280 мА (таблица) 5 В, 10 В. 2,5OM @ 500 мА, 10 В 2,5 -50 мк 0,72 NC @ 4,5 20 70 pf @ 25 v - 900 м
1N5333B TR Central Semiconductor Corp 1n533333b tr -
RFQ
 ECAD 1401 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru Т-18, Ос 5 Вт AX-5W СКАХАТА 1514-1N533333btr Ear99 8541.10.0050 1 1,2 - @ 1 a 300 мк -при. 3.3в 3 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть