SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (3563)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BC556ABK Diotec Semiconductor BC556ABK 0,0241
RFQ
 ECAD 7815 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC556ABK 8541.21.0000 5000 65 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
GBU12M-T Diotec Semiconductor GBU12M-T 1.5875
RFQ
 ECAD 5906 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU12M-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 12 A 5 мк -пр. 1000 8,4 а ОДИНАНАНА 1 к
BYP25A4 Diotec Semiconductor Byp25a4 1.0184
RFQ
 ECAD 6890 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP25A4TR 8541.10.0000 12 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк 400 -50 ° C ~ 215 ° C. 25 а -
SBCT1020 Diotec Semiconductor SBCT1020 0,6450
RFQ
 ECAD 9885 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SBCT1020 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 20 5A 550 м. @ 5 a 300 мк. -50 ° C ~ 150 ° C.
ZPY160 Diotec Semiconductor ZPY160 0,0986
RFQ
 ECAD 2818 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy160tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 75 160 110 ОМ
DB35-04 Diotec Semiconductor DB35-04 4.3940
RFQ
 ECAD 250 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода DB-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB35-04 8541.10.0000 50 1,05 - @ 17,5 А 5 мка 400 35 а Трип 400
ERJ3006 Diotec Semiconductor ERJ3006 1.0217
RFQ
 ECAD 8454 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru TO-220-2 Full Pack, Иолированажа Кладка Станода ITO-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-ERJ3006 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,2 - @ 30 a 50 млн 50 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 30A -
SBT1040-3G Diotec Semiconductor SBT1040-3G 0,6127
RFQ
 ECAD 5449 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 ШOTKIй ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SBT1040-3G 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 500 м. @ 10 a 120 мка 4 40 -55 ° C ~ 150 ° С. 10 часов -
B380FD Diotec Semiconductor B380FD 0,4198
RFQ
 ECAD 3097 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 ММ) Станода DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-B380FD 8541.10.0000 750 1,3 V @ 1 a 5 мк -400 1 а ОДИНАНАНА 800 В
ZPY82 Diotec Semiconductor ZPY82 0,0986
RFQ
 ECAD 6651 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy82tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 41в 82 30 ОМ
BC337-40BK Diotec Semiconductor BC337-40BK 0,0328
RFQ
 ECAD 335 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC337-40BK 8541.21.0000 5000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
SB120S Diotec Semiconductor SB120S 0,0463
RFQ
 ECAD 3555 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй ШOTKIй DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB120str 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 1 a 1 мая @ 20 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
ZPD30B Diotec Semiconductor Zpd30b 0,0225
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpd30btr 8541.10.0000 10000 100 Na @ 22,5 30 35 ОМ
KBPC3504FP Diotec Semiconductor KBPC3504FP 2.5574
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, KBPC35 Станода KBPC35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC3504FP 8541.10.0000 240 1,1 В @ 17,5 а 10 мка 400 35 а ОДИНАНАНА 400
GBU8M-T Diotec Semiconductor GBU8M-T 0,4087
RFQ
 ECAD 4828 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU8M-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 8 A 5 мк -пр. 1000 5,6 а ОДИНАНАНА 1 к
ZPY5.6 Diotec Semiconductor ZPY5.6 0,0986
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy5.6tr 8541.10.0000 5000 3 мк 5,6 В. 1 О
P2500A Diotec Semiconductor P2500A 0,7832
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй P2500 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P2500ATR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 50 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
CS40D Diotec Semiconductor CS40D 1.7165
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 ММ) ШOTKIй DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-CS40D 8541.10.0000 250 790mw @ 1 a 500 мк. 1 а ОДИНАНАНА 80
KBPC2504I Diotec Semiconductor KBPC2504I 3.2932
RFQ
 ECAD 9664 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, KBPC25 Станода KBPC25 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC2504I 8541.10.0000 240 1,2 - @ 12,5 А 10 мка 400 25 а ОДИНАНАНА 400
BC557CBK Diotec Semiconductor BC557CBK 0,0241
RFQ
 ECAD 70 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC557CBK 8541.21.0000 5000 45 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 150 мг
GBI25G Diotec Semiconductor GBI25G 0,9312
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI25G 8541.10.0000 500 1,1 В @ 12,5 А 5 мка 400 4,2 а ОДИНАНАНА 400
DB35-02 Diotec Semiconductor DB35-02 4.3940
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода DB-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB35-02 8541.10.0000 50 1,05 - @ 17,5 А 5 мка При 200 35 а Трип 200
ZPY51 Diotec Semiconductor ZPY51 0,0986
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy51tr 8541.10.0000 5000 1 мка 4 24 51 25 ОМ
KBPC2502I Diotec Semiconductor KBPC2502I 3.2932
RFQ
 ECAD 1097 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, KBPC25 Станода KBPC25 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC2502I 8541.10.0000 240 1,2 - @ 12,5 А 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 200
GBI10D Diotec Semiconductor GBI10D 0,6390
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI10D 8541.10.0000 500 1.1 V @ 5 A 5 мка При 200 3 а ОДИНАНАНА 200
B380C7000A Diotec Semiconductor B380C7000A 1.7263
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip Станода 4-sip СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-B380C7000A 8541.10.0000 500 1 V @ 5 A 5 мк -400 4,8 а ОДИНАНАНА 800 В
ZPY130 Diotec Semiconductor ZPY130 0,0986
RFQ
 ECAD 5249 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy130tr 8541.10.0000 5000 1 мка рри 60 В 130 90 ОМ
BC337-25BK Diotec Semiconductor BC337-25BK 0,1800
RFQ
 ECAD 190 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Neprigodnnый Neprigodnnый Продан 5000 45 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
KBPC3508FP Diotec Semiconductor KBPC3508FP 2.5794
RFQ
 ECAD 720 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, KBPC35 Станода KBPC35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC3508FP 8541.10.0000 240 1,1 В @ 17,5 а 10 мк. 35 а ОДИНАНАНА 800 В
ZPY68 Diotec Semiconductor ZPY68 0,0986
RFQ
 ECAD 9901 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy68tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 34 68 В 25 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть